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臺(tái)積電VS三星,究竟誰(shuí)能成為7納米先進(jìn)制程代工之王?

章鷹觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2019-12-06 08:49 ? 次閱讀
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本站原創(chuàng)。作者:章鷹,電子發(fā)燒友執(zhí)行副主編。

2019年最后一個(gè)月,5G芯片大戰(zhàn)全面開(kāi)打,11月26日,聯(lián)發(fā)科正式發(fā)布旗下首款5G So芯片—天璣1000,根據(jù)供應(yīng)鏈消息,聯(lián)發(fā)科向客戶(hù)提供天璣1000的報(bào)價(jià),價(jià)格大概在70美元。

12月3日,芯片巨頭高通在夏威夷的技術(shù)峰會(huì)上宣布推出了全新的驍龍865移動(dòng)平臺(tái),以及驍龍765和765G兩款面向中端機(jī)型的5G芯片。

芯片一經(jīng)推出,便收到各大手機(jī)廠商的追隨,小米一舉拿下了兩款芯片的首發(fā)。OPPO宣布,即將于12月正式發(fā)布的全新Reno3 Pro將率先搭載高通的新一代驍龍765G集成式5G移動(dòng)平臺(tái),這將是OPPO首款雙模5G手機(jī)。此外,OPPO將于2020年第一季度首批推出基于高通驍龍TM865移動(dòng)平臺(tái)的旗艦級(jí)5G手機(jī)。加上華為、三星發(fā)布的5G基帶芯片,5G芯片大戰(zhàn)已經(jīng)正式開(kāi)打。

小編統(tǒng)計(jì)顯示,目前,發(fā)布的5G SoC芯片只有聯(lián)發(fā)科的天璣1000、華為的麒麟990 5G和三星的Exynos 980和高通驍龍865移動(dòng)平臺(tái)和765G集成式移動(dòng)平臺(tái)。除了三星外,其他三家5G芯片的快速推出,都離不開(kāi)一家晶圓代工廠的身影——臺(tái)積電。

臺(tái)積電7納米制程在客戶(hù)群中的優(yōu)勢(shì)地位

***供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電7納米的客戶(hù)包括蘋(píng)果、海思、聯(lián)發(fā)科、高通、英偉達(dá)、超微、賽靈思、比特大陸等。業(yè)界人士分析,蘋(píng)果A13處理器、海思和5G基站芯片及超微繪圖處理器、電競(jìng)處理器和服務(wù)器芯片都集中在2019年下半年陸續(xù)拉貨,導(dǎo)致臺(tái)積電7納米生產(chǎn)線爆量,交貨時(shí)間從原本的2個(gè)月拉長(zhǎng)到半年。臺(tái)積電第四季7納米產(chǎn)能全滿(mǎn)投片,客戶(hù)已開(kāi)始排隊(duì)搶產(chǎn)能。此外,臺(tái)積電5nm制程已獲蘋(píng)果、海思、AMD、比特大陸和賽靈思5大基本客戶(hù),并決定將月產(chǎn)能由原本的5.1萬(wàn)片擴(kuò)建至7萬(wàn)片,量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑻崆爸撩髂?月。

比如,華為海思9月17日推出的麒麟990 5G版本則有臺(tái)積電7nmEUV加持。麒麟990 5G采用7nm+EUV工藝制程,配備兩顆2.86GHz 的大核心A76,兩顆2.36GHz的中核心A76和四顆1.95GHz的小核心A55,組成了三檔能效架構(gòu),GPU采用的ARM Mali-G76;NPU方面,麒麟990搭載華為自研的業(yè)界首款達(dá)芬奇架構(gòu),通過(guò)大核+微核設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)最高達(dá)24倍的能效。

11月26日,聯(lián)發(fā)科的官方說(shuō)明是,天璣1000采用臺(tái)積電7nm工藝制造,這款芯片基于臺(tái)積電7nm工藝,將會(huì)首發(fā)采用Arm最新的Cortex-A77 GPU內(nèi)核和Mali G77 GPU內(nèi)核,同時(shí)還支持SA/NAS雙模、雙載波技術(shù),5G下載速率可以達(dá)到全球最快的4.7Gbps。

高通官網(wǎng)披露的信息顯示,驍龍865、驍龍765及驍龍765G移動(dòng)平臺(tái),都將采用7nm工藝。外媒報(bào)道,驍龍865采用將是臺(tái)積電的7nm “N7P”工藝,這一工藝在7nm工藝的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)。蘋(píng)果9月推出的iPhone 11系列所采用的A13仿生芯片,也是由這一工藝打造。代工驍龍865,是繼之前的驍龍855之后,臺(tái)積電再次代工高通的高端移動(dòng)平臺(tái)。

臺(tái)積電加大研發(fā)和產(chǎn)能提升,未來(lái)可望提升7納米營(yíng)收占比

拓?fù)洚a(chǎn)業(yè)研究院分析師徐韶甫對(duì)記者表示,2019年在總體經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定的影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)呈現(xiàn)衰退,晶圓代工產(chǎn)業(yè)更迎來(lái)罕見(jiàn)負(fù)成長(zhǎng)。而展望2020年,盡管市場(chǎng)氛圍仍有不確定性,但受惠于5G、AI、車(chē)用等新興終端應(yīng)用需求的持續(xù)加持,可望拉抬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底。即便在2019年半導(dǎo)體景氣低迷的情形下,7納米節(jié)點(diǎn)的采用率仍獲得大幅度的提升,也更加速7納米EUV(極紫外光)與5納米的量產(chǎn)商用。

圖:2020年半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估。


圖:2019年全球晶圓代工區(qū)域分布與TOP10占比。

拓?fù)溲芯克恼{(diào)研顯示,在全球Top10代工廠商統(tǒng)計(jì)圖中,臺(tái)積電大比例領(lǐng)先,市場(chǎng)份額占比超過(guò)了50%。而第二名的三星也增長(zhǎng)到了19%左右,第三的格芯只有9%左右,第四的聯(lián)電大約7%左右,中芯國(guó)際只有5%左右。我們可以明顯看到,全球晶圓代工市場(chǎng)正呈現(xiàn)出強(qiáng)者恒強(qiáng)的局面。


圖:TSMC在7納米主要制程產(chǎn)品

據(jù)筆者了解,臺(tái)積電7納米在2017年底有試產(chǎn),2018年小量量產(chǎn),主要爆發(fā)應(yīng)用在2019年。臺(tái)積電N7+的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一,在2019年第二季開(kāi)始量產(chǎn),在7納米制程技術(shù)(N7)量產(chǎn)超過(guò)一年時(shí)間的情況下,N7+良率與N7已相當(dāng)接近。N7+同時(shí)提供了整體效能的提升,N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%,同時(shí)降低功耗,使其成為業(yè)界下一波產(chǎn)品中更受歡迎的制程選擇。

2018年,臺(tái)積電7納米工藝量產(chǎn)后,2019年傳出100多個(gè)芯片陸續(xù)流片,涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密貨幣芯片、網(wǎng)絡(luò)、游戲、5G、自動(dòng)駕駛芯片等行業(yè)。

臺(tái)積電在2019年10月17日舉行的投資人會(huì)議上,總裁魏哲家釋放兩個(gè)關(guān)鍵信息:第一、5G客戶(hù)下單全面提前發(fā)酵,主要集中在兩大技術(shù)制程:7納米和5納米。這些需求令7納米產(chǎn)能大爆滿(mǎn),而且5納米的新產(chǎn)能也將提前上量。第二、臺(tái)積電上調(diào)2019年資本支出,從年初的100億上調(diào)到140-150億美元,砸下巨資建設(shè)高端制程和充足產(chǎn)能,來(lái)抓住5G時(shí)代的市場(chǎng)機(jī)遇。拓?fù)溲芯克念A(yù)測(cè)是,2019年底,臺(tái)積電7納米的營(yíng)收就會(huì)超過(guò)總營(yíng)收的三成,這也是臺(tái)積電成長(zhǎng)速度最快的地方。

為何5G手機(jī)芯片需要高端制程技術(shù)呢?臺(tái)積電的解釋是,5G手機(jī)的芯片因?yàn)楣膯?wèn)題,很多都需要高端制程才能滿(mǎn)足客戶(hù)需求,因此,5G手機(jī)訂單的強(qiáng)勁成長(zhǎng),也讓臺(tái)積電7納米和5納米制程的產(chǎn)能快速起跳。

此外,臺(tái)積電的6納米制程技術(shù)(N6)將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn),并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用,N6的邏輯密度將比N7提高18%,而N6憑借與N7完全相容的設(shè)計(jì)法則,亦可大幅縮短客戶(hù)產(chǎn)品上市的時(shí)間。

臺(tái)積電南京公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球先生曾表示,在半導(dǎo)體這個(gè)領(lǐng)域,無(wú)論是晶圓代工、設(shè)計(jì)公司、EDA或者是IP從業(yè)者,想要獲得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)皆要關(guān)注三個(gè)方面,那就是資金、技術(shù)和人才。這三者是缺一不可的,也是需要持續(xù)積累的。

羅鎮(zhèn)球強(qiáng)調(diào)說(shuō):“臺(tái)積電毫無(wú)疑問(wèn)在先進(jìn)制程方面有極大的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),但我們同時(shí)在電源管理器和傳感器等特殊工藝上也有布局。我們的目標(biāo)是客戶(hù)想實(shí)現(xiàn)一個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品時(shí),都可以在臺(tái)積電找到合適的節(jié)點(diǎn)和工藝來(lái)配合生產(chǎn)。”

三星7納米晶圓代工也在持續(xù)推動(dòng)中

在進(jìn)入7納米節(jié)點(diǎn)后,全球就是臺(tái)積電和三星的直接對(duì)決。三星為了加快追趕臺(tái)積電,去年就直接上了7nm EUV工藝,并且在7nm EUV遇阻量產(chǎn)前,還退而求其次的推出了8nm工藝。

與此同時(shí),三星還在加碼研發(fā)5nm工藝。而根據(jù)三星此前透露的信息顯示,5nm LPE(5nm Low Power Early)工藝將在今年內(nèi)完成流片,并于明年上半年投入量產(chǎn)。同時(shí),三星還計(jì)劃在2020年推出6nm LPE和4nm LPE工藝。

據(jù)拓?fù)溲芯克恼{(diào)研顯示,在產(chǎn)能的部分,7納米制程因?yàn)榕_(tái)積電的客戶(hù)訂單比較多,規(guī)劃產(chǎn)能量大,基本上到今年底會(huì)有超過(guò)100K的水準(zhǔn),明年還會(huì)小幅度增加。三星初期會(huì)以10K左右的少量量產(chǎn)來(lái)做,未來(lái)隨著客戶(hù)下單量增加,會(huì)持續(xù)提升產(chǎn)能規(guī)劃。

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