深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman),在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策略。 韓真晚強(qiáng)調(diào),三星代工部門要
發(fā)表于 12-10 13:40
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和存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù); 以前負(fù)責(zé)三星電子美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Han Jin-man被提拔為總裁,并擔(dān)任代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人; 芯片工廠工程和運(yùn)營(yíng)
發(fā)表于 11-28 14:14
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價(jià)格有望回升,但這一趨勢(shì)可能會(huì)受到其他地區(qū)芯片制造商供應(yīng)增加的影響。這意味著,三星電子在內(nèi)存芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)壓力可能會(huì)進(jìn)一步加劇。 基于上述分析,Park將
發(fā)表于 11-27 11:22
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近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨
發(fā)表于 11-20 16:13
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三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的
發(fā)表于 11-14 16:44
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方式獲得三星顯示的一座大樓,并計(jì)劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴(kuò)建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推
發(fā)表于 11-13 11:36
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三星電子在印度南部泰米爾納德邦金奈市得工廠在歷時(shí)一個(gè)多月的大罷工后,終于迎來好消息,三星電子印度分公司透露工會(huì)已經(jīng)決定取消在印度金奈工廠罷工的計(jì)劃。?而
發(fā)表于 10-16 14:06
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近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道,三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓,這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張
發(fā)表于 10-11 17:37
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近日,三星電子中國(guó)公司宣布了一項(xiàng)重大人事調(diào)整計(jì)劃,旨在通過優(yōu)化人員結(jié)構(gòu)來提升組織效率和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)可靠消息,公司已向中國(guó)銷售部門員工發(fā)出重整通知,并正式啟動(dòng)了裁員流程,首批裁員目標(biāo)鎖定為約130人,占該部門現(xiàn)有員工總數(shù)的8%,
發(fā)表于 09-05 17:07
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來源:芯榜 編輯:感知芯視界 Link 消息人士稱,韓國(guó)科技大廠三星電子將裁減中國(guó)銷售部門30%員工。鑒于中國(guó)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,讓商業(yè)前景變得不確定,作為回應(yīng),三星電子選擇了極端的重組措施
發(fā)表于 09-05 09:08
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三星電子近日宣布,其位于韓國(guó)平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計(jì)劃將發(fā)生重大調(diào)整,原定于加速推進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動(dòng)旨在優(yōu)先保障位于美國(guó)得克薩斯州泰勒市的晶圓廠建設(shè),顯示出三星
發(fā)表于 09-04 17:00
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
發(fā)表于 08-08 10:06
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8月7日,市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)(Nvidia)測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子
發(fā)表于 08-07 15:23
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評(píng)論