本文我們將為大家?guī)淼氖撬碱＿_(dá)主推的CR6889B替換XX8267對比測試報(bào)告。先讓我們對思睿達(dá)CR6889B有個大概的了解吧！

CR6889B 芯片特性：

● SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動，減小MOSFET 的應(yīng)力，斜坡補(bǔ)償電路；

● 65kHz 開關(guān)頻率，具有頻率抖動功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復(fù)等保護(hù)功能；

● 電路結(jié)構(gòu)簡單、較少的外圍元器件，適用于小功率AC / DC 電源適配器、充電器。

CR6889B 替換XX8267 建議修調(diào)以下元件：

1、SENSE 電阻值0.57 歐調(diào)整為0.6 歐左右,使其與原樣機(jī)OCP點(diǎn)保持基本一致；（僅供參考）

2、RCD 吸收電容C1 取值由102 調(diào)整為222，降低VDS 峰值減小MOS 管上面應(yīng)力；

一、電性對比如下：

此電源基本特性為12V3A 對比評估相關(guān)數(shù)據(jù)如下：

注：

1、以上效率為板端測試

2、測試儀器為：

示波器：泰克MDO3014

功率計(jì)：WT210

負(fù)載機(jī)：IT8511A

萬用表：FLUKE 15B

二、關(guān)鍵波形對比如下：

XX8267 264V 啟動時VDS 波形肖特基波形

CR6889B 264V 啟動時VDS 波形肖特基波形

從測試波形上可以了解到在整機(jī)開啟和發(fā)生保護(hù)的時候MOS 管以及次級肖特基上所受應(yīng)力基本一致，不過在極端條件下時VDS 峰值為680V 左右（比如VAC264 輸入時重載啟動，存有VDS超過MOS管規(guī)格650V 額定值的隱患），所以可以適當(dāng)調(diào)整RCD 減小此峰值，調(diào)整RCD 電容后的啟動波形如下，減小VDS峰值約30V，此時峰值為650V 左右：

結(jié)論：

CR6889B與XX8267對比測試電性基本一致（四點(diǎn)平均效率略高0.1~0.3%左右；（各數(shù)據(jù)僅供參考）

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