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一文分析中國IC事業(yè)的發(fā)展

h1654155282.3538 ? 來源:唐衛(wèi)清 ? 作者:唐衛(wèi)清 ? 2020-11-06 18:04 ? 次閱讀
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芯片或集成電路(以下簡稱IC)對于經濟增長具有顯著的倍增器作用,據(jù)中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院副總工程師安暉在2020年中國計算機大會(CNCC)技術論壇“新變局下的IC自主研發(fā)戰(zhàn)略”上介紹,1元產值的IC可帶動100元以上的國民經濟增長。除此之外,僅從實用角度看IC也是生產生活不可或缺的戰(zhàn)略性基礎物資,因而有能力的國家對于集IC的科研、產業(yè)布局十分重視,中國也不例外。但目前中國在IC領域面臨著嚴峻挑戰(zhàn),能否擺脫IC領域的“卡脖子”境況對于中國的發(fā)展特別重要。為此政府、科研界、產業(yè)界等都在積極探尋中國IC的發(fā)展道路。本文是在總結CNCC上兩位特邀嘉賓的報告,以及上述CNCC技術論壇的發(fā)言內容后形成的,主要目的是讓大眾了解中國IC事業(yè)面臨的挑戰(zhàn)和機遇,讓專業(yè)人士能夠找到IC事業(yè)的發(fā)力點,共同推進中國IC事業(yè)的發(fā)展。

一、IC的發(fā)展進程及面臨的技術挑戰(zhàn)

IC從20世紀60年代開始起步,一直以來基本遵循著摩爾定律在快速發(fā)展。摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登?摩爾的經驗之談,其核心內容為:單位面積的IC上可以容納的晶體管數(shù)目大約每經過18個月便會增加一倍。另外一種說法是,處理器的性能每隔18個月翻一番,而價格下降一半。

IC的發(fā)展涉及設計、制造、應用等環(huán)節(jié),設計又涉及電子設計自動化(EDA)軟件和IP(IntelligenceProperty,知識產權)、結構等;制造涉及材料、裝備(如光刻機等)、封裝、測試等環(huán)節(jié);應用涉及商業(yè)模式、產業(yè)生態(tài)鏈等。IC的發(fā)展非常迅速,在材料方面,本世紀以來,已有47種新材料進入IC制造。器件結構方面則是從平面到立體,如立體柵結構的FinFET,臺積電已經開始以5nm工藝量產。另外處理器經歷了SSI、MSI、LSI、VLSI、多核VLSI等階段,即將邁向第5代。集成技術方面,從平面到三維集成的轉變,拓展了器件密度提升的維度。光刻技術方面,從光源、鏡頭的材料與結構、圖形傳遞模式多元化的創(chuàng)新,到極紫外光刻(EUV)技術的突破,使5nm技術的實現(xiàn)有了保證。商業(yè)模式方面,從早期的IDM模式,即IC設計、制造、封裝和測試等環(huán)節(jié)集于一身(該模式下IC領域進入門檻高,屬于少數(shù)人的游戲),逐漸發(fā)展出Foundry模式,即IC開始了設計、制造、封裝的相對獨立發(fā)展,給予更多玩家進入該領域的機會,整個產業(yè)發(fā)展也更加蓬勃。

當前IC發(fā)展面臨諸多技術挑戰(zhàn),如:

1.FinFET器件微縮挑戰(zhàn):5nm以下技術節(jié)點中,較薄的Fin引起遷移率嚴重退化;較高的Fin形成源漏外延質量變差,通過應變技術提高器件性能有限。

2.器件結構:從FinFET到垂直堆疊Nano-sheet,再到Fork-sheet/CFET,以進一步優(yōu)化面積利用率、提高集成密度。隨著IC微縮到5nm以下,預計FinFET將走到盡頭,而垂直堆疊的環(huán)繞閘極(GAA)Nano-sheet被認為是由FinFET器件自然演變而來。為了將Nano-sheet器件的可微縮性延伸到2nm節(jié)點及以下,目前業(yè)界寄希望于Fork-sheet/CFET器件。

3.埋入式電源線(BPR):將Vcc和地線埋入前端工藝中,壓縮標準單元面積、節(jié)省互連空間。埋入式電源線被認為是5nm及以下工藝制程的重要技術。

4.光刻技術:EUV技術的持續(xù)改進。

5.AirGap側墻技術:可降低柵極寄生電容25%以上,該技術可使7nm工藝的產品在性能上甚至優(yōu)于5nm工藝的產品。

6.新的互連技術:引入新材料,采用新集成技術來降低互連RC延遲。

另外,設計工具、制造封裝工藝等方面的改進也面臨重大挑戰(zhàn)。

二、中國IC發(fā)展的瓶頸

中國IC產業(yè)處于高速成長階段,近十年年均復合增長率超過20%。2020年上半年銷售額3539億元,同比增長16.1%。產業(yè)從過去的“大封測、小制造、小設計”逐步過渡到現(xiàn)在的“大設計、中封測、中制造”,這是很好的發(fā)展趨勢。但中國IC產品的自給率低,2019年中國IC進口額超過3000億美元,預計到2022年IC自給率可達到16.7%[3]。從技術角度看,目前我國在IC設計環(huán)節(jié)有所突破,但整體上和先進國家差距甚大,且越往高端差距越大。以處理器IC為例,國產芯片的占有率如下表所示[3],產業(yè)生態(tài)令人憂慮。

我國IC產業(yè)在通用芯片領域完全無法和國際優(yōu)勢廠商競爭,桌面處理器市場被Intel和AMD完全壟斷,服務器處理器市場Intel占比達96.7%。

在IC產業(yè)鏈的EDA、IP、裝備、設計、制造、封裝測試、掩膜制造、材料等環(huán)節(jié)上,中國在IC設計上勉強說得過去,而在其它環(huán)節(jié)均處于弱勢,特別是在IP、EDA、光刻機、IC制造4個環(huán)節(jié)被卡住了脖子!

而若想打破這種受制于人的困境可謂是困難重重,其困難主要體現(xiàn)在以下幾點:

1.相關的軟件生態(tài)龐大復雜,芯片市場化壁壘高。

2.芯片制造產業(yè)鏈長,涉及130多種裝備、5大類500多道工藝、7大類530種材料,一環(huán)被卡,整體就會被卡。

3.中國還沒有自主的生態(tài),芯片的生態(tài)由別國企業(yè)掌控。

4.專利和IP壁壘,很多時候很難繞過去。

5.EDA軟件風險:使用先進的EDA軟件才能設計出最好的芯片,但如果最好的EDA不銷售給中國,或者EDA中留有后門,后果肯定會比較嚴重。

6.從科研到產業(yè),投入巨大,科研需要積累,產業(yè)形成需要時間,這加大了芯片產業(yè)趕超的難度。盡管目前政府和企業(yè)對芯片產業(yè)十分重視,政府出臺相關政策,同時政府和企業(yè)投入大量資金,但短期解決全部問題是不可能的。

7.學科和人才培養(yǎng)方面,IC相關技術涉及面廣,需融合電子信息、物理、化學、材料、自動工程等40多種學科,需要從業(yè)者有綜合知識背景、交叉技術技能、融合創(chuàng)新等素質,目前的教育體系無法提供足夠的支持。

三、我國IC產業(yè)發(fā)展路在何方?

我國IC產業(yè)發(fā)展經歷了多個發(fā)展階段,目前還處于十分被動的地位,這說明發(fā)展IC產業(yè)沒有所謂捷徑可走,需要沉下心來一步一步將所有難關攻克。個人的一些觀點如下:

1.國家層面整體規(guī)劃十分重要。由于IC涉及面廣,發(fā)展IC產業(yè)是一個非常龐大的系統(tǒng)工程,需要整體規(guī)劃。

2.放棄全面超越的目標。全面超越是近期無法實現(xiàn)的目標,在產業(yè)鏈中形成互相制約的局面即可。

3.尋找少量關鍵點重點支持和突破。在上述思路的前提下,尋找可以迅速突破的一些點位,重點投入,重點突破,形成可以互“卡”、可良性發(fā)展的局面。

4.尋找新的技術增長點,在實現(xiàn)上述目標的基礎上,達到局部占優(yōu)。

5.改善科研和教育體系??蒲蟹矫嬉环矫嬉訌娀A科學研究,另外一方面要重視技術和工程及應用,不唯論文;教育方面要重視能力訓練而不是目前的知識灌輸,同時要圍繞IC工程系統(tǒng)布局相關專業(yè)和學科。培養(yǎng)一大批有家國情懷,有科學精神和具備科研、工程、產業(yè)能力的專業(yè)人士對于IC產業(yè)發(fā)展十分重要。

6.做好持久競爭的準備。這是一項長期工程,需要做好持久投入的準備,長遠布局,長期堅持才有可能達成目標。

7.打擊學術和產業(yè)騙子。政府加大支持力度,會引來一些濫竽充數(shù)者,需要加大識別和打擊力度。

8.要以開放的心態(tài)發(fā)展基礎科研、技術和產業(yè),積極參與國際合作。

9.要有信心。中國有巨大的市場需求,同時已建立起現(xiàn)代的科研、教育、工業(yè)體系,只要自己有信心,就會有巨大的發(fā)展。
責任編輯人:CC

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