描述
NP8P016MR采用先進(jìn)壕溝
技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵
充電和工作的柵極電壓低至1.8V。
本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中壓開(kāi)關(guān)
脈寬調(diào)制的應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -16v, id = -8a
RDS(上)(Typ) = 15米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 19 mΩ@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?SOT-23-3L
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)
電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)
熱特性
A.將設(shè)備安裝在1in2上測(cè)量RθJA的值
FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與
TA = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。
B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。
C.重復(fù)額定值,脈寬受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責(zé)
審核編輯 黃昊宇
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單片機(jī)
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MOSFET
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