近年來(lái)臺(tái)積電在先進(jìn)制程工藝的路上可謂是一騎絕塵，擊敗了眾多代工廠，身價(jià)也是水漲船高。

今年一季度臺(tái)積電就已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)5nm工藝，3nm也正在快馬加鞭地研發(fā)之中。臺(tái)積電表示，將會(huì)在2021年開(kāi)始量產(chǎn)3nm，并最終在2022年下半年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

而在更進(jìn)一步的2nm，有消息稱臺(tái)積電在去年就已組建了研發(fā)團(tuán)隊(duì)，確定了2nm工藝的研發(fā)路線，預(yù)計(jì)臺(tái)積電的2nm工藝可能會(huì)在在2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

此前也有消息人士表示，臺(tái)積電目前對(duì)2nm工藝在2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)、2024年大規(guī)模投產(chǎn)非常樂(lè)觀，風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的良品率預(yù)計(jì)不會(huì)低于90%，但目前還不清楚疫情是否會(huì)對(duì)他們的計(jì)劃造成影響。

不過(guò)根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

在技術(shù)工藝上，臺(tái)積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。該技術(shù)能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。

不過(guò)作為對(duì)手，三星并沒(méi)有坐以待斃，事實(shí)上，從2019年開(kāi)始，三星就已經(jīng)啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬(wàn)億韓元，約合1160億美元，讓自己發(fā)展成為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。

而根據(jù)最新消息，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(mén)的高管日前透露說(shuō)，三星計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺(tái)積電的計(jì)劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這樣一來(lái)，三星和臺(tái)積電的先進(jìn)制程就又站到了同一起跑線上。

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