上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級別的刻蝕， 刻蝕均勻性 ≤±5%（部分材料 ±3%）。

IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕。 例如磁性材料， 黃金 Au， 鉑 Pt， 合金等金屬及復合半導體材料， 廣泛應用于 RF 射頻器件， MEMS 傳感器， 磁性器件 … 等研究。

對于“難去除”的材料比如貴金屬（如金和鉑）， 壓電材料（鋯鈦酸鉛 PZT ， 鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN， 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 Al2O3 ， Ni， Fe， Cr， Co， Cu， Mn 和 Pd 等）上海伯東 IBE 離子束刻蝕機同樣有著穩(wěn)定的刻蝕均勻性。

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機優(yōu)勢

1. 滿足刻蝕的線條寬度要求

2. 滿足刻蝕準直度要求

3. 可以實現(xiàn) ICP 和 RIE 無法進行的刻蝕

4. 離子束角度可以±90°任意調整， 蝕刻可以根據需要做垂直， 斜面等等加工形狀

IBE 離子束刻蝕機， 刻蝕材料和速率一覽表

自 1970年至今， Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機。 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和 KRi 考夫曼離子源， 適用于 4英寸， 6英寸， 8英寸刻蝕。 伯東公司超過 50年的 IBE 離子束刻蝕市場經驗， 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術！