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DRAM內(nèi)存沒有增產(chǎn)將導致內(nèi)存、閃存今年集體漲價

2017年01月16日 13:59 互聯(lián)網(wǎng) 作者: 用戶評論(0

  從2016年下半年開始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。

  

  據(jù)***經(jīng)濟日報報道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào),NAND閃存因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。

  日前,金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃,而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存,造成DRAM內(nèi)存供需短缺。

  值得一提的是,三星是這波DRAM內(nèi)存價格上漲的主要推手。目前,三星超過7成產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果以及自家手機、大陸的OPPO/vivo瓜分,能供應給其它品牌的十分有限,其產(chǎn)能轉(zhuǎn)型為成長速度最快的3D NAND閃存。

  其它廠家也有跟進,但良品率都不及三星,讓三星有資格和能力主導價格調(diào)整,以彌補其Note 7手機停產(chǎn)造成的損失。

  除了DRAM內(nèi)存供需失衡外,相關(guān)PCB板材料短缺,也是價格上漲的因素之一。

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( 發(fā)表人:彭菁 )

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