臺(tái)積電2nm芯片用什么技術(shù) 2nm芯片功耗
在本月，晶圓代工巨頭臺(tái)積電在北美召開了2022年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)，介紹了關(guān)于未來先進(jìn)制程的信息，同時(shí)公布N3工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
同時(shí)在研討會(huì)上臺(tái)積電首度推出N2制造工藝技術(shù)，也即2nm。全新2nm工藝制程將采用納米片電晶體，取代之前FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），成為臺(tái)積電首個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 （GAAFET） 的節(jié)點(diǎn)。
新制造工藝將提供全面的性能和功率優(yōu)勢(shì)，在相同功耗下，N2比N3速度提升10%-15%，相同速度下，功耗則下降25%-30%，同時(shí)，與N3E節(jié)點(diǎn)相比，N2芯片密度提高1.1倍以上。N2不僅有面向移動(dòng)處理器的標(biāo)準(zhǔn)工藝，還會(huì)有針對(duì)高性能計(jì)算和芯粒（Chiplet）的整合方案。
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審核編輯：郭婷
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發(fā)表于 03-14 00:14
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