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NP8P016MR 16V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-06 14:49 ? 次閱讀
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描述

NP8P016MR采用先進(jìn)壕溝

技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵

充電和工作的柵極電壓低至1.8V。

本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中壓開(kāi)關(guān)

脈寬調(diào)制的應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -16v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 15米Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 19 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開(kāi)關(guān)

?SOT-23-3L

poYBAGLFL9iAHrLBAABeyOoIh7Q143.png

訂購(gòu)信息

pYYBAGLFL_OAKUBMAAA4Fi25Lng869.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLFMA-ANRQVAACaq1B-R70265.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLFMDiAWRjNAAHTiXY8gpY003.png

熱特性

poYBAGLFMFWAaLpyAABZ5kXHAe8162.png

A.將設(shè)備安裝在1in2上測(cè)量RθJA的值

FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

TA = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值,脈寬受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責(zé)

審核編輯 黃昊宇

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