據(jù)外媒報道，當(dāng)?shù)貢r間7月24日，日本半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）宣布推出超級緊湊，尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品，可提供優(yōu)越的安裝可靠性。該系列產(chǎn)品符合汽車電子可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，即使在極端工作條件下，也可確保車用級可靠性和性能。此外，該產(chǎn)品采用了羅姆獨(dú)有的封裝加工技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)ADAS攝像頭模塊等汽車電子設(shè)備的小型化。

近年來，汽車安裝了越來越多的ADAS攝像頭等汽車安全和便利系統(tǒng)，但是此類系統(tǒng)受安裝空間的限制，對較小部件的需求也越來越多。為滿足此類需求，在保持高電流的前提下，有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET受到了人們的關(guān)注。但是，對于汽車應(yīng)用來說，在裝配過程中為了保證質(zhì)量需要進(jìn)行光學(xué)檢查，但是，對于底部電極封裝組件來說，安裝后無法驗證焊料的高度，因而很難確定安裝條件。

但是，此次，羅姆通過利用獨(dú)有的Wettable Flank成型技術(shù)，確保了封裝側(cè)面電極部分的高度（130μm）符合汽車應(yīng)用，從而確保了即使是底部電極組件的焊料質(zhì)量也能保持一致，可在產(chǎn)品安裝后的自動檢查機(jī)器可以輕易驗證安裝后的焊料條件。

關(guān)鍵特性

1、 專有的Wettable Flank技術(shù)確保封裝測量電極部分高度為130μm

羅姆的Wettable Flank成型技術(shù)是在封裝側(cè)面的引線框架加入切割再進(jìn)行電鍍的技術(shù)。但是，引線框架的高度越高越容易產(chǎn)生毛刺，因此，羅姆研發(fā)了一種獨(dú)特的方法，在引線框架的整個表面都設(shè)置了用來減少毛刺的阻擋層，不僅可以防止組件在安裝時產(chǎn)生傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616（1.6 x1.6毫米）封裝產(chǎn)品，是業(yè)界首個保證封裝側(cè)面電極部分高度為130μm的產(chǎn)品。

2、緊湊型底部電極MOSFET，可減少安裝面積

近年來，肖特基勢壘二極管（SBD）被廣泛用于ADAS攝像頭模塊的反接保護(hù)電路中。但是，由于先進(jìn)汽車系統(tǒng)中的高分辨率攝像頭需要更大的電流，SBD正日益被緊湊型MOSFET取代，因為MOSFET導(dǎo)電電阻低且產(chǎn)生的熱量少。

例如，在電流為2.0A，功耗為0.6W時，傳統(tǒng)的車用級MOSFET安裝面積比SBD的少30%。而且采用底部電極封裝的MOSFET，散熱性更好，同時不僅可實(shí)現(xiàn)小型化，還可實(shí)現(xiàn)大電流。因此，與傳統(tǒng)的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，安裝面積可削減68%。