在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝,其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕
發(fā)表于 07-07 11:21
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遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子束刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
發(fā)表于 06-30 14:34
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芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過(guò)化學(xué)或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層),以下是芯片刻蝕的基本原理和分類: 1. 刻蝕
發(fā)表于 05-06 10:35
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等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過(guò)程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來(lái)去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過(guò)程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機(jī)制的
發(fā)表于 01-02 14:03
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IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動(dòng)能,
發(fā)表于 12-26 15:21
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芯片濕法刻蝕方法主要包括各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。為了讓大家更好了解這兩種方法,我們下面準(zhǔn)備了詳細(xì)的介紹,大家可以一起來(lái)看看。 各向同性刻蝕
發(fā)表于 12-26 13:09
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包括濕法清洗、等離子體處理、化學(xué)溶劑處理以及機(jī)械研磨等。以下是對(duì)芯片濕法刻蝕殘留物去除方法的詳細(xì)介紹: 濕法清洗 銅腐蝕液(ST250):銅腐蝕液主要用于去除聚合物殘留物,其對(duì)聚合物的去除能力比較強(qiáng)。 稀氟氫酸(DHF)
發(fā)表于 12-26 11:55
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。 腔室壓力由什么決定的? 1,氣體流量越高,壓力越大。 2,真空泵排氣,泵速越高,腔室壓力越低。 腔室壓力對(duì)于刻蝕的影響 1,離子轟擊能量。低壓力,分子平均自由程大,離子的碰撞幾率小,能量耗散少,故能量高。 2,
發(fā)表于 12-17 18:11
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離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過(guò)程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過(guò)程中,
發(fā)表于 12-17 11:13
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在芯片制造過(guò)程中的各工藝站點(diǎn),有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點(diǎn)殘留物去除掉,“刻蝕
發(fā)表于 12-16 15:03
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本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干
發(fā)表于 12-06 11:13
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上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級(jí)別的刻
發(fā)表于 11-27 10:06
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本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質(zhì)的第四
發(fā)表于 11-16 12:53
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主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù),其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、以及后來(lái)基于高密度等離子體反應(yīng)
發(fā)表于 10-18 15:20
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口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕
發(fā)表于 09-12 13:31
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評(píng)論