克制，2013 年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模接近 690 億美元，而 DRAM 和 NAND Flash就占據(jù)了約 600 億美元，占比超過 85%。
2016-03-29 15:07:19
6057 技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月 6月20日上午，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期廠房為施工主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè)工地開工建設(shè)。 在開工儀式上，紫光集團(tuán)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公
2020-06-22 10:57:007923 NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲(chǔ)器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171180 
研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。
2015-11-11 09:03:54421 根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:093440 紫光旗下同方國(guó)芯提出私募 800 億元人民幣的增資案，用于 Flash 產(chǎn)業(yè)。本篇報(bào)告分析中國(guó)和國(guó)際在 NAND 的現(xiàn)況和計(jì)畫，討論中國(guó)在 NAND 的發(fā)展機(jī)會(huì)。
2016-04-18 11:05:393351 武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動(dòng)，瞄準(zhǔn)記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對(duì)武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢(mèng)，一個(gè)躋身記憶體大廠的夢(mèng)。
2016-04-18 14:33:324550 對(duì)中國(guó)大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。三個(gè)地方加一個(gè)企業(yè)牽頭的“3+1”存儲(chǔ)器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:44833 業(yè)界傳出，清華紫光集團(tuán)有意拉武漢新芯，搶進(jìn)NAND Flash市場(chǎng)，采取類似美光與臺(tái)DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車，并且與美光洽談技術(shù)授權(quán)，加速紫光集團(tuán)發(fā)展壯大的時(shí)間。
2016-07-12 10:06:531169 武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲(chǔ)器。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)出任
2016-08-02 17:57:401620 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲(chǔ)器芯片廠將于12月初動(dòng)工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無力生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的局面，完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬片，2030年躍升至100萬片，成世界級(jí)存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:59996 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲(chǔ)器戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:21839 2016年，紫光集團(tuán)與武漢新芯攜手的傳聞落地。根據(jù)雙方發(fā)布的消息，由紫光集團(tuán)和武漢新芯聯(lián)手組建的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于7月26日注冊(cè)成立。這意味著中國(guó)最大的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)基地初見雛形。
2017-01-10 20:13:243032 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快
2022-01-26 07:56:35
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
清楚，請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持。表1 NandFlash分區(qū)信息NAND Flash存儲(chǔ)器分區(qū)??EPC-6Y2C-L板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注
2021-12-15 06:34:30
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
為我國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資，計(jì)劃投資1600億元，打造國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦只讀存儲(chǔ)器Electrically Erasable Programmable Read – Only ...
2021-07-22 08:16:03
閃存?！ ∠?quot;flash存儲(chǔ)器"經(jīng)常可以與相"NOR存儲(chǔ)器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是
2018-08-09 10:37:07
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
市場(chǎng)2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國(guó)已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購的依賴，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
11月15日晚，2022年度硬核中國(guó)芯評(píng)選頒獎(jiǎng)盛典在深圳同泰萬怡酒店·3A層宴會(huì)廳隆重舉行，揭曉“2022硬核中國(guó)芯”最終評(píng)選結(jié)果。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司 （以下簡(jiǎn)稱“武漢芯源”） 成功斬獲雙獎(jiǎng)
2022-11-21 17:21:48
未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
NAND-Flash的拓荒者的角色，今年三月還宣布投資240億，用來研究生產(chǎn)NAND FLASH和DRAM。通過此次并購，武漢新芯將獲得清華紫光強(qiáng)大的財(cái)力和完整的產(chǎn)業(yè)鏈，組成中國(guó)強(qiáng)大的“NAND Flash”CP，迎戰(zhàn)
2016-07-29 15:42:37
，通常容量較小，主要用于存儲(chǔ)代碼；Nand Flash，容量較大，主要用于存儲(chǔ)資料，如數(shù)碼相機(jī)中所用的記憶卡。 簡(jiǎn)單來說，可概括為一張圖描述，“太長(zhǎng)不看版”可參照下圖： 具體來說，這兩種存儲(chǔ)器有何
2023-02-17 14:06:29
有兩個(gè)問題請(qǐng)教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲(chǔ)器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲(chǔ)器，如何從外部設(shè)備啟動(dòng)呢？有沒有這樣的例程或者手冊(cè)可以供我參考？我想外接一個(gè)flash存儲(chǔ)器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲(chǔ)器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
一、Nand Flash 簡(jiǎn)介Flash 中文名字叫閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（斷電數(shù)據(jù)不丟失）的存儲(chǔ)器?？梢詫?duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。功能性分為
2016-07-06 16:58:53
單元物理結(jié)構(gòu)上的改善等，使低電壓?jiǎn)我浑娫搭愋偷拈W速存儲(chǔ)器也形成產(chǎn)品。以文件為使用目的的AND及NAND兩種類型的閃速存儲(chǔ)器目前已在市場(chǎng)上流通，應(yīng)用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際
2006-03-11 11:47:191206 
Flash 存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
The flash translation layer is an additional software layer between the file system and the NAND
2011-03-31 17:29:2187 如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能；紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09572 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等。
2017-10-10 10:54:1124236 
FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無需后備電源來保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲(chǔ)器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 flash存儲(chǔ)器，及閃速存儲(chǔ)器，這一類型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn)，是人們使用電腦辦公或者娛樂時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對(duì)決紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)及聯(lián)電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù)，爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座。
2017-11-24 12:51:38431 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠，另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:401970 根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
2018-01-06 10:32:382146 國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊（5G ）擴(kuò)增實(shí)境（AR）/虛擬實(shí)境（VR）及人工智慧（AI）將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲(chǔ)存型（NAND Flash）為主要爭(zhēng)戰(zhàn)焦點(diǎn)。
2018-07-06 09:42:00473 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國(guó)平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前，韓國(guó)媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
萬勇透露，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房，首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器大廠華邦電（2344）積極搶攻車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面（QSPI）下的最高傳輸速度可達(dá)每秒83MB
2018-06-21 16:33:001565 中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)，預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00450 NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page NAND FLASH），多個(gè)頁面組成
2020-05-20 08:57:002761 
背景知識(shí)的情況下，可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)之后，紫光再投240億美元，打造紫光成都存儲(chǔ)器制造基地！2018年10月12日， 紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工儀式在成都雙流舉行。 省委常委、市委書記范銳平出席活動(dòng)，市委副書記、市長(zhǎng)羅強(qiáng)致辭并宣布
2018-10-15 17:07:02783 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 對(duì)于紫光來說，在10月最大的一筆投資莫過于10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工。
2018-10-22 16:59:501946 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 ，也為在中國(guó)大陸西安的X2晶圓廠訂購了NAND Flash快閃存儲(chǔ)器設(shè)備，顯示已經(jīng)逐漸又恢復(fù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的布局。而這樣的狀態(tài)下，未來可能將沖擊中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)器廠商的營(yíng)運(yùn)狀況。
2019-10-30 15:15:302760 據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對(duì)市場(chǎng)的帶動(dòng)作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場(chǎng)逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價(jià)期，NAND Flash存儲(chǔ)器終于迎來一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484034 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 6月20日，紫光集團(tuán)發(fā)布消息，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，達(dá)產(chǎn)后與一期項(xiàng)目合計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)30萬片。
2020-06-23 10:10:082987 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 NAND-Flash Nand Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有讀寫速度快.功耗低.存儲(chǔ)密度高等優(yōu)點(diǎn)，目前被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如固態(tài)硬盤( SSD)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等。
2021-05-05 13:01:003569 
Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快
2021-12-02 09:06:0812 Flash Memory是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1259808 
Nand Flash存儲(chǔ)器內(nèi)部是由存儲(chǔ)單元“浮置柵晶體管”陣列排布組成，每一個(gè)“浮置柵晶體管”包括2個(gè)柵極：一個(gè)控制柵極和一個(gè)浮置柵極。
2022-02-08 16:59:170 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī)，肯定會(huì)考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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