電腦的運作需要有內(nèi)存和硬盤兩個部件來共同完成數(shù)據(jù)儲存：內(nèi)存速度快但容量小、斷電后記憶會丟失，硬盤速度慢但容量大并且能夠長久保存數(shù)據(jù)。有沒有可能讓內(nèi)存和硬盤合二為一呢？

SCM存儲級內(nèi)存兼具二者之長，既能持久存儲數(shù)據(jù)，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存，它是近年來半導體存儲的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash，它就屬于持久內(nèi)存類型。

為了讓NAND閃存的速度能夠達到內(nèi)存級的水平，東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進行了大幅度的優(yōu)化調(diào)整，首先是用4KB Page取代當前3D NAND閃存普遍采用的16KB Page結(jié)構(gòu)，帶來更低的讀寫延遲和更佳的隨機存取效能。

其次是在XL-FLASH中使用16 Plane架構(gòu)取代目前出現(xiàn)在BiCS3閃存中的2 Plane架構(gòu)，帶來更強的并發(fā)讀寫能力。

在之前公開的計劃中東芝未來會在3D TLC閃存中使用4Plane取代2Plane結(jié)構(gòu)，寫入性能將獲得大幅的提升提升。我們可以由此想象XL-FLASH中16Plane結(jié)構(gòu)的威力。

東芝將在XL-FLASH中采用SLC，即1 bit per cell結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)更高速度與更高耐用性。經(jīng)過以上的優(yōu)化，東芝XL-FLASH實現(xiàn)了小于5微秒的超低讀取延遲，相比當前3D TLC的50微秒降低了10倍，成功填補TLC NAND閃存與DRAM內(nèi)存之間的性能空位。

按照東芝的規(guī)劃，XL-FLASH會被首先應用于數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)級存儲當中，在分層存儲以及內(nèi)存擴展方面提供性能助力。XL-FLASH的成本雖然比普通3D TLC要高，但憑借更接近內(nèi)存的存取延遲，依然在SCM存儲級內(nèi)存中具備顯著成本/性能優(yōu)勢。

當然，XL-FLASH目前還只是剛剛發(fā)布的狀態(tài)，距離實用化、家用化還有很長一段路要走。近期我們可以關(guān)注的是東芝消費級的兩款NVMe固態(tài)硬盤新品：RD500與RC500。

RD500和RC500分別使用8通道和4通道主控設計，支持PCIe 3.0 x4接口與NVMe 1.3協(xié)議，搭配東芝第四代BiCS 3D TLC閃存。