99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

您好,歡迎來電子發(fā)燒友網(wǎng)! ,新用戶?[免費(fèi)注冊]

您的位置:電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子百科>半導(dǎo)體技術(shù)>基礎(chǔ)知識>

干法刻蝕原理

2010年07月18日 11:28 www.socialnewsupdate.com 作者:本站 用戶評論(0
關(guān)鍵字:原理(44619)

干法刻蝕原理

刻蝕作用:去除邊緣PN結(jié),防止上下短路。
干法刻蝕原理:利用高頻輝光放電反應(yīng),使CF4氣體激活成活性粒子,這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位,在那里與硅材料進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除。
干法刻蝕化學(xué)方程式:

去磷硅玻璃作用:去除硅片表面因擴(kuò)散形成的磷硅玻璃層,并清潔表面,為PECVD做準(zhǔn)備。
去磷硅玻璃原理:利用HF與SiO2反應(yīng),去除磷硅玻璃層。
去磷硅玻璃化學(xué)方程式:

非常好我支持^.^

(8) 50%

不好我反對

(8) 50%

( 發(fā)表人:admin )

      發(fā)表評論

      用戶評論
      評價(jià):好評中評差評

      發(fā)表評論,獲取積分! 請遵守相關(guān)規(guī)定!

      ?