在高精度工藝時(shí)代，高端EUV***的數(shù)量在很大程度上決定著專業(yè)晶圓代工廠的產(chǎn)能。因此，臺(tái)積電、三星等巨頭都不惜成本地斥巨資，搶購(gòu)年產(chǎn)量有限的高端***。

12月29日，中國(guó)芯片巨頭臺(tái)積電傳來(lái)新消息，為了新制程做準(zhǔn)備，正在籌集更多的資金，向荷蘭***巨頭ASML購(gòu)買更多更先進(jìn)制程的EUV***。

大量采購(gòu)EUV***之前，臺(tái)積電就陸續(xù)透露出有關(guān)5nm以下先進(jìn)工藝的研發(fā)進(jìn)度。

據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)透露，臺(tái)積電已經(jīng)研發(fā)出全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體架構(gòu)（MBCFET），該架構(gòu)會(huì)被應(yīng)用于臺(tái)積電2nm工藝。

如果在現(xiàn)有傳統(tǒng)鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）架構(gòu)的基礎(chǔ)上，繼續(xù)提升工藝精度的話，會(huì)因?yàn)橹瞥痰奈⒖s產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。

因此，臺(tái)積電研發(fā)出多橋通道場(chǎng)效電晶體架構(gòu)，能夠更好地增強(qiáng)柵極對(duì)溝道的控制能力，有效減少漏電情況。

值得一提的是，臺(tái)積電還表示，摩爾定律仍將適用于1nm，且該公司已經(jīng)對(duì)1nm工藝展開(kāi)研究。此外，目前臺(tái)積電正在為2nm之后的先進(jìn)制程持續(xù)覓地。

不過(guò)，雖然臺(tái)積電利用新材料解決了芯片工藝的摩爾定律延續(xù)問(wèn)題，但目前能夠量產(chǎn)的EUV***，卻無(wú)法與臺(tái)積電的3nm及以下工藝做到精度匹配。

因此，臺(tái)積電對(duì)ASML的EUV***也提出更高的要求。

既然臺(tái)積電都做到了延續(xù)摩爾定律，作為壟斷全球的ASML，自然也能夠進(jìn)一步提升高端***的精度。

據(jù)了解，ASML已經(jīng)聯(lián)手IMEC公司展開(kāi)了對(duì)下一代高分辨率EUV***技術(shù)——高NA EUV***技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。

IMEC透露，ASML方面已經(jīng)完成了NXE：5000系列高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)2022年左右就能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化。

資料顯示，這類高NA EUV***，對(duì)于2nm及一下超精細(xì)工藝的研發(fā)相當(dāng)重要。這顯然是臺(tái)積電、三星的剛需設(shè)備。

雖然該設(shè)備的商業(yè)化時(shí)間距離現(xiàn)在為時(shí)尚早，但考慮到此類高端設(shè)備量產(chǎn)初期，年產(chǎn)量可能極為有限、且三星也在旁虎視眈眈的情況，臺(tái)積電不得不提前訂購(gòu)。

可見(jiàn)，臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始備戰(zhàn)1nm技術(shù)，但臺(tái)積電對(duì)手三星，卻還需要為應(yīng)用全新GAA技術(shù)的3nm能否順利量產(chǎn)而擔(dān)憂。
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