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臺積電3nm工藝制程超過預期,進度將會提前

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2021-02-19 11:58 ? 次閱讀
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在ISSCC 2021國際固態(tài)電路會議上,臺積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進展情況,指出3nm工藝超過預期,進度將會提前。

不過劉德音沒有公布3nm工藝到底如何超前的,按照他們公布的信息,3nm工藝是今年下半年試產,2022年正式量產。

三星在3nm節(jié)點激進選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同,臺積電的第一代3nm工藝比較保守,依然使用FinFET晶體管。

與5nm工藝相比,臺積電3nm工藝的晶體管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

不論是5nm還是3nm工藝,甚至未來的2nm工藝,臺積電表示EUV光刻機的重要性越來越高,但是產能依然是EUV光刻的難題,而且能耗也很高。

劉德音提到,臺積電已經EUV光源技術獲得突破,功率可達350W,不僅能支持5nm工藝,甚至未來可以用于1nm工藝。

按照臺積電提出的路線圖,他們認為半導體工藝也會繼續(xù)遵守摩爾定律,2年升級一代新工藝,而10年則會有一次大的技術升級。
責編AJX

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