Vishay Draloric RCC1206 e3
器件通過 AEC-Q200 認證節(jié)省電路板空間同時減少元件數(shù)量,降低加工成本。
Vishay 推出增強型 Vishay Draloric RCC1206 e3 厚膜片式電阻,外形尺寸為 1206,額定功率 0.5 W。
RCC1206 e3 的功率是這種標準尺寸厚膜片式電阻的兩倍,可用來替代兩個 1206 并聯(lián)電阻,或占位面積更大的 1210 外形尺寸單個器件。因此,設計師可節(jié)省汽車、工業(yè)、通信和醫(yī)療應用的電路板空間,同時減少元件數(shù)量,降低加工成本。
RCC1206 e3 通過 AEC-Q200 認證,阻值范圍 1 Ω 至 1 MΩ—0 Ω 跳線—精度分別為 ±1 % 和 ±5 %,電阻溫度系數(shù)(TCR)為 ± 100 ppm/K 和 ± 200 ppm/K。電阻工作電壓為 200 V,工作溫度范圍 -55 ?C 至 +155 ?C。
器件符合 RoHS 標準,無鹵素,適合在自動貼片機上采用符合 IEC 61760-1 的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。
責任編輯:haq
-
電阻
+關注
關注
87文章
5618瀏覽量
174727 -
Vishay
+關注
關注
20文章
889瀏覽量
117267
原文標題:Vishay 推出 1206 外形尺寸增強型厚膜片式電阻,額定功率為 0.5 W
文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
西門子推出用于EDA設計流程的AI增強型工具集
增強型和耗盡型MOS管的應用特性和選型方案

使用TMS320C6000增強型DMA的應用

N溝道增強型MOSFET的優(yōu)缺點
CoolGaN和增強型GaN區(qū)別是什么
增強型HotRod QFN封裝:實現(xiàn)低EMI性能

N溝道增強型MOSFET的優(yōu)缺點是什么
Vishay推出CHA系列全新薄膜片式電阻器
Vishay推出AEC-Q200認證薄膜片式電阻器,提供高達70 GHz的穩(wěn)定高頻性能

評論