2018年，將在清華大學(xué)舉辦的MOS-AK 北京器件模型會(huì)議（6月14-16日）, 大家投稿踴躍，超過了歷年，目前安排20篇演講報(bào)告。其中防輻射，高可靠性模型這塊的報(bào)告有4篇， III-V族高頻微波有7篇， 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)有3篇，器件基礎(chǔ)原理有2 篇，電路產(chǎn)品應(yīng)用有2篇，模型，測(cè)試平臺(tái)相關(guān)的2篇。我們有幸邀請(qǐng)到了業(yè)界專家來(lái)分享最近的產(chǎn)學(xué)研成果，讓大家充分認(rèn)識(shí)到器件模型的核心價(jià)值。邀請(qǐng)報(bào)告內(nèi)容覆蓋模型基礎(chǔ)，和模型相關(guān)的器件，電路和針對(duì)市場(chǎng)上的產(chǎn)品應(yīng)用，感興趣的，可以報(bào)名參會(huì)，和專家面對(duì)面交流。報(bào)名參會(huì)，請(qǐng)點(diǎn)擊閱讀原文。今天，我們簡(jiǎn)短分享其中的一些報(bào)告：

1. mHEMT based MMICs, Modules, and Systems for mmWave Applications

(Fraunhofer IAF &Ondosense)

文章首先從工藝角度，介紹德國(guó)Fraunhofer IAF 的HEMT 用的材料和結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)器件理想的溝道和外延特性，同時(shí)在溝通長(zhǎng)短方面，IAF也會(huì)介紹成熟的50nm mHEMT以及正在研發(fā)的35nm mHEMT 和 業(yè)界領(lǐng)先的20nm mHEMT。對(duì)于超高頻率器件的建模，電路，模塊設(shè)計(jì)，都會(huì)碰到非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn), 報(bào)告會(huì)分別介紹在這些方面所取得的進(jìn)展，同時(shí)也會(huì)帶來(lái)工業(yè)界的應(yīng)用解決方案，比如芯片用于定位，材料無(wú)損測(cè)試，液體監(jiān)測(cè)，人體, 財(cái)產(chǎn)安全檢測(cè)等，屬于一個(gè)非常典型的產(chǎn)學(xué)研報(bào)告。

2. What Silicon Modelers Should Know About III-Vs for TCAD（Qorvo)

美國(guó)Qorvo的文章介紹了III-V器件如果用TCAD仿真，必須注意的幾個(gè)要點(diǎn)。一般來(lái)說，由于III-V電路簡(jiǎn)單，生產(chǎn)周期短，用TCAD比較少，然而隨著越來(lái)越復(fù)雜的THz電路，TCAD 也有其必要性。在做仿真的時(shí)候，需要注意以下幾點(diǎn)：

A: III-V HBT 器件外延生長(zhǎng)時(shí)，帶入的摻雜分布和材料特性有不一致性

B: 仿真器中的材料模型參數(shù)可能和實(shí)際的材料不同

C: 異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶偏移不能明確知道

D: 需要硅材料中的velocity vs. field 類似模型解決收斂問題

3. Recent development of first-principle approach for computational nanoelectronics （IOS， CAS)

半導(dǎo)體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來(lái)計(jì)算納米電子，通過對(duì)二維（2D）材料為基礎(chǔ)的亞10nm晶體管的性能極限仿真來(lái)做實(shí)驗(yàn)，然而，對(duì)于現(xiàn)實(shí)晶體管，需要采用大規(guī)模算法用于模擬數(shù)千個(gè)原子系統(tǒng)，同時(shí)還采用第一性原理結(jié)合MARCUS電荷轉(zhuǎn)移理論或輸運(yùn)方程研究電荷陷阱缺陷，以形成多尺度模擬可靠性退化機(jī)制，如典型MOS晶體管中的偏置溫度不穩(wěn)定性（BTI）和在3D NAND閃存中的橫向電荷損失。最后，提出了對(duì)百萬(wàn)原子級(jí)別的真實(shí)器件，用未來(lái)第一性原理方法進(jìn)行模擬的一些物理性展望。

PS：Compact modeling workshop Agenda （最新器件模型會(huì)議日程）

6月14日培訓(xùn)課程：

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