mos管是不是三極管？通俗的講，三極管是電流控制元件，而場(chǎng)效應(yīng)管則是電壓控制元件。

兩者都是半導(dǎo)體器件，只是工作條件不同。場(chǎng)效應(yīng)管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它具有多數(shù)晶體管的優(yōu)點(diǎn)，如輸入電阻高、噪聲小和熱穩(wěn)定性好等。

主要特點(diǎn) 01 輸入電阻高 02 電流放大系數(shù)大 03 熱穩(wěn)定性好 MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí)，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場(chǎng)中形成空間電荷層，這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子結(jié)合從而阻止了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；同時(shí)由于反相器的存在也阻止了電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

因此整個(gè)pn結(jié)呈現(xiàn)出一個(gè)由正電荷占據(jù)的空間和一個(gè)由空穴占據(jù)的空間兩個(gè)區(qū)域。當(dāng)外加的反向電壓達(dá)到一定閾值以后反向偏置電壓將使這兩個(gè)區(qū)域的界限消失而使兩個(gè)區(qū)域相互重疊在一起形成一個(gè)耗盡區(qū)即截止?fàn)顟B(tài)或飽和狀態(tài)。

此時(shí)若繼續(xù)加正向偏置電壓將會(huì)使耗盡區(qū)變寬而使其內(nèi)阻增大最終導(dǎo)致管子擊穿損壞；反之若減小反向偏置電壓則會(huì)使截止區(qū)內(nèi)出現(xiàn)新的空穴-電子對(duì)并產(chǎn)生一個(gè)小的自激振蕩現(xiàn)象而使管子導(dǎo)通直至管子燒毀。

由于在正常狀態(tài)下場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)主要的失效模式：

（1）短路

（2）開(kāi)路

（3）擊穿

其中前兩種情況為不可修復(fù)性故障后兩種情況為可修復(fù)性故障 開(kāi)路和短路都屬于永久性損壞所以一般我們不會(huì)考慮這兩種情況的維修問(wèn)題。 而場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿屬于一種暫時(shí)性的損壞只要更換新的芯片就可以解決問(wèn)題。

審核編輯 ：李倩