上海華虹（集團(tuán)）有限公司（以下簡稱“華虹集團(tuán)”）在本次博覽會上集中展示了集團(tuán)集成電路工藝技術(shù)的最新研發(fā)成果及解決方案，并喜獲CITE 2018年度兩項(xiàng)金獎(jiǎng)。

展會首日，工信部電子信息司刁石京司長蒞臨華虹集團(tuán)展位考察指導(dǎo)，詳細(xì)詢問了解了華虹集團(tuán)28納米以下先進(jìn)工藝技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展和特色工藝的發(fā)展規(guī)劃。

此次參展 CITE 2018，華虹集團(tuán)攜8英寸和12英寸兩個(gè)芯片制造平臺，包括先進(jìn)邏輯工藝和以嵌入式存儲器、功率器件為代表的大批先進(jìn)特色工藝，以及模擬及電源管理、射頻和圖像傳感器等差異化工藝悉數(shù)亮相，工藝技術(shù)覆蓋1.0微米至90納米和55納米至28納米節(jié)點(diǎn)，全面展示了華虹集團(tuán)在當(dāng)下熱點(diǎn)應(yīng)用，如5G通訊、金融IC卡、物聯(lián)網(wǎng)、綠色能源、汽車電子等領(lǐng)域的布局，展現(xiàn)了華虹集團(tuán)在國內(nèi)高端集成電路芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)軍地位。

在最為引人矚目的CITE 2018金獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)環(huán)節(jié)中，集團(tuán)旗下華虹宏力和華力再次不負(fù)眾望，拿下了兩個(gè)“2018 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用金獎(jiǎng)”。華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝和華力的55納米SONOS嵌入式閃存工藝分別在眾多參選項(xiàng)目的評比中脫穎而出，受到業(yè)界專家的一致認(rèn)可。

華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺，是國內(nèi)最先進(jìn)的8英寸晶圓嵌入式存儲器技術(shù)，可制作目前全球8英寸晶圓代工廠中最小尺寸的嵌入式閃存單元，以高性能、高可靠性及高集成度實(shí)現(xiàn)了高端智能卡芯片的國產(chǎn)化。該90納米嵌入式平臺可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝完全兼容，采用低閾值電壓的5V器件，為客戶的電路設(shè)計(jì)提供了便利。與0.11微米嵌入式閃存工藝相比，該90納米嵌入式平臺的門密度與嵌入式存儲器IP性能均提升30%以上，功耗降低超30%，且總成本優(yōu)勢明顯，可為電信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等產(chǎn)品提供理想的芯片制造技術(shù)解決方案。此外，該平臺具有高度自有知識產(chǎn)權(quán)，已累計(jì)獲得國內(nèi)發(fā)明專利授權(quán)多達(dá)70件，美國專利授權(quán)20件。

另外，此次華力獲得“2018 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用金獎(jiǎng)”的55納米SONOS嵌入式閃存工藝各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)品市場應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，于2016年完成技術(shù)開發(fā)并開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，迄今已經(jīng)實(shí)現(xiàn)多家客戶、多顆產(chǎn)品的驗(yàn)證和量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋了低功耗物聯(lián)網(wǎng)存儲芯片、觸控芯片、高速M(fèi)CU、嵌入式FPGA、智能卡芯片、安全芯片等。該技術(shù)平臺為眾多國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司在集成電路領(lǐng)域的創(chuàng)新、突破提供了極具競爭力的基礎(chǔ)工藝和制造平臺，其數(shù)據(jù)保持能力的高可靠性、產(chǎn)品高良率以及相對來說的成本優(yōu)勢保證了國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品市場優(yōu)勢和突破國際壟斷的可能。此外，基于該平臺成功量產(chǎn)了高端電信卡、安全芯片、金融支付芯片等也在進(jìn)一步開發(fā)中，將為國家的信息和金融安全添磚加瓦。

新時(shí)代開啟新發(fā)展，華虹集團(tuán)將不忘初心，砥礪前行，為國家發(fā)展自主可控集成電路事業(yè)貢獻(xiàn)中堅(jiān)力量。