99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

谷歌采用全新AI架構(gòu),晶體管性能得到巨幅提升

獨(dú)愛72H ? 來源:機(jī)器之心Pro ? 作者:機(jī)器之心Pro ? 2019-11-20 15:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來源:機(jī)器之心Pro)

TSP 的全稱是 Tensor Streaming Processor,專為機(jī)器學(xué)習(xí)AI 相關(guān)需求打造。該架構(gòu)在單塊芯片上可以實(shí)現(xiàn)每秒 1000 萬億(10 的 15 次方)次運(yùn)算,是全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)該級(jí)別性能的架構(gòu),其浮點(diǎn)運(yùn)算性能可達(dá)每秒 250 萬億次(TFLOPS)。在摩爾定律走向消亡的背景下,這一架構(gòu)的問世標(biāo)志著芯片之爭從晶體管轉(zhuǎn)向架構(gòu)。

250 TFLOPS 浮點(diǎn)運(yùn)算性能是什么概念?目前的世界第一超級(jí)計(jì)算機(jī) Summit,其峰值算力為 200,794.9 TFLOPS,它的背后是 28,000 塊英偉達(dá) Volta GPU。如果 TSP 達(dá)到了類似的效率,僅需 803 塊就可以實(shí)現(xiàn)同樣的性能。Groq 在一份白皮書中介紹了這項(xiàng)全新的架構(gòu)設(shè)計(jì)。此外,他們還將在于美國丹佛舉辦的第 23 屆國際超算高峰論壇上展示這一成果。

我們?yōu)檫@一行業(yè)和我們的客戶感到興奮,Groq 的聯(lián)合創(chuàng)始人和 CEO Jonathan Ross 表示。頂級(jí) GPU 公司都在宣稱他們有望在未來幾年向用戶交付一款每秒百萬億次運(yùn)算性能的產(chǎn)品,但 Groq 現(xiàn)在就做到了,而且建立了一個(gè)新的性能標(biāo)準(zhǔn)。就低延遲和推理速度而言,Groq 的架構(gòu)比其他任何用于推理的架構(gòu)都要快許多倍。我們與用戶的互動(dòng)證明了這一點(diǎn)。

Groq 的 TSP 架構(gòu)是專為計(jì)算機(jī)視覺、機(jī)器學(xué)習(xí)和其他 AI 相關(guān)工作負(fù)載的性能要求設(shè)計(jì)的。對于一大批需要深度學(xué)習(xí)推理運(yùn)算的應(yīng)用來說,Groq 的解決方案是非常理想的選擇,Groq 的首席架構(gòu)師 Dennis Abts 表示,但除此之外,Groq 的架構(gòu)還能用于廣泛的工作負(fù)載。它的性能和簡潔性使其成為所有高性能即數(shù)據(jù)和計(jì)算密集型工作復(fù)雜的理想平臺(tái)。

Groq 的這款架構(gòu)受到軟件優(yōu)先(software first)理念的啟發(fā)。它在 Groq 開發(fā)的 TSP 中實(shí)現(xiàn),為實(shí)現(xiàn)計(jì)算靈活性和大規(guī)模并行計(jì)算提供了一種新的范式,但沒有傳統(tǒng) GPU 和 CPU 架構(gòu)的限制和溝通開銷。在 Groq 的架構(gòu)中,Groq 編譯器負(fù)責(zé)編碼所有內(nèi)容:數(shù)據(jù)流入芯片,并在正確的時(shí)間和正確的地點(diǎn)插入,以確保計(jì)算實(shí)時(shí)進(jìn)行,沒有停頓。執(zhí)行規(guī)劃由軟件負(fù)責(zé),這樣就可以釋放出原本要用于動(dòng)態(tài)指令執(zhí)行的寶貴硬件資源。

在傳統(tǒng)的體系架構(gòu)中,將數(shù)據(jù)從 DRAM 移動(dòng)到處理器需要大量的算力和時(shí)間,而且相同工作負(fù)載上的處理性能也是可變的。在典型的工作流中,開發(fā)人員通過反復(fù)運(yùn)行工作負(fù)載或程序來對其進(jìn)行配置和測試,以驗(yàn)證和度量其平均處理性能。由于處理器接收和發(fā)送數(shù)據(jù)的方式不同,這種處理可能會(huì)得到略有差別的結(jié)果,而開發(fā)人員的工作就是手動(dòng)調(diào)整程序以達(dá)到預(yù)定的可靠性級(jí)別。

但有了 Groq 的硬件和軟件,編譯器就可以準(zhǔn)確地知道芯片的工作方式以及執(zhí)行每個(gè)計(jì)算所需的時(shí)間。編譯器在正確的時(shí)間將數(shù)據(jù)和指令移動(dòng)到正確的位置,這樣就不會(huì)有延遲。到達(dá)硬件的指令流是完全編排好的,使得處理速度更快,而且可預(yù)測。開發(fā)人員可以在 Groq 芯片上運(yùn)行相同的模型 100 次,每次得到的結(jié)果都完全相同。對于安全和準(zhǔn)確性要求都非常高的應(yīng)用來說(如自動(dòng)駕駛汽車),這種計(jì)算上的準(zhǔn)確性至關(guān)重要。

另外,使用 Groq 硬件設(shè)計(jì)的系統(tǒng)不會(huì)受到長尾延遲的影響,AI 系統(tǒng)可以在特定的功率或延遲預(yù)算內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。這種軟件優(yōu)先的設(shè)計(jì)(即編譯器決定硬件架構(gòu))理念幫助 Groq 設(shè)計(jì)出了一款簡單、高性能的架構(gòu),可以加速推理流程。該架構(gòu)既支持傳統(tǒng)的機(jī)器學(xué)習(xí)模型,也支持新的計(jì)算學(xué)習(xí)模型,目前在 x86 和非 x86 系統(tǒng)的客戶站點(diǎn)上運(yùn)行。

為了滿足深度學(xué)習(xí)等計(jì)算密集型任務(wù)的需求,芯片的設(shè)計(jì)似乎正在變得越來越復(fù)雜。但 Groq 認(rèn)為,這種趨勢從根本上就是錯(cuò)誤的。他們在白皮書中指出,當(dāng)前處理器架構(gòu)的復(fù)雜性已經(jīng)成為阻礙開發(fā)者生產(chǎn)和 AI 應(yīng)用部署的主要障礙。當(dāng)前處理器的復(fù)雜性降低了開發(fā)者工作效率,再加上摩爾定律逐漸變慢,實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算性能變得越來越困難。

Groq 的芯片設(shè)計(jì)降低了傳統(tǒng)硬件開發(fā)的復(fù)雜度,因此開發(fā)者可以更加專注于算法(或解決其他問題),而不是為了硬件調(diào)整自己的解決方案。有了這種更加簡單的硬件設(shè)計(jì),開發(fā)者無需進(jìn)行剖析研究(profiling),因此可以節(jié)省資源,更容易大規(guī)模部署 AI 應(yīng)用。與基于 CPU、GPU 和 FPGA 的傳統(tǒng)復(fù)雜架構(gòu)相比,Groq 的芯片還簡化了認(rèn)證和部署,使客戶能夠簡單而快速地實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展、單瓦高性能的系統(tǒng)。

Groq 的張量流架構(gòu)可以在任何需要的地方提供算力。與當(dāng)前領(lǐng)先的 GPU、CPU 相比,Groq 處理器的每個(gè)晶體管可以實(shí)現(xiàn) 3-6 倍的性能提升。這一改進(jìn)意味著交付性能的提升、延遲的下降以及成本的降低。結(jié)果是,Groq 的架構(gòu)使用起來更加簡單,而且性能高于傳統(tǒng)計(jì)算平臺(tái)。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 谷歌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    6231

    瀏覽量

    108193
  • AI芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    1983

    瀏覽量

    35935
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?840次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>架構(gòu)</b>的演變過程

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    提高了器件的性能。據(jù)IMEC的研究,叉片晶體管相比納米片晶體管可以實(shí)現(xiàn)約10%的性能提升。 叉片晶體管
    發(fā)表于 06-20 10:40

    寬帶隙WBG功率晶體管性能測試與挑戰(zhàn)

    晶體管性能得到了顯著提升,開啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:36 ?407次閱讀
    寬帶隙WBG功率<b class='flag-5'>晶體管</b>的<b class='flag-5'>性能</b>測試與挑戰(zhàn)

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    如何測試晶體管性能 常見晶體管品牌及其優(yōu)勢比較

    如何測試晶體管性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1200次閱讀

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1038次閱讀

    晶體管的輸出特性是什么

    晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能晶體管的輸出特性受到多種因素
    的頭像 發(fā)表于 09-24 17:59 ?1760次閱讀

    晶體管對CPU性能的影響

    晶體管作為CPU(中央處理器)的基本構(gòu)成單元,對CPU的性能有著至關(guān)重要的影響。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 17:22 ?1906次閱讀

    CMOS晶體管的尺寸規(guī)則

    CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,它涉及到多個(gè)方面的考量,包括晶體管性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)、尺寸對
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4265次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMO
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7853次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?4032次閱讀

    什么是單極型晶體管?它有哪些優(yōu)勢?

    單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:12 ?3727次閱讀

    GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:27 ?1817次閱讀

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?1783次閱讀

    GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),融合了多種材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:01 ?2543次閱讀