的應(yīng)用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過度導(dǎo)致光刻膠過度反應(yīng),使線寬變寬;或曝光不足造成線寬變窄。采用先進(jìn)的曝光
發(fā)表于 06-30 15:24
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隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
發(fā)表于 05-09 10:08
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光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
發(fā)表于 05-02 12:42
劑量的需求也加劇,從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù):一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性
發(fā)表于 03-19 11:10
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? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)
發(fā)表于 02-18 09:31
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數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個(gè) 21 世紀(jì),這種令人難以置信的縮小趨勢(shì)(從 90 納米到 7 納米及更?。╅_創(chuàng)了技術(shù)進(jìn)步的新時(shí)代。 在過去十年中,我們見證了將50
發(fā)表于 01-22 14:06
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本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道
發(fā)表于 01-16 09:29
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芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv)光刻掃描
發(fā)表于 01-09 11:31
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? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟,其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備,它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過程,但精度要求極高
發(fā)表于 01-07 10:02
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據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,
發(fā)表于 12-20 13:48
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這些設(shè)置?1。
?靈活性?:用戶可以根據(jù)需要選擇不同的仿真技術(shù),如DUV、Immersion、EUV等,并且可以處理嚴(yán)格/標(biāo)量、偏振、像差和抗蝕劑模型?1。
?分布式計(jì)算支持?:HyperLith支持
發(fā)表于 11-29 22:18
拜登政府已宣布一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設(shè)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)的核心設(shè)施。據(jù)美國(guó)商務(wù)部透露,奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的研發(fā)。
發(fā)表于 11-01 14:12
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1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機(jī)設(shè)備,這標(biāo)
發(fā)表于 10-31 10:56
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英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心,配備EUV光刻設(shè)備,支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)9月3日?qǐng)?bào)導(dǎo),美國(guó)處理器大廠英特爾已
發(fā)表于 09-05 10:57
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近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備
發(fā)表于 08-03 12:45
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評(píng)論