99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AXCELIS宣布向日廠商發(fā)運(yùn)功率注入機(jī)

21克888 ? 來(lái)源:廠商供稿 ? 作者:Axcelis ? 2022-04-01 11:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

馬薩諸塞州比佛利2022年3月31日 /美通社/ -- 半導(dǎo)體行業(yè)離子注入支持解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Axcelis Technologies, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:ACLS)今天宣布,公司向日本領(lǐng)先的功率設(shè)備芯片制造商發(fā)運(yùn)其Purion XE?高能和Purion M?中等電流Power Series?注入機(jī)。這些系統(tǒng)將用于大批量生產(chǎn)基于300mm薄硅晶圓的MOSFETIGBT設(shè)備,以用于汽車(chē)和其他功率管理應(yīng)用。

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)執(zhí)行副總裁Bill Bintz表示:“Purion Power系列的獨(dú)特功能,結(jié)合功率設(shè)備領(lǐng)域的密集注入特性,將賦予Axcelis獨(dú)特的條件來(lái)從這一市場(chǎng)的增長(zhǎng)中受益。這些工具集成了多項(xiàng)功能和工藝控制能力,包括該平臺(tái)為功率設(shè)備市場(chǎng)提供支持的薄晶圓處理能力。我們期待擴(kuò)大Purion平臺(tái)在日本的業(yè)務(wù)范圍,并支持我們客戶實(shí)現(xiàn)提高制造能力的目標(biāo)?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    688

    瀏覽量

    29731
  • 半導(dǎo)體行業(yè)

    關(guān)注

    10

    文章

    403

    瀏覽量

    41133
  • 汽車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    3858

    瀏覽量

    39554
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?326次閱讀

    部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估: 一、失效報(bào)告作假的根本原因 技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?277次閱讀
    部分外資<b class='flag-5'>廠商</b>IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)<b class='flag-5'>功率</b>模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

    為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enhancement Effect,IE),既可
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:15 ?662次閱讀
    <b class='flag-5'>注入</b>增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

    向電源行業(yè)的功率器件專(zhuān)家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

    中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專(zhuān)家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國(guó)外廠商在IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:21 ?228次閱讀
    向電源行業(yè)的<b class='flag-5'>功率</b>器件專(zhuān)家致敬:拆穿海外IGBT模塊<b class='flag-5'>廠商</b>失效報(bào)告造假!

    2025慕展:功率半導(dǎo)體廠商和產(chǎn)品的一些觀察

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2025慕尼黑上海電子展上周落幕,在今年的電子展上,功率半導(dǎo)體廠商匯聚N4館,碳化硅和氮化鎵依然是當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)中最受關(guān)注的方向。與此同時(shí),在應(yīng)用方案上,本次展會(huì)
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:08 ?1127次閱讀
    2025慕展:<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>廠商</b>和產(chǎn)品的一些觀察

    芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題

    本文簡(jiǎn)單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問(wèn)題和磷離子注入退火問(wèn)題。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 10:54 ?595次閱讀
    芯片離子<b class='flag-5'>注入</b>后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題

    BLDC基于脈沖注入法的無(wú)刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)子位置

    本文提出了一種采用脈沖注入來(lái)檢測(cè)無(wú)刷直流電機(jī)在靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)轉(zhuǎn)子位置的方法。基 于方法依次向定子繞組注入一系列的脈沖,通過(guò)脈沖電流的變化對(duì)轉(zhuǎn)子位置進(jìn)行估算。實(shí)驗(yàn) 結(jié)果表明:該方法不但具有較高的位置檢測(cè)準(zhǔn)確性,同時(shí)對(duì)電機(jī)的參數(shù)依賴性低,可以省去 電機(jī)內(nèi)部的檢測(cè)元件,又可以應(yīng)用到
    發(fā)表于 03-14 16:24

    智己全新LS6海外版IM6發(fā)運(yùn)泰國(guó)

    近日,“超級(jí)爆品”全新智己LS6的海外版本——IM6從上海港正式發(fā)運(yùn),啟程前往泰國(guó)。作為智己汽車(chē)2025年出海的首站,泰國(guó)市場(chǎng)將成為其國(guó)際化布局的起點(diǎn)。計(jì)劃于3月中下旬在泰國(guó)正式上市,并將在3月24日泰國(guó)車(chē)展上開(kāi)啟銷(xiāo)售。
    的頭像 發(fā)表于 02-24 17:16 ?477次閱讀

    廣汽埃安首款全球車(chē)型印尼基地KD零件發(fā)運(yùn)

    近日,廣汽埃安在化龍出口集散中心舉行了印尼基地KD零件首批發(fā)運(yùn)儀式。這不僅是對(duì)廣汽埃安國(guó)際化戰(zhàn)略的有力踐行,也是廣汽番禺行動(dòng)一次重要展示。此次發(fā)運(yùn)的第二代V車(chē)型KD零件是首款全球車(chē)型戰(zhàn)略出海的重要
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:21 ?544次閱讀

    離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

    本文簡(jiǎn)單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過(guò)程中,離子的分布狀況對(duì)器件性能起著決定性作用,而這一分布又與離子注入工藝的主要參數(shù)緊密相連。 離子注入
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:52 ?1457次閱讀
    離子<b class='flag-5'>注入</b>工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

    離子注入的目的及退火過(guò)程

    離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中,以改變其電學(xué)性質(zhì)的過(guò)程。而退火是一個(gè)熱處理過(guò)程,通過(guò)加熱晶圓來(lái)修復(fù)注入
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:22 ?1381次閱讀

    對(duì)于低能注入(BR 2K),四點(diǎn)探針測(cè)量RS,為什么新針比老針的RS低?而高能注入RS不存在該情況呢

    對(duì)于低能注入(BR 2K),四點(diǎn)探針測(cè)量RS,為什么新針比老針的RS低?而高能注入RS不存在該情況呢
    發(fā)表于 12-20 23:05

    SiC的離子注入工藝及其注意事項(xiàng)

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?1100次閱讀

    功率放大器在驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED上的應(yīng)用

    實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED上的應(yīng)用研究方向:半導(dǎo)體器件,光電子器件,micro-LED實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:1、制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件;2
    的頭像 發(fā)表于 08-28 14:57 ?1288次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>放大器在驅(qū)動(dòng)非載流子<b class='flag-5'>注入</b>micro-LED上的應(yīng)用

    微軟宣布將逐步淘汰Azure數(shù)據(jù)資源管理器的虛擬網(wǎng)絡(luò)注入功能

    微軟于7月23日正式發(fā)布了一則重要公告,宣布了其將廢棄Azure數(shù)據(jù)資源管理器的虛擬網(wǎng)絡(luò)注入(VNET Injection)功能的計(jì)劃。這一變動(dòng)旨在解決當(dāng)前功能所存在的一系列限制與挑戰(zhàn),并推動(dòng)用戶向更加高效、靈活的網(wǎng)絡(luò)安全架構(gòu)遷移。
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:25 ?686次閱讀