臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

臺(tái)積電2nm芯片于3nm相比，性能提升速度快 10-15%，功耗降低25%-30%，密度增加了1.1倍以上，2nm工藝采用新納米片晶體管結(jié)構(gòu)，而不是鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，GAAFET技術(shù)可減少漏電損耗，降低功耗。

臺(tái)積電或?qū)⒔ǔ?座12英寸晶圓廠，用于制造2nm芯片，該新工藝未來將廣泛應(yīng)用于各種移動(dòng)SoC、高性能CPU和GPU等領(lǐng)域。

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