半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計公司與硅晶圓制造公司，IC設(shè)公司計依客戶的需求設(shè)計出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計公司設(shè)計好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠實施封裝與測試！

芯片制作的過程大體包括沙子原料的提純、拉晶（硅錠）、切片（晶圓）、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

芯片制造的10大步驟

沉積

制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。

光刻膠涂覆

進行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機。

曝光

在掩模版上制作需要印刷的圖案藍圖。晶圓放入光刻機后，光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。

計算光刻

光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進行調(diào)整，確保最終光刻圖案的準確。ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測試數(shù)據(jù)整合，制作算法模型，精確調(diào)整圖案。

烘烤與顯影

晶圓離開光刻機后，要進行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。

刻蝕

顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。

計量和檢驗

芯片生產(chǎn)過程中，始終對晶圓進行計量和檢驗，確保沒有誤差。檢測結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。

離子注入

在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負離子轟擊晶圓，對部分圖案的半導(dǎo)體特性進行調(diào)整。

視需要重復(fù)制程步驟

從薄膜沉積到去除光刻膠，整個流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達100次。

封裝芯片

最后一步，切割晶圓，獲得單個芯片，封裝在保護殼中。這樣，成品芯片就可以用來生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了！

ASML，個人圖書館綜合整理

審核編輯 ：李倩