一年一度的MOS-AK器件模型國際會議在主辦方的積極籌備下， 將于今年的 6月15~16日兩天在北京舉辦。和2016年第一次舉辦MOS-AK會議的宗旨一樣， 希望MOS-AK WORKSHOP 作為設計公司和半導體廠橋梁，能夠讓更多設計工作者，半導體廠工作者參與進來，通過充分溝通交流，讓器件模型產(chǎn)業(yè)真正為國內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)服務，為國內(nèi)設計公司的產(chǎn)品獲得更好的核心價值和更高的附加價值。

此次活動由清華大學主辦，中國仿真學會集成微系統(tǒng)建模與仿真專委會，XMOD Technologies 作為協(xié)辦方配合工作。這次的邀請報告方面也是根據(jù)目前的市場熱點進行了選擇。在III-V族微波方面，邀請到了德國Fraunhofer IAF 有幾十年工作經(jīng)驗的專家，為大家講述 mHEMT 方面的器件模型，工藝，模塊和尖端應用，特別是國內(nèi)關心的MPW公開，也會帶來最新的信息。 來自國內(nèi)EDA龍頭企業(yè)華大九天，會給大家共享公司在TFT方面模型和設計的整個流程的案例，因為TFT模型的復雜性和其在應用中的驗證一直是比較棘手的問題。來自香港科技大學的教授會對Memeory 器件模型的難點重點刨析并提出解決方案，使之在大規(guī)模集成電路中的應用驗證成為可能。Qorvo的專家會對于TCAD simulation, modeling 和實際流片結(jié)果為什么有不匹配，做原理方面的解析，也提出了TCAD方面的局限性和需要注意的關鍵要點。 另外，我們?yōu)榇蠹覝蕚淞艘惶斓呐嘤?，主題是Succesful and Verified RF measurements for device modeling, 這個主題由IC-CAP modeling handbook的作者Dr. Franz Sischka 來主講，具體內(nèi)容，我們會在后期的MOS-AK Peking 活動更新中具體介紹。當然，我們也期待來自各行各業(yè)更多高質(zhì)量的投稿，使會議能夠覆蓋CMOS先進工藝節(jié)點、III-V、SOI、FINFET，SiGe HBT和目前比較熱門的硅光電工藝等，也能夠關聯(lián)更上一層面的TCAD工具、電路設計，讓參會者深刻理解模型的橋梁作用。

如果您是設計公司，通過參加這個活動，就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒有在一個起跑線上。如果您是半導體廠，通過參加這個活動，就能了解到設計公司的心聲，更好地為設計公司服務。因此，無論您處于半導體行業(yè)的哪個環(huán)節(jié)，這個活動都將是適合您的一道菜。

具體內(nèi)容請點擊下面的圖片放大后觀看，或者點擊閱讀原文可以到網(wǎng)站了解更多信息并且報名參會。為了讓更多半導體產(chǎn)業(yè)界的朋友們了解器件模型產(chǎn)業(yè)的活動，也煩請大家轉(zhuǎn)發(fā)給身邊的朋友，共同為爭取更深層次的中國半導體產(chǎn)業(yè)核心價值而努力。關心MOS-AK PEKING活動的朋友，也請關注我們的公眾號，留意最新信息發(fā)布。