臺(tái)積電3nm晶體管密度達(dá)到2.5億/mm2
近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
作為參考，采用臺(tái)積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。
性能提升上，臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm較5nm性能提升7%，能耗提升15%。
此外臺(tái)積電還表示，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，并沒(méi)有受到疫情影響，預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。
工藝上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。
但臺(tái)積電老對(duì)手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身，所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn)，將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5751瀏覽量
169710 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10018瀏覽量
141571
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋(píng)果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)
英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋
TechInsights分析，臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高
臺(tái)積電加大亞利桑那州廠投資，籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片
據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和
消息稱臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià)，即日起效！
）計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià)，漲幅在
臺(tái)積電設(shè)立2nm試產(chǎn)線
臺(tái)積電設(shè)立2nm試產(chǎn)線 臺(tái)積電已開(kāi)始在新竹寶山晶圓廠
臺(tái)積電2025年起調(diào)整工藝定價(jià)策略
近日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺(tái)積電計(jì)劃從2025年1月起，針對(duì)其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS
臺(tái)積電2nm工藝將量產(chǎn)，蘋(píng)果iPhone成首批受益者
。然而，最新的供應(yīng)鏈消息卻透露了一個(gè)不同的方向。據(jù)悉，A19系列芯片將采用臺(tái)積電的第三代3nm工藝(N3P)進(jìn)行制造，并將由即將發(fā)布的iPh
臺(tái)積電2nm制成細(xì)節(jié)公布：性能提升15%，功耗降低35%
12月17日消息，在于舊金山舉行的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電公布了其備受矚目的2納米（N2）制程
臺(tái)積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié)：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同時(shí)其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優(yōu)勢(shì)主要得益于臺(tái)積電的全柵極（Ga
臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺(tái)積電的
臺(tái)積電計(jì)劃漲價(jià)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求
臺(tái)積電的產(chǎn)能增幅來(lái)決定。 此前，摩根士丹利發(fā)布的一份最新報(bào)告指出，臺(tái)積電正在考慮對(duì)
AI芯片驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電Q3財(cái)報(bào)亮眼！3nm和5nm營(yíng)收飆漲，毛利率高達(dá)57.8%
10月17日，臺(tái)積電召開(kāi)第三季度法說(shuō)會(huì)，受惠 AI 需求持續(xù)強(qiáng)勁下，臺(tái)積電Q
臺(tái)積電3nm制程需求激增，全年?duì)I收預(yù)期上調(diào)
臺(tái)積電近期迎來(lái)3nm制程技術(shù)的出貨高潮，預(yù)示著其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位進(jìn)一步鞏固。隨著蘋(píng)果iPhone 16系列新機(jī)發(fā)布，預(yù)計(jì)搭載的A18系列處理器將采用
臺(tái)積電3nm/5nm工藝前三季度營(yíng)收破萬(wàn)億新臺(tái)幣
據(jù)臺(tái)媒DigiTimes最新報(bào)告，臺(tái)積電在2024年前三季度的業(yè)績(jī)表現(xiàn)強(qiáng)勁，僅憑其先進(jìn)的3nm和5nm
谷歌Tensor G5芯片轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm與InFO封裝
近日，業(yè)界傳出重大消息，谷歌手機(jī)的自研芯片Tensor G5計(jì)劃轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的3nm制程，并引入臺(tái)積
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論