ST意法半導體推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件內(nèi)部集成了兩顆GaN開關(guān)管及驅(qū)動器，組成半橋器件，是一款先進的系統(tǒng)級功率封裝，可輸入邏輯電壓信號輕松控制器件。ST的MasterGaN系列均為半橋器件，內(nèi)置650V耐壓的增強型氮化鎵開關(guān)管，支持零下40到125攝氏度工作溫度范圍，三款器件僅內(nèi)置開關(guān)管參數(shù)不同。

一、MasterGaN1

ST MasterGaN1的評估板，連接為半橋輸出，左側(cè)為驅(qū)動信號輸入，右側(cè)為半橋輸出，左側(cè)下方是一顆穩(wěn)壓器，為MasterGaN1提供穩(wěn)壓供電。

通過評估板圖片可以看出，MasterGaN1器件將控制信號和功率走線分開，便于走線布局設(shè)計。

ST MasterGaN1 特寫。

MASTERGAN1內(nèi)部集成半橋驅(qū)動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關(guān)管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內(nèi)，對稱半橋，工作電流10A，低側(cè)和高側(cè)均具有欠壓關(guān)閉保護。驅(qū)動器內(nèi)置自舉二極管，內(nèi)置互鎖功能，且具有準確的內(nèi)部定時匹配。具有獨立的關(guān)斷引腳，具有滯回和下拉的3.3-15V輸入信號，外圍元器件精簡，具有非常緊湊和簡便的布局，可實現(xiàn)靈活快捷的設(shè)計。

二、MasterGaN2

MASTERGAN2為非對稱設(shè)計的半橋結(jié)構(gòu)，上管為225mΩ，下管為150mΩ，其余功能與MASTERGAN1一致，可用于ACF拓撲。

ST MasterGaN2 特寫。

ST MasterGaN2內(nèi)部集成225mΩ上管和150mΩ下管。

三、MasterGaN4

MasterGaN4為對稱半橋結(jié)構(gòu)，內(nèi)置兩顆225mΩ導阻的高壓GaN開關(guān)管。

ST MasterGaN4 特寫。

ST MasterGaN4內(nèi)部集成225mΩ上管和225mΩ下管。

小編制表方便大家看出不同型號之間的區(qū)別。

此外，還有基于MasterGaN1的250W輸出功率LLC諧振電源EVLMG1-250WLLC。

這款電源采用400V直流輸入，輸出電壓24V，尺寸為100*60mm，開關(guān)管和同步整流均焊接在小板上，提高空間利用率，便于散熱。

電源背面高壓側(cè)有一顆控制器。

采用L6599A LLC控制器控制一個MasterGaN1進行LLC諧振運行。

焊接MasterGaN1的小板，沒有任何輔助散熱措施，僅靠PCB散熱?；谄骷?nèi)置的兩顆150mΩ氮化鎵開關(guān)管，就可通過LLC諧振輸出250W高功率。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

ST推出的MasterGaN系列產(chǎn)品，對于半橋架構(gòu)的開關(guān)電源來說，是一顆非常適合的芯片。MasterGaN其9*9mm的封裝看起來比較大，但是比起兩顆8*8的GaN開關(guān)管加上獨立的驅(qū)動器，占板面積大大縮小。同時合封器件也大大減小了寄生效應(yīng)對效率的影響，提高電源產(chǎn)品的效率和可靠性。

MasterGaN優(yōu)化的散熱焊盤與走線布局，大大簡化了PCB設(shè)計，適宜應(yīng)用在高功率密度的大功率電源中，增加可靠性，減小體積，降低散熱需求。

原文標題：ST意法半導體推出三款半橋氮化鎵單芯片

文章出處：【微信公眾號：意法半導體IPG】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責任編輯：haq