眾所周知，由于我國在芯片領(lǐng)域起步較晚，在芯片技術(shù)的掌握方面與西方國家有著很大的差距，因此芯片技術(shù)就成為了我國的一大短板，這一點是毋庸置疑的。目前，全球最主流芯片莫過于7nm制造工藝，比如目前市場上最頂尖的驍龍855、蘋果A12、華為麒麟980均是7nm范疇。

不過在近期，根據(jù)權(quán)威媒體的報道，中國科學(xué)院微電子研究所專家表示，目前團隊已經(jīng)研發(fā)出的3nm晶體管，這樣的寬度相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度，而在一個非常面積小到有限的芯片上，能夠安裝上百億的3nm晶體管。這樣的成就或?qū)⒁馕吨?，中國在芯片領(lǐng)域的研究再次取得突破。

當(dāng)然作為突破性技術(shù)的研究成果，專家們在對3nm晶體管研究之際同樣也需要克服一些重大障礙，而這其中就包括了“玻爾茲曼暴政”，而所謂的“玻爾茲曼暴政”描述的是一個關(guān)于電子在空間中分布的問題。因此對于芯片的研發(fā)者而言，這樣意味著由于較多微型晶體安裝到芯片上，晶體管的電流所產(chǎn)生的熱量會將芯片燒毀。

針對這個問題，我國的物理學(xué)家已經(jīng)提供了有效的解決方案，并使用一種被稱之為“負電容”的方法，將所需要的最小電量為晶體管提供電力。由于難度的復(fù)雜性較大，所以這種3nm晶體管實現(xiàn)商業(yè)化還需要一定的時間，不過就目前而言，中國科學(xué)院微電子研究所的專家團隊正在對晶體管的材料和質(zhì)量進行控制，以此來到達預(yù)期效果。

值得一提的是，作為全球通信霸主的三星曾經(jīng)公開表示，將計劃在明年上半年完成3nm晶體管的研發(fā)。與7nm技術(shù)相比，3nm晶體管所制造的芯片只需要使用一半的電力，而性能方面卻將提升35%，至于芯片的投產(chǎn)問題，三星并沒有對此進行說明。

當(dāng)然專家還透露，中國自主研發(fā)的3nm晶體管有著巨大的實際應(yīng)用潛力，同時也掌握著專利。3nm晶體管技術(shù)的突破將讓中國在芯片開發(fā)領(lǐng)域與世界頭號角色進行正面競爭，而在過去我們看著別人競爭，但現(xiàn)在，我們要同別人競爭。

因此毫不夸張的可以說，中國如今研究出目前世界最頂尖的3nm晶體管，這不僅是實驗室中的一項新發(fā)現(xiàn)，更多的則是代表著中國芯片強勢崛起的希望，而當(dāng)3nm晶體管正式實現(xiàn)量產(chǎn)之后，將意味著中國芯片在與西方國家縮小距離的同時，也將向世界。