(文章來源:電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng))
在存儲(chǔ)器技術(shù)繼續(xù)延續(xù)摩爾定律發(fā)展的同時(shí),以新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件為特點(diǎn)的超越摩爾定律為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)提供了新的發(fā)展方向。三維異質(zhì)器件系統(tǒng)集成成為發(fā)展趨勢(shì),三星、鎂光、英特爾、海力士等企業(yè)在三維器件制造與封裝領(lǐng)域發(fā)展迅速。
英特爾聯(lián)合鎂光推出革命性的3D Xpoint新技術(shù);三星實(shí)現(xiàn)多層3D NAND閃存,成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的顛覆性產(chǎn)品。海力士采用超均一垂直植入技術(shù)、高信賴多層薄膜構(gòu)成技術(shù)、超高速低電力線路設(shè)計(jì)等技術(shù),首次實(shí)現(xiàn)了128層堆棧4D NAND。
隨著市場(chǎng)需求的多樣化以及因工藝的限制及功耗的考慮,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入一個(gè)必須評(píng)估及發(fā)展替代技術(shù)的時(shí)代,特別是開發(fā)出可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性和快速、低壓(低能量)的新型存儲(chǔ)器。經(jīng)過數(shù)十年的研發(fā),磁性存儲(chǔ)器(MRAM)、相變存儲(chǔ)器(PCRAM)和電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)等新型存儲(chǔ)器即將在不遠(yuǎn)的未來投入商業(yè)化應(yīng)用。
MRAM具備隨機(jī)讀寫速度快、非易失性和低功耗等眾多優(yōu)點(diǎn),未來將成為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的首選存儲(chǔ)器。ReRAM技術(shù)有多種實(shí)現(xiàn)形式,其特色在于即使擁有超高密度,仍能達(dá)到極小的平均讀取電流。PCRAM以熱量作為編程機(jī)制將高度非晶態(tài)的材料排列轉(zhuǎn)變?yōu)榫w排列,所以在使用過程中即使斷電,這種狀態(tài)也不會(huì)消失,同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)很快的擦寫速度。
? ? ? ?總之,DRAM、閃存等主流存儲(chǔ)器用了幾十年才走向成熟,而且仍在不斷發(fā)展。然而,這些存儲(chǔ)器的演進(jìn)愈發(fā)困難,特別是性能、功率和成本方面。新興存儲(chǔ)器有望實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更低的成本,是首選的補(bǔ)充方案,在某些情況下甚至可以替代當(dāng)今的主流技術(shù)。
評(píng)論