2 納米成為半導(dǎo)體先進(jìn)制程的決戰(zhàn)點(diǎn)，臺(tái)積電、三星、英特爾相繼喊出量產(chǎn)時(shí)程，也持續(xù)往再下世代的埃米 （angstorm） 時(shí)代布局，High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 則為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵，臺(tái)積電除先前傳出取得 High-NA 研發(fā)型 EUV 曝光機(jī)外，也首度談及引進(jìn)量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)時(shí)程，持續(xù)掌握埃米時(shí)代話語權(quán)。

目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光設(shè)備，生產(chǎn)芯片精度最多 2 納米，一旦進(jìn)入 2 納米以下的埃米時(shí)代，就得以更高精準(zhǔn)度曝光設(shè)備生產(chǎn)，透過最先進(jìn)的 High-NA EUV 微影設(shè)備，才能推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)下個(gè)重大創(chuàng)新，成為先進(jìn)制程決勝關(guān)鍵。

英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購買業(yè)界首臺(tái) High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備 EXE:5200，其為首款具備 High-NA 的 EUV 大量生產(chǎn)系統(tǒng)，每小時(shí)晶圓曝光產(chǎn)能超過 200 片，英特爾并宣布將于 2025 年開始以 High-NA EUV 進(jìn)行生產(chǎn)。

由于英特爾為當(dāng)時(shí)首家宣布取得 High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備的半導(dǎo)體廠，格外引發(fā)市場關(guān)注，甚至有研調(diào)機(jī)構(gòu)分析師認(rèn)為，若英特爾可搶先采用該設(shè)備，在摩爾定律競賽中，有機(jī)會(huì)超車臺(tái)積電。

不過，臺(tái)積電在日前的北美技術(shù)論壇上，首度談及引進(jìn)相關(guān)設(shè)備時(shí)程，宣布將于 2024 年引入 EXE:5200，以滿足客戶需求并推動(dòng)創(chuàng)新，但并未透露該設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，僅表示 2024 年還不準(zhǔn)備用新的 High-NA EUV 設(shè)備生產(chǎn)，主要用于與合作伙伴的研究。

然而，在英特爾下訂業(yè)界首臺(tái) High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備 EXE:5200 前，業(yè)界就傳出臺(tái)積電早已向 ASML 采購 High-NA 研發(fā)型 EUV 曝光機(jī) EXE： 5000，除搶下大部分機(jī)臺(tái)外，相關(guān)設(shè)備今年就能開始供貨，且每小時(shí)生產(chǎn)的晶圓片數(shù)為 182 片，與量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)差異不大。

也因此，業(yè)界認(rèn)為，即便英特爾率先取得量產(chǎn)型機(jī)臺(tái) EXE：5200，但對(duì)產(chǎn)能幫助可能有限，要在埃米時(shí)代拿下市場霸主地位，恐怕還是充滿挑戰(zhàn)。