為了推動(dòng)氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升,意法半導(dǎo)體近日推出了EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),是一款諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì),旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。
MasterGaN-SiP是意法半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作,它將GaN功率晶體管與經(jīng)過(guò)優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電源的性能和可靠性,還通過(guò)高度集成的方式,極大地加快了設(shè)計(jì)速度,并有效節(jié)省了PCB電路板空間。
與傳統(tǒng)的采用多個(gè)分立元件的解決方案相比,MasterGaN-SiP具有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。它不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,降低了開(kāi)發(fā)難度,還通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度,進(jìn)一步提升了電源的能效和功率密度。
意法半導(dǎo)體的EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì),憑借其出色的性能和緊湊的設(shè)計(jì),將為工業(yè)電源領(lǐng)域帶來(lái)一場(chǎng)革命性的變革。
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