10月16日，第十九屆中國(guó)（淄博）新材料技術(shù)論壇在淄博舉行。在論壇上，中國(guó)科學(xué)院院士，南京大學(xué)物理系教授、博士生導(dǎo)師都有為指出，自旋芯片屬于核心高端芯片，是科技關(guān)鍵核心技術(shù)，具有高達(dá)上萬(wàn)億美元的巨大市場(chǎng)前景，有可能成為后摩爾時(shí)代的主流芯片。

據(jù)了解，自旋芯片是各類(lèi)MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）的統(tǒng)稱(chēng)，共經(jīng)歷了MRAM、STT-MRAM、MeRAM等三個(gè)發(fā)展階段。

在此期間，不同的國(guó)家或者企業(yè)都在積極推動(dòng)自旋芯片的發(fā)展。2008年，日本衛(wèi)星全面采用Freescale公司的MRAM產(chǎn)品，替代了SRAM和Flash存儲(chǔ)器。2009年，法國(guó)投入420萬(wàn)歐元資助研制自旋電子可編程邏輯器件；韓國(guó)政府與Hynix和三星共同投資5000萬(wàn)美元開(kāi)發(fā)STT-MRAM。2010年，日本研發(fā)新的TMR結(jié)構(gòu)，原理上可以使STT-MRAM容量達(dá)到10Gbit。2013年，歐洲A350飛機(jī)采用自旋芯片控制系統(tǒng)。2016年，IBM聯(lián)手三星宣布批量生產(chǎn)STT-MRAM芯片，其讀寫(xiě)速度比NAND Flash快千倍，有望取代DRAM。

從2017年開(kāi)始，中國(guó)企業(yè)也在積極布局自旋芯片 。2017年，臺(tái)積電在南京建廠擬生產(chǎn)自旋芯片。2018年，杭州馳拓、上海磁宇、中芯國(guó)際、華為等籌建自旋芯片的研發(fā)、生產(chǎn)線。

都有為認(rèn)為，自旋芯片兼具SRAM的高速度、DRAM的高密度和Flash的非易失性等優(yōu)點(diǎn)，是科技關(guān)鍵核心技術(shù)，可軍民兩用，具有高達(dá)上萬(wàn)億美元的巨大市場(chǎng)前景，有可能成為后摩爾時(shí)代的主流芯片。這對(duì)提升國(guó)家高科技水平和增強(qiáng)國(guó)防安全意義重大，國(guó)外不會(huì)將高端科技在中國(guó)生根發(fā)芽，國(guó)家應(yīng)予以高度重視與支持。

都有為強(qiáng)調(diào)，如果我國(guó)當(dāng)前不重視自旋芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，未來(lái)必將受制于國(guó)外，重走半導(dǎo)體芯片落后的覆轍。
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