三星首發(fā)面向AI的HBM-PIM內(nèi)存計(jì)算技術(shù)
電子計(jì)算機(jī)多年來(lái)都是走諾伊曼架構(gòu)體系，今天三星宣布了一項(xiàng)新的突破，面向AI人工智能市場(chǎng)首次推出了HBM-PIM技術(shù)，走的是非諾伊曼架構(gòu)。
HBM內(nèi)存技術(shù)并不新鮮了，最新的標(biāo)準(zhǔn)是HBM2，三星早在2018年就推出了HBM2內(nèi)存，而這次的HBM-PIM則是在HBM芯片上集成了AI處理器的功能，是全球首個(gè)HBM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)。
PIM存內(nèi)計(jì)算是近年來(lái)的熱門領(lǐng)域，與傳統(tǒng)諾伊曼體系面臨著越來(lái)越嚴(yán)重的存儲(chǔ)貸款瓶頸不同，PIM直接在存儲(chǔ)芯片上集成了計(jì)算功能，而不是CPU、內(nèi)存數(shù)據(jù)分離，這樣就能極大地提高帶寬，在AI人工智能領(lǐng)域這個(gè)更重要。
得益于這一突破，三星首發(fā)的HBM-PIM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了2倍的性能，同時(shí)功耗還降低了70%，還能兼容目前的HBM接口，便于客戶通過(guò)HBM-PIM來(lái)構(gòu)建自己的AI加速器。
三星計(jì)劃今年上半年推出HBM-PIN芯片完成客戶驗(yàn)證工作，何時(shí)量產(chǎn)、商用還沒(méi)信息。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182353 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3125瀏覽量
75270 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
88文章
35164瀏覽量
279936
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國(guó)內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
三星與SK海力士攜手推進(jìn)LPDDR6-PIM產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化
據(jù)外媒最新報(bào)道，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟，共同致力于推動(dòng)LPDDR6的存內(nèi)計(jì)算（Processing In Memory，簡(jiǎn)稱PIM）產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。此舉旨在加速人工智能
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融
三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星
三星或?qū)?b class='flag-5'>HBM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬(wàn)顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過(guò)10%，從原先計(jì)劃的每月20萬(wàn)顆減至17萬(wàn)顆。這一變動(dòng)主要?dú)w因于向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)遭遇延遲，導(dǎo)致
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星
三星預(yù)測(cè)HBM需求至2025年翻倍增長(zhǎng)
三星電子近期發(fā)布預(yù)測(cè)，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速AI GPU市場(chǎng)布局
近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開(kāi)啟出貨流程。具體而言，三星的
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)
進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，
三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績(jī)飆升
在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中，三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長(zhǎng)超過(guò)50
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論