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      標(biāo)簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

      文章：287個(gè) 視頻：32個(gè) 瀏覽：30645次 帖子：5個(gè)

      光刻技術(shù)

      ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

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      本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...

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      2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 815 0

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      金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

      2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 805 0

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      引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

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      引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...

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      引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)...

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      引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對(duì)比度等優(yōu)勢，在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向，而精確測量光刻圖形是...

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