來源:云天半導(dǎo)體
廈門云天半導(dǎo)體繼九月初8&12吋 “晶圓級封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后,經(jīng)過團隊的不懈努力, 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān);
以下為部分工藝條件及成果展示:
膠厚均勻性 3.4%
CD開口均勻性 3%
在Test Vehicle光罩下,測試了長線條&短線條,結(jié)果不論是在正性光阻還是負(fù)性光阻下, 2um的L/S下的線條都是完整而清晰的,而且沒有任何顯影不潔或過顯的外觀異常;
2um 短線條(光刻后)
2um長線條-負(fù)膠(光刻后)
2um長線條-正膠(光刻后)
SEM切片效果圖如下,膠厚:3.308um,CD上開口:2.272um,CD下開口:1.716um,側(cè)壁垂直度約85.2°;
2um孔徑SEM
2um長線條經(jīng)過電鍍及種子層刻蝕后,線寬及線距均在工藝管控范圍內(nèi),未出現(xiàn)線路Peeling及斷短路等外觀異常;
2um長線條-負(fù)膠(電鍍后)
2um長線條-負(fù)膠(PVD刻蝕后)
廈門云天半導(dǎo)體目前量產(chǎn)化最小L/S為10/10um,工程樣品能力最小L/S為7/7um,2/2um的L/S工藝的成功開發(fā)是二期通線后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進一步的開拓驗證,為后續(xù)量產(chǎn)化的導(dǎo)入做足準(zhǔn)備。廈門云天半導(dǎo)體將持續(xù)追求“創(chuàng)新、卓越、合作、奮斗”的精神,不斷挑戰(zhàn)極限、勇攀高峰!
審核編輯黃昊宇
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光刻
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