單結(jié)晶體管的工作原理和特性曲線

當(dāng)b1—b2．間加電源VBB，且發(fā)射極開路時(shí)，A點(diǎn)電位及基極b2的電流為：

式中η稱為單結(jié)晶體管的分壓比，其數(shù)值主要與管子的結(jié)構(gòu)有關(guān)，一般在0.5～0.9之間。

圖3 單結(jié)晶體管特性曲線的測(cè)試

當(dāng)e一b1電壓Ueb1為零或(Ueb1< UA)時(shí)，二極管承受反向電壓，發(fā)射極的電流Ie為二極管的反向電流，記作IEO。

當(dāng)Ueb1增大，使PN結(jié)正向電壓大于開啟電壓時(shí)，則IE變?yōu)檎螂娏?，從發(fā)射極e流向基極b1,此時(shí)，空穴濃度很高的P區(qū)向電子濃度很低的硅棒的A—b1區(qū)注入非平衡少子；由于半導(dǎo)體材料的電阻與其載流子的濃度緊密相關(guān)，注入的載流子使rb1減小；而且rb1的減小，使其壓降減小，導(dǎo)致PN結(jié)正向電壓增大，IE隨之增大，注入的載流子將更多，于是rb1進(jìn)一步減??；當(dāng)IE增大到一定程度時(shí)，二極管的導(dǎo)通電壓將變化不大，此時(shí)UEB1。將因rb1的減小而減小，表現(xiàn)出負(fù)阻特性。

負(fù)阻特性:是指輸入電壓增大到某一數(shù)值后，輸入電流愈大，輸入端的等效電阻愈小的特性。

一旦單結(jié)晶體管進(jìn)入負(fù)阻工作區(qū)域，輸入電流IE的增加只受輸入回路外部電阻的限制，除非將輸入回路開路或?qū)E減小到很小的數(shù)值，否則管子將始終保持導(dǎo)通狀態(tài)。

單結(jié)晶體管的特性曲線

如圖3，當(dāng) UEB1增大至UP(峰點(diǎn)電壓)時(shí)，PN結(jié)開始正向?qū)?，UP=UA+Uon；UEB1再增大一點(diǎn)，管子就進(jìn)入負(fù)阻區(qū)，隨著IE增大，rb1減小，UEB1減小，直至UEB1=Uv(谷點(diǎn)電壓)。IE=IV谷點(diǎn)電流)，IE再增大，管子進(jìn)入飽和區(qū)。單結(jié)晶體管有三個(gè)工作區(qū)域

單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性廣泛應(yīng)用于定時(shí)電路和振蕩電路之中。除了單結(jié)晶體管外，具有負(fù)阻特性的器件還有隧道二極管、A雙極型晶體管、負(fù)阻場(chǎng)效應(yīng)管等。