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美國從EDA下絆子,3nm工藝關鍵技術GAA將與中國無緣?

E4Life ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:周凱揚 ? 2022-08-17 08:57 ? 次閱讀
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美國商務部工業(yè)安全局在近日宣布,將四項新技術納入出口管制,包括兩大寬帶隙半導體材料(氧化鎵和金剛石)、開發(fā)GAAFET結構集成電路的ECAD軟件、以及生產(chǎn)和開發(fā)燃氣渦輪發(fā)動機或系統(tǒng)的壓力增益燃燒技術。我們在上一篇文章中已經(jīng)對這四大技術的出口管制進行了分析,本文我們來詳細講講GAA相關EDA軟件的限制有何影響。

在美國商業(yè)部工業(yè)安全局給出的這份決定文件中,關于GAA EDA的條例將直接被添加到“電子類”商業(yè)控制清單中的軟件出口控制中。我們可以通過對比一下位列其中的其他軟件來有個大致認知,比如用于算力超過5GFLOPS、擁有32位及以上算數(shù)邏輯單元的信息安全微處理器的控制軟件;用于開發(fā)EUV光刻機光掩膜或光罩的計算光刻模型;用于讓微處理器、微電路在EMP或ESD干擾后1ms內完全恢復的軟件。

明眼人都能看出,美國對這類軟件的限制明顯是沖著在先進技術和國防安全來的,而GAAFET恰好就是目前最先進的半導體技術之一。而這類軟件出口管制給出的理由是國家安全和反恐怖主義,鑒于沒有哪個國家位于美國反恐怖主義的清單上,所以就只剩因為國家安全而實施出口管控的國家了,除了北約成員、日韓與新西蘭、澳大利亞得以幸免外,其余國家都被列入了管制范圍內。

EDA出口限制意欲為何

在美國《聯(lián)邦公報》刊登決定文件給出的細則中,對用GAAFET進行IC設計開發(fā)的EDA軟件進行了詳細的說明,美國商務部工業(yè)安全局指出EDA工具不僅僅用于商用IC的設計,同樣在軍用和航天航空用的FPGAASIC設計中起到不可或缺的作用。
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針對四項新技術的出口管制文件 / 聯(lián)邦公報

自從EUV光刻機斷供以來,國內雖然在突破7nm芯片制造上已經(jīng)受阻,但除了華為等被列入實體清單的公司外,仍然有設計7nm以下芯片并完成流片的能力,比如阿里巴巴的倚天710芯片。從國產(chǎn)GPU、AI芯片和服務器芯片的發(fā)展趨勢來看,我們已經(jīng)走到了7nm、5nm的路口,未來要想繼續(xù)保持競爭力,只能沿著這個單行道走下去。
CleanShot 2022-08-15 at 17.45.44@2x
3nm GAA EDA解決方案 / 三星

而GAAFET技術是突破3nm及以下工藝的關鍵技術,對于已經(jīng)開始限制14nm半導體制造設備出口的美國來說,此舉無疑是想從設計和制造兩頭來控制中國半導體產(chǎn)業(yè)的突破。美國其實已經(jīng)在半導體設計上占據(jù)主導地位,但近年來自中國IC設計公司的挑戰(zhàn)不斷增加,所以美國開始實施各種出口管制,加上最近簽署的芯片法案,為的就是奪回半導體生產(chǎn)制造的霸主地位,同時又穩(wěn)固自己在設計上的壟斷性優(yōu)勢。

GAA的重要性與國內外EDA廠商差距

GAA作為FinFET結構的繼任者,采用了柵極全環(huán)繞半導體電子導通通道的方式,提供了良好的柵極控制和極佳的擴展性,有效抑制了短溝道效應,為半導體供應進入埃米時代奠定了基礎。

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Intel 20A RibbonFET結構 / 英特爾

業(yè)界也已經(jīng)達成了共識,GAA技術用于3nm及后續(xù)工藝已經(jīng)成了定局,確定的廠商有三星、臺積電和英特爾。三星率先在3nm上開始使用GAA技術,而且已經(jīng)正式開始生產(chǎn),臺積電將在2nm節(jié)點上跟上這個潮流,英特爾則要等到Intel 20A這個節(jié)點才會使用。雖然其結構叫法可能有所不同,比如納米線、納米片或納米帶等等,但歸根結底都是GAA技術,考慮到目前仍在推進先進工藝的也就這么三家,要想繞過這一技術來設計3nm以下的芯片基本不可能了。

鑒于目前國內半導體產(chǎn)業(yè)的芯片設計流程中,美國EDA廠商的設計工具依然占據(jù)主導地位,尤其是先進工藝的芯片設計,所以這一出口管制帶來的影響才不可忽視。我們以率先使用GAA技術的三星為例,三星在今年六月底正式宣布了運用GAA技術的3nm芯片開始生產(chǎn),三星先進代工廠聯(lián)盟的EDA合作伙伴們也紛紛發(fā)來祝賀,包括Ansys、Cadence、西門子EDA和新思,他們已經(jīng)從仿真、驗證、布局上和三星的GAA技術展開了合作,全面涵蓋了模擬、數(shù)字和混合信號的IC設計。

早在2020年10月,新思就發(fā)布了3nm GAA的AMS(模擬與混合信號)設計參考流程,新思和三星對其進行合作優(yōu)化,可為使用三星3nm GAA工藝技術的工程師在先進的5G、HPC、AI和IoT應用上提供最大化的設計效率,縮短設計周期。該流程包括設計時電遷移分析、實時設計規(guī)則檢查和新思的IC Validator物理驗證方案。

根據(jù)EDA廠商的看法,從FinFET到GAAFET,其實并不如從平面結構到FinFET那樣翻天覆地的變化,但每個流程節(jié)點都需要進行大量的“方法調整”??扇缃馟AA相關的出口管制砸下后,國內IC設計公司要想用上GAA工藝節(jié)點下的全流程EDA軟件工具也就難了,而國內EDA廠商目前最多只完成了數(shù)字或模擬一個方向的全流程電路設計,至于工藝上的進展我們可以從招股書中看出。

從華大九天的招股書來看,也只有電路仿真工具支持到了5nm,其他的模擬電路EDA設計工具還在28nm的水平。從國微思爾芯的招股書來看,其承接的國家級專項研究項目中,目標是開發(fā)一套數(shù)字芯片全流程EDA系統(tǒng),包括布局布線、時序分析、物理驗證、邏輯綜合等工具,且支持16nm工藝,并對10nm工藝有一定支持,根據(jù)招股書中說明的實際執(zhí)行情況來看,主要研究目標已經(jīng)完成,正在后續(xù)驗收工作階段。

概倫電子在其招股書中表示其制造類與設計類EDA工具,均能支持到3nm的先進工藝節(jié)點和FinFET、FD-SOI半導體工藝,從其技術水平與特點一欄來看,這里指的主要是器件建模與驗證和電路仿真及驗證EDA工具。廣立微的招股書中也提到,其EDA解決方案已經(jīng)成功應用于180nm到3nm的工藝技術節(jié)點,也已經(jīng)進入三星電子的供應體系。

由此來看,國內EDA廠商在GAA技術上的積累還是有所缺失的,這也是因為對于三星和臺積電這類先進晶圓廠來說,他們在開發(fā)GAA工藝節(jié)點的過程中就與新思、Cadence、西門子EDA這三大EDA廠商緊密合作了,而國內EDA廠商往往只能在工藝節(jié)點開發(fā)完成后才能拿到數(shù)據(jù),然后才能開始PDK相關的合作與開發(fā)。所以國內在這方面的落后,大部分要歸結于沒有長時間的經(jīng)驗與合作積累。

管制的后續(xù)影響

GAA相關EDA的出口管制其實和此前對華為、中芯國際的限制在性質上并不一樣,這次針對的不再是特定的公司,而是直接從產(chǎn)業(yè)鏈上出發(fā),對國家進行限制。這對于EDA廠商、晶圓廠未來的營收都是一次沉重的打擊,以新思為例,今年第二季度來自中國的營收占比約16.8%,但仍處于一個上漲的趨勢。

顯而易見的是,這一連串的出口管制確實對中國3nm及之后的芯片設計造成了一定影響,但并沒有封堵所有的可能性。對于GAAFET結構的芯片制造來說,EDA工具只是其中一環(huán),美國并沒有對三星或臺積電的GAA PDK做出限制,像華大九天、概倫電子、廣立微和鴻芯微納等廠商又是三星和臺積電的EDA合作伙伴。

這樣一來,國內EDA廠商若是也開始布局GAAFET的話,依然不會受此限制。而現(xiàn)有的美國EDA廠商在GAA節(jié)點之外的軟件工具,也可以繼續(xù)用下去,當然,如果能拿到美國商業(yè)部的許可的話,還是可以繼續(xù)供應GAA相關EDA工具的,但這種可能性幾近微乎其微了。

此外,這一規(guī)定中也提到,EDA軟件常常以模塊和功能授權的形式來提供,像GAA這樣的特定技術也必須得通過“專門設計”來實現(xiàn)。這也是另外三項出口管制即刻生效,而針對EDA的出口管制還要到10月份才會實施的原因,在此之前美國商務部將征求公眾和行業(yè)意見,確定有哪些特定的軟件特性或功能可以用于設計GAAFET架構的芯片,計劃探討出一個合理的出口管控方式,所以具體如何實施尚未確定下來,但管制是逃不掉了。

這就和EUV光刻機和華為5G芯片的處境一樣,固然國內依然可以購置ASML的DUV光刻機,但與EUV光刻機徹底無緣了,而華為也只是可以用上高通4G移動芯片而已。美國政府并不打算斬斷本國公司在中國的所有盈利來源,但同時也決心隔絕中國有任何在先進半導體技術上做出突破的契機。

國產(chǎn)EDA的下一個目標

其實大家對于GAA相關EDA的出口管制也不必太悲觀,首先模擬電路這塊的迭代速度相對較慢,還沒有那么快用上GAA技術,所以這項舉措影響的主要還是2024年之后的數(shù)字電路設計。

而國內的數(shù)字EDA廠商也已經(jīng)開始行動,支持7nm/5nm的邏輯綜合、仿真驗證技術均已經(jīng)在研發(fā)階段,再下一步肯定就是3nm之后的節(jié)點了。美國實施的出口管制目前看來還是在“戰(zhàn)未來”,但無疑也為國內EDA廠商定下了一個不小的目標。

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