重視技術落地，應用領域不斷拓寬

中芯國際精通技術移植的應用、多領域解決方案陸續(xù)推出。該公司同行專注于在先進的數(shù)字邏輯部分的競爭，而中芯國際的戰(zhàn)略是有選擇的研發(fā)突破并領導相應細分領域技術，同時堅持投資先進的數(shù)字邏輯技術。公司將其制程工藝廣泛應用于CMOS圖像傳感器 （CIS）、多元化eNVM技術平臺、IoT Solutions、混合信號/射頻工藝技術、面板驅動芯片（DDIC）、CMOS 微電子機械系統(tǒng)以及非易失性存儲器等領域。公司通過陸續(xù)推出新技術，鞏固已有市場份額，同時獲得新的市場份額。

1）CMOS圖像傳感器 （CIS）

CMOS圖像傳感器產業(yè)保持高速增長。在移動設備和汽車應用的驅動下，2015年~2021年，CMOS圖像傳感器（CIS）產業(yè)的復合年增長率為10.4%，預計市場規(guī)模將從2015年的103億美元增長到2021年的188億美元。運動相機似乎已經達到市場上限，但是新的應用，如無人機、機器人、虛擬現(xiàn)實（VR）和增強現(xiàn)實（AR）等，正促使CMOS圖像傳感器市場煥發(fā)新的生機。

與此同時，汽車攝像頭市場已經成為CMOS圖像傳感器的一個重要增長領域。先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的發(fā)展趨勢進一步提高對傳感器供應商的壓力，以提升其傳感技術能力。圖像分析是新興需求，并且人工智能的早期應用正吸引眾人的目光。預計2015年-2021年，汽車CMOS圖像傳感器市場的復合年增長率將高達23%。因此，我們認為2021年之前，全球CMOS圖像傳感器的市場增長不會出現(xiàn)放緩的趨勢。公司作為CMOS頭像傳感器晶圓制造企業(yè)，是產業(yè)的關鍵節(jié)點，未來將受益于行業(yè)增長，分享行業(yè)紅利。

公司擁有十年以上在CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor， CIS）的制造經驗。目前，中芯國際為客戶提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技術。同時我們也可以為客戶提供從晶片、 彩色濾光片、微透鏡到封裝測試的一站式服務。

公司已于2016年成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器（CIS）工藝技術，在此工藝下生產的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪聲和相對照度都將得到增強。

公司在中國提供完整的 CIS 代工服務，基于其豐富的領域經驗，該0.11微米 CIS 技術能力可以為客戶提供除0.15，0.18微米以外領先的解決方案及有競爭力的成本優(yōu)勢。該高度集成、高密度 CIS 解決方案，同時適用于鋁和銅后端金屬化工藝，可廣泛應用于攝像手機、個人電腦、工業(yè)和安全市場等領域。公司在該技術領域已經開始進入試生產階段，未來幾個月后也將在其200和300毫米芯片生產線上實現(xiàn)商業(yè)化生產。

2）推出多元化eNVM技術平臺

公司早在2013年推出多元化嵌入式非揮發(fā)性記憶體（eNVM）平臺。目前公司擁有公認的制造能力，可以提供具有成本競爭力的嵌入式非揮發(fā)性記憶體平臺。公司提供了完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲技術與廣泛IP支持，可應用于智能卡、MCU和物聯(lián)網應用。這些嵌入式非揮發(fā)性存儲技術提供高性能，低功耗與卓越的耐久性和資料保存性能。

這些工藝可提供客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產品，和更具經濟效益的解決方案。包括OTP、MTP、0.18微米和0.13微米（μm）eEEPROM（嵌入式EEPROM）技術和0.13微米低功耗（LL）的嵌入式閃存（eFlash）技術，以及正在進行的新型非揮發(fā)性存儲技術，如相變化存儲技術、阻變式存儲技術和磁阻式存儲技術。

公司eNVM平臺適用于消費者、工業(yè)產品、汽車電子等廣泛的產品應用，諸如MCU （微控制器）、觸控屏；以及一系列的智能卡應用領域（涵蓋SIM卡、社會保障、交通運輸和銀行卡等）。通常這些應用對性能、可靠性、尺寸、功耗具有較高的要求。公司現(xiàn)已與諸多業(yè)界知名企業(yè)在eNVM平臺上合作，目前該平臺處于量產階段。

3）IoT Solutions

公司提供完整的一站式IoT技術平臺打造智能、安全的物聯(lián)世界通過不斷優(yōu)化成熟工藝平臺，公司提供完整的一站式物聯(lián)網（Internet of Things， IoT）工藝、制造和芯片設計服務。并攜手集成電路生態(tài)鏈合作伙伴，為設計公司生產物聯(lián)網智能硬件相關芯片產品，用于智能家居、能源、安防、工業(yè)機器人、可穿戴式設備、汽車、交通、物流、環(huán)境、智能農業(yè)、健康監(jiān)護及醫(yī)療等多個領域。

作為中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，公司能夠提供專業(yè)、安全、完整的本土化服務，幫助設計公司縮短入市時間，降低成本，在蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網市場中占據有利地位。

8寸和12寸技術平臺均已完備 – 55納米低漏電嵌入式閃存平臺已進入穩(wěn)定量產

物聯(lián)網產品通常具有功能多樣性以及快速的上市響應等特點，產品結構以傳感、微處理、存儲、互聯(lián)為主，注重微小體積和超低功耗。基于公司的0.18微米到28納米的低功耗邏輯及射頻工藝，結合外置高容量存儲器，設計公司可選擇用于智能家居、可穿戴式設備、智慧城市等各類物聯(lián)網產品；0.13微米和55納米低漏電嵌入式閃存（embedded Flash）工藝進一步整合內置存儲器。采用公司55納米低功耗嵌入式閃存技術的智能卡芯片已成功進入穩(wěn)定量產。

卓越的SPOCULLTM 95ULP超低功耗和55納米超低功耗技術平臺

公司推出了SPOCULL 95ULP超低功耗技術平臺。此8’’工藝平臺提供業(yè)界最高密度最小面積的SRAM，極低的漏電流、功耗和寄生電容。在12’’工藝平臺上， 公司同時也推出55納米ULP超低功耗技術平臺。以95ULP和55納米ULP為主要超低功耗技術節(jié)點，通過進一步降低產品操作電壓、工藝器件優(yōu)化和IP設計優(yōu)化，極大減低產品的動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，延長系統(tǒng)待機時間和使用效率，并通過整合射頻和嵌入式存儲器技術，優(yōu)化成本結構和安全性能。

公司提供微機電系統(tǒng)（MEMS）傳感的技術平臺

公司還提供微機電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術平臺，能夠打造集射頻、基帶、微處理器、嵌入式閃存、微機電系統(tǒng)傳感器于一體的單芯片系統(tǒng)（SoC）、系統(tǒng)級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）、2.5D封裝等一站式服務，有助于縮短產品入市周期，優(yōu)化產品成本和結構形態(tài)。

全面的物聯(lián)網（IoT）IP生態(tài)系統(tǒng)

除了自身的工藝技術平臺以外，公司還積極創(chuàng)建全面的物聯(lián)網IP生態(tài)系統(tǒng)。通過與國內外眾多IP合作伙伴建立的良好合作關系，公司可在射頻、基帶、嵌入式閃存、CPU 和DSP IP核、基礎單元庫IP、電源管理類IP、信息安全類IP和模擬接口類IP等方面提供完備的、高質量的IP和設計服務。

4）混合信號/射頻工藝技術

公司提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術。通過與國際領先EDA工具供應商的合作， SMIC提供精確的RF SPICE 模型和完整的PDK 工具包，涵蓋從0.18微米工藝到28納米PolySiON 工藝。 這一系列工藝技術用于射頻和無線互聯(lián)芯片制造并被廣泛應用于消費電子，通信，計算機以及物聯(lián)網等市場領域。

5）面板驅動芯片（DDIC）

公司高壓工藝為計算機和消費類電子產品以及無線通訊LCD驅動等廣泛應用領域提供一個經濟有效的平臺。公司同時提供95納米 SPOCULL 高壓平臺，該平臺的技術性能優(yōu)越，具備超低功耗的特性來支持可穿戴式設備的應用，具備eNVM來支持in-cell面板的技術，可廣泛應用于面板驅動，in-cell面板及AMOLED面板等。

6）CMOS 微電子機械系統(tǒng)

公司的MEMS方案主要集中在兩大主流應用領域：第一種為MEMS麥克風，是開放式結構，目前已經進入量產；第二種慣性傳感器，是封閉式結構，于2016年2Q進入小量量產。

7）非易失性存儲器

公司擁有公認的制造能力，可以提供具有成本競爭力的嵌入式閃存技術。公司提供了完整的嵌入式閃存技術與廣泛IP支持，可應用于智能卡，MCU和單芯片。這些嵌入式閃存技術IP提供快速的程序設計和擦除時間，低功耗與卓越的可靠性和資料保存性能。公司還提供了ETOX NOR閃存技術解決方案，涵蓋從0.18微米到65納米。這些工藝可提供客戶制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的產品。

集成電路產業(yè)轉移的“雁行模式”給中芯帶來的機遇

集成電路的最初形態(tài)為垂直整合的運營模式，系統(tǒng)企業(yè)內設集成電路的制造部門，僅用于滿足企業(yè)自身產品的需求。美國的AT&T是最先采用垂直整合模式的企業(yè)，隨后IBM的集成電路制造部門為IBM自行生產的大型計算機提供處理器。隨著集成電路技術的擴散，日本日立、NEC、富士通、東芝等企業(yè)，歐洲的西門子、飛利浦等電子公司都采用了這種模式。

IDM是繼垂直整合模式之后的新模式，由集成電路制造商自主設計與銷售由自己的生產線加工、封裝、測試后的成品芯片。與垂直整合模式不同的是，IDM企業(yè)的產品是滿足其他系統(tǒng)廠商的要求，最典型的例子就是美國的Intel公司。IDM模式的優(yōu)點在于IDM廠商可以根據市場特點制造綜合發(fā)展戰(zhàn)略，可以更加精細地對設計、制造、封測每個環(huán)節(jié)進行質量控制。IDM模式不需要外包且利潤較高，但其劣勢在于投資額加大、風險較高，要有不斷推出優(yōu)勢產品作保證，而且IDM模式的技術跨度較大，橫跨了三個環(huán)節(jié)，企業(yè)不僅需要考慮每個環(huán)節(jié)的技術問題，而且還要綜合協(xié)調三大環(huán)節(jié)，加大了企業(yè)的運營難度。

隨著集成電路產業(yè)的不斷演變，國際IDM大廠外包代工的趨勢也日益明顯，逐漸催化了Fabless+Foundry+OSAT模式。

半導體制造在半導體產業(yè)鏈里具有卡口地位。制造是產業(yè)鏈里的核心環(huán)節(jié)，地位的重要性不言而喻。在半導體價值鏈里，占據最為重要的一環(huán)。統(tǒng)計行業(yè)里各個環(huán)節(jié)的價值量，制造環(huán)節(jié)的價值量是最大的，因為Fabless+Foundry+OSAT的模式成為趨勢，F(xiàn)oundry在整個產業(yè)鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認為，F(xiàn)oundry是一個卡口，產能的輸出都由制造企業(yè)所掌控。

“made in china”品牌下 整機制造領域滲透率已經提升到邊際增長曲線斜率趨緩階段。中國制造經過這些年的發(fā)展，在下游整機制造半導體產業(yè)的下游應用市場，中國占42%，是非常主要的市場。其中智能手機占全球28%，LCD TV占全球24%。 PC/Notebook占全球 21%. 平板》21%。這幾個數(shù)據說明，全球各類電子類產品的下游應用需求，中國是重中之重。

“中國制造”要從下游往上游延伸，在技術轉移路線上，半導體制造是“中國制造”尚未攻克的技術堡壘。中國是個“制造大國”，但“中國制造”主要都是整機產品，在最上游的“芯片制造”領域，中國還和國際領先水平有很大差距。在從下游的制造向“芯片制造”轉移過程中，一定會涌現(xiàn)出一批領先的代工企業(yè)。

日本經濟學家赤松要在1956年提出了產業(yè)發(fā)展的“雁行模式”，認為日本的產業(yè)發(fā)展經歷了進口、進口替代、出口、重新進口四個階段。從這個角度來看，中國的集成電路正在經歷當年日本所經歷過的路線。

世界的集成電路經過了兩次產業(yè)轉移，第一次在20世紀70年代末，從美國轉移到了日本，造就了富士通、日立、東芝、NEC等世界頂級的集成電路制造商；第二次在20世紀80年代末，韓國與***成為這一次轉移過程中的受益者，崛起了三星和臺積電這樣的制造業(yè)巨頭。

集成電路產業(yè)的產業(yè)轉移也包含著一定的技術特征，轉移路徑按照勞動密集型產業(yè)—〉資本技術密集產業(yè)—〉技術密集與高附加值產業(yè)。第一階段的產業(yè)轉移為封裝測試環(huán)節(jié)，美國很多半導體企業(yè)或將自身的封測部門賣出剝離，或是將測試工廠轉移到東南亞，在產業(yè)轉移過程中，***的很多封測企業(yè)開始崛起，比如日月光和矽品等。第二階段的產業(yè)轉移為制造環(huán)節(jié)，這和集成電路產業(yè)分工逐漸細分有關系。集成電路的生產模式由原先的IDM為主轉換為Fabless+Foundry+OSAT，產業(yè)鏈里的每個環(huán)節(jié)都分工明確。在制造轉移的過程中，***的TSMC崛起成為現(xiàn)在最大的代工廠。

目前，憑借巨大的市場需求，較低的人工成本，中國的OSAT和Foundry正有接力***，成為未來5年產業(yè)轉移的重點區(qū)域。

本土半導體市場需求和供給仍然錯配，有潛力去進行國產替代。中國大陸地區(qū)的半導體銷售額占全球半導體市場的銷售額比重逐年上升，從2008年的18%上升到1H2016的31%，同時中國半導體制造產能僅為全球的12%，需求和供給之間存在錯配。

中國整機商品牌提升，“本土化”提供完整產業(yè)鏈機會。以智能手機為例，除了三星蘋果之外，越來越多的中國本土品牌開始在市場上滲透，并逐漸有了話語權。國產手機包括華為、OPPOVIVO等，年出貨量都已經超過了1億部，并且還保持了可觀的增速。在智能手機領域，越來越多的國產品牌正在浮出水面。從這個維度來看，我們看好國內從整機到上游的價值傳導。

國內從上游的芯片設計制造到下游的整機已經形成完整產業(yè)鏈，帶來可期待的產業(yè)鏈協(xié)同效應。我們看到中國正在形成從整機到上游芯片完整產業(yè)鏈的布局，這一點同***美國韓國不同，***的電子集中在上游的芯片，從Fabless+Foundry+OSAT，但是欠缺下游的整機品牌，同時芯片環(huán)節(jié)沒有形成規(guī)模的集群效應，芯片每個環(huán)節(jié)只有一兩家龍頭企業(yè)；美國在芯片設計領域是全球最強，但是下游的整機品牌數(shù)量正在被中國逐漸超過；韓國和***的格局有些類似，有一些大而全的企業(yè)，但是缺乏完整的集群效應。只有中國，憑借廣闊的下游市場和完整的集成電路產業(yè)鏈，正在逐漸崛起。

中國的設計公司崛起給本土制造商帶來驅動效應，本土虛擬IDM構建會成為產業(yè)轉移趨勢下的主旋律。從2011年開始，受益于下游整機市場的興起，中國本土的設計企業(yè)開始迅速崛起，增速遠大于全球設計公司的CAGR。我們看到全球設計業(yè)的CAGR為3%，而中國的這一數(shù)據為22%，遠高于全球設計業(yè)的水準。在中國設計公司快速增長的過程中，中國的制造企業(yè)龍頭中芯國際自然享受成長紅利，我們看到從2011-2015年里，伴隨著設計企業(yè)的崛起，中芯國際在中國大陸地區(qū)的CAGR達到了25%。這和中國大陸地區(qū)的設計公司快速增長息息相關。