季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位
季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位，主要應(yīng)用在MOS，SiC，IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析，IV Curve掃描電壓范圍在±3000V，通過IV Curve好壞品對(duì)比，我們可協(xié)助判斷壞品是否有異常，一般的失效模式為：Short，Open，Leakage，High resistance，找到異常的條件后再進(jìn)行下一步的熱點(diǎn)定位分析。
熱點(diǎn)定位機(jī)臺(tái)有InGaAs，OBIRCH，Thermal三種，均可通過IC正面或背面進(jìn)行定位，找出缺陷位置，目前InGaAs&OBIRCH最高電壓可達(dá)到3000V，而Thermal可進(jìn)行非破壞定位，協(xié)助判斷是封裝異常還是IC異常。
熱點(diǎn)定位機(jī)臺(tái)主要應(yīng)用為：
高壓定位原理：
（a） IC frondside 影像+OBIRCH ；（b） OBIRCH signal
（a） IC frondside 影像+InGaAs ；（b） InGaAs emission
編輯：jq
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原文標(biāo)題：季豐電子新增3000V高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位
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