美光首席執(zhí)行官桑賈伊·梅赫羅特拉表示,2019 年抑制價格上漲的存儲芯片正處于一個轉折點,存儲行業(yè)將會迎來更好。因此,接下來的兩個財政季度應開始顯示出更好的結果。
梅赫羅特拉的觀點也許是正確的。然而,他可能過于樂觀了。有關 DRAM 或 NAND 定價的最新數(shù)據(jù)均未顯示反彈實際上正在形成。這僅表明內(nèi)存價格正在難以接受的低位徘徊。讓我們仔細看看這一切對股票的近期前景意味著什么。
自 2018 年初以來,美光(Micron)和其他計算機內(nèi)存技術制造商(例如三星 ) 和 SK Hynix)一直在努力應對內(nèi)存芯片價格下跌。當時,DRAM 的成本超過每 GB 6 美元?,F(xiàn)在,它的價格不到 3 美元。
當然,過度生產(chǎn)(相對于需求)是罪魁禍首。與 NAND 定價同上,現(xiàn)在大約是 2018 年初價格的四分之一,這要歸功于上述三星,SK Hynix 和美光等公司的積極輸出。這是我們過去從內(nèi)存行業(yè)看到的一個周期。
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梅赫羅特拉認為最糟糕的時期已經(jīng)過去。他在本月早些時候發(fā)布優(yōu)于預期的第一季度財務業(yè)績時發(fā)表的官方評論中寫道:“我們對美光第二季度的財務狀況將是我們財務業(yè)績的周期性底部感到樂觀,”他預計明年將會出現(xiàn)新的技術投資浪潮。另外,他在接受 MarketWatch 采訪時解釋說:“情況將持續(xù)改善,并在第三季度逐步恢復,并在第四季度持續(xù)增長。”
這是可能的,因為一切皆有可能。不過,按照價格趨勢或生產(chǎn)趨勢 - 或需求趨勢分析,他的論點并不成立。
在梅赫羅特拉的辯護下,直到供過于求逆轉之前,定價數(shù)據(jù)都不會確定好轉。需求擴大是在供應減少之前,而 DRAM 或 NAND 價格要等到市場認識到可以實現(xiàn)更高的價格后才能恢復。
但是,如果經(jīng)濟正在復蘇,人們?nèi)匀幌M辽倏吹竭m度的變化以改善價格。在今年的經(jīng)濟危機之后,兩者實際上都已趨于平緩,好于進一步惡化。不過,實際上都沒有暗示會好轉。電腦零件定價網(wǎng)站 PC Parts Picker 表示,兩個 8 GB DRAM 芯片的當前零售價接近 90 美元,就在本月初觸及的多年低點之后。趨勢是淺的,但技術上仍在下降。
固態(tài)存儲驅動器(SSD)仍然處于低迷狀態(tài)。1 TB 固態(tài)硬盤現(xiàn)在的售價約為 160 美元,低于去年初的近 300 美元,但仍接近 10 月份觸及的多年低點 150 美元左右。像 DRAM 價格一樣,NAND 價格在技術上也在下降。
同樣,如果制造商真正尋求支持價格,我們預計至少總內(nèi)存產(chǎn)量會小幅下降。但是我們也沒有看到。實際上,我們看到的恰恰相反。
TrendForce 的內(nèi)存市場數(shù)據(jù)網(wǎng)站 DRAMExchange 報道,11 月份的 2 GB(或等效)內(nèi)存芯片的產(chǎn)量與全年最高的月產(chǎn)量并列。順便說一句,與 2019 年 10 月的產(chǎn)量密切相關,自 2019 年初以來擴大了產(chǎn)量的廣泛增長。
最近出現(xiàn)的一些增長歸因于中國新的 DRAM 制造商長鑫存儲,該公司直到 9 月下旬才開始生產(chǎn)。不過,考慮到中國的全球貿(mào)易歷史,建議長鑫對幫助保持 DRAM 供需之間的健康平衡可能影響不大。
如果現(xiàn)在真正結束了供過于求的局面,那么內(nèi)存將迎來增長。當然,永遠不要說永遠。實際上,毫無疑問,兩種類型的內(nèi)存價格遲早都會反彈。問題是,多久之后、反彈多少?羅特拉描繪出令人鼓舞的景象,而投資者也對此表示歡迎。但是,這種言論與當前表格上的數(shù)據(jù)并不吻合。
為此,差不多一年前的今天,梅赫特羅拉談論的是價格反彈在 2019 年下半年初具規(guī)模。下半年現(xiàn)在快要結束了,仍然沒有明顯的復蘇跡象。事情實際上實際上正在變得更糟。如果去年的語言錯了,或者至少為時過早,那么最新的預測也可能是錯的。
唯一的亮點是美光以便宜的價格出售了更多的存儲技術。
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