深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關鍵因素。以下是對三星電容耐壓與容量的詳細分析,以及如何根據電路需求進行選擇的方法: 一、
發(fā)表于 03-03 15:12
?479次閱讀
據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
發(fā)表于 02-13 16:42
?719次閱讀
據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,
發(fā)表于 01-23 15:05
?580次閱讀
據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部
發(fā)表于 01-23 10:04
?972次閱讀
據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
發(fā)表于 01-22 15:54
?587次閱讀
(High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
?634次閱讀
近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
發(fā)表于 01-22 14:04
?858次閱讀
三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產能
發(fā)表于 11-14 16:44
?862次閱讀
據報道,三星電子半導體部門正面臨巨大的財務壓力,第三季度代工業(yè)務虧損預計高達1萬億韓元(約合7.24億美元)。為了降低成本,三星已決定暫時關閉部分晶圓代工產線。
發(fā)表于 11-13 14:36
?717次閱讀
11月8日,據最新報道,三星電子今年對其智能手機產品線中的OLED面板需求預計將達到驚人的1.632億塊。然而,一個挑戰(zhàn)也隨之而來:三星顯示當前的產能僅能
發(fā)表于 11-08 17:06
?1496次閱讀
三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn),特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題,該公司在高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據業(yè)內人士透露,為了提升在HBM領域的競爭力,三星可能會著手重新設計部分1a
發(fā)表于 10-22 14:37
?863次閱讀
據業(yè)內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動主要歸因于向主要客戶的量產供應
發(fā)表于 10-14 16:00
?837次閱讀
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位,推動年度總
發(fā)表于 08-29 16:43
?1296次閱讀
評論