延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn)，而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。 據(jù)了解，獨(dú)家
2019-02-13 10:08:15
4409 臺(tái)積電4月16日晚宣布，推出6納米（N6）制程技術(shù)，大幅強(qiáng)化7納米（N7）技術(shù)。據(jù)其日前宣布5納米已進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電無(wú)疑越接近摩爾定律的極限。每隔一納米，都要在7、6、5納米制程一路通吃。值得注意的是，其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也在日前宣布完成5納米EUV工藝研發(fā)，并已送樣給客戶，雙雄競(jìng)爭(zhēng)不相上下。
2019-04-18 11:15:24697 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 面對(duì)Altera采用英特爾（Intel）14納米三門極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢(shì)，賽靈思于日前發(fā)動(dòng)反擊，將攜手臺(tái)積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541063 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451236 面對(duì)賽靈思（Xilinx）即將于2014年採(cǎi)用臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程，生產(chǎn)首批現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列（SoC FPGA），Altera亦不干示弱，于日前宣布將于2013年底前提供14納米的SoC FPGA測(cè)試晶片，預(yù)計(jì)于2014年正式投產(chǎn)14納米SoC FPGA。
2013-06-13 09:06:021105 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來(lái)的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:041899 
賽靈思（Xilinx）營(yíng)收表現(xiàn)持續(xù)看漲。賽靈思攜手臺(tái)積電，先將28納米制程新產(chǎn)品效益極大化，而后將持續(xù)提高20納米及16納米FinFET制程比例，同時(shí)以FPGA、SoC及3D IC三大產(chǎn)品線創(chuàng)造5年以上的持續(xù)獲利表現(xiàn)。賽靈思將可利用與臺(tái)積電良好的合作關(guān)系，于先進(jìn)制程競(jìng)賽中穩(wěn)扎穩(wěn)打，獲得客戶青睞。
2013-10-22 09:08:011144 聯(lián)發(fā)科將于今年底推首款LTE解決方案，預(yù)計(jì)明年上半年客戶將陸續(xù)量產(chǎn)。此外，明年聯(lián)發(fā)科就會(huì)有產(chǎn)品采用20納米量產(chǎn)，甚至下一世代的16納米FinFET制程，聯(lián)發(fā)科也在規(guī)劃中。
2013-11-02 11:16:141187 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來(lái)臺(tái)拜會(huì)聯(lián)發(fā)科，表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程，希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 臺(tái)積電第三代16納米FinFET制程從第4季起，大量對(duì)客戶投石問(wèn)路，這也是臺(tái)積電口中的低價(jià)版本，隨著攻耗和效能的改善，以及價(jià)格的修正，臺(tái)積電可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。
2015-10-16 07:47:03807 2016年除了蘋果（Apple）是臺(tái)積電16納米制程最重要客戶外，包括聯(lián)發(fā)科、海思及展訊均積極在臺(tái)積電導(dǎo)入16納米制程量產(chǎn)，大幅拉抬兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者在臺(tái)積電先進(jìn)制程投片比重，2016年臺(tái)積電16納米制程產(chǎn)能除了供應(yīng)蘋果產(chǎn)品需求，其他產(chǎn)能幾乎已被兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者全包。
2016-02-26 08:10:42886 臺(tái)積電則是透過(guò)CEO劉德音表態(tài)指出，7納米制程的SRAM良率已經(jīng)達(dá) 30%到40% ，將會(huì)是業(yè)界首家通過(guò)7納米制程認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2016-06-12 09:39:431526 芯片商已經(jīng)建成新廠房并已投產(chǎn)使用。海思方面也與臺(tái)積電商議合作，打算明年推出10納米，早在去年就已經(jīng)在大陸建立新制程實(shí)驗(yàn)室閎康成為最大的受惠者。
2016-08-05 15:01:461245 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代，包括14納米和7納米。過(guò)去我們的14納米是和三星電子（Samsung Electronics）合作，在7納米上我們選擇不同技術(shù)，加上收購(gòu)IBM資產(chǎn)后，我們的研發(fā)資源變廣，因此決定自己開發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:281478 晶圓代工龍頭臺(tái)積電靠著16納米制程領(lǐng)先同業(yè)，幾乎通吃先進(jìn)制程代工訂單，而臺(tái)積搶先在第4季進(jìn)入10納米量產(chǎn)階段，看起來(lái)雖與對(duì)手三星的進(jìn)度差不多，但其10納米良率穩(wěn)定度及產(chǎn)能規(guī)模均優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)者，也因此，10納米制程可望再度上演訂單贏者通吃的戲碼。
2016-12-29 09:42:04810 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491516 12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世，外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 中芯國(guó)際15日的線上法說(shuō)中，仍是由趙海軍主持會(huì)議，梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言，代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531345 根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出，中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:468507 晶圓代工廠臺(tái)積電技術(shù)論壇近日登場(chǎng)，總裁暨副董事長(zhǎng)魏哲家表示，7納米制程已大量生產(chǎn)，5納米制程預(yù)計(jì)明年初風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年底或后年初大量生產(chǎn)。
2018-07-10 10:42:207852 增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
臺(tái)積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
有機(jī)會(huì)“獨(dú)吞”A7代工訂單?！ ?b class="flag-6" style="color: red">臺(tái)積電作為全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造公司，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)先，在業(yè)界可謂屈指可數(shù)。臺(tái)積電積極開發(fā)20納米制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先MAX3232EUE+T優(yōu)勢(shì)下，未來(lái)1
2012-09-27 16:48:11
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱，蘋果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定?！ ?jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
處理器號(hào)稱是“全球第一個(gè)AI汽車超級(jí)芯片”，將采用臺(tái)積電16nm FinFET+工藝制造，集成多達(dá)70億個(gè)晶體管，性能方面，Xavier預(yù)計(jì)可以達(dá)到30 DL TOPS，比現(xiàn)在的Drive PX 2平臺(tái)
2018-07-31 09:56:50
技術(shù)開發(fā)成功，同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí)，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
自秋季以來(lái)，8英寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺，報(bào)價(jià)調(diào)漲，MCU、MOS，TDDI，閃存，面板等電子元器件進(jìn)入了愈演愈烈的漲價(jià)模式。目前臺(tái)系臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等晶圓代工廠第四季訂單已經(jīng)全滿，明年
2021-07-23 07:09:00
，明年將放大到45顆。由于上游客戶對(duì)于16納米FInFET Plus需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原先規(guī)畫，所以臺(tái)積電明年資本支出將維持在100億美元高水準(zhǔn)，全力擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)強(qiáng)勁需求。 除了在晶圓制程上的推陳出新，臺(tái)積電也
2014-05-07 15:30:16
，未來(lái)就要看競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的制程技術(shù)能否趕得上腳步。 近期高通與臺(tái)積電持續(xù)緊密合作，業(yè)界傳出在最先進(jìn)的7納米制程技術(shù)上，臺(tái)積電因?yàn)榧夹g(shù)開發(fā)領(lǐng)先三星電子（Samsung Electronics），可望拿回高通7
2017-09-22 11:11:12
據(jù)外媒報(bào)道，預(yù)計(jì)臺(tái)積電將獲得高通新一代電源管理芯片(PWM IC)70%至80%的訂單。高通前一代電源管理芯片是由中芯國(guó)際(SMIC)生產(chǎn)的，后者在其8英寸晶圓廠使用0.18至0.153微米工藝來(lái)生
2017-09-27 09:13:24
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
，第三季度以最快速度提升產(chǎn)能，下半年5nm產(chǎn)能提升速度及幅度有望創(chuàng)下該公司產(chǎn)能新紀(jì)錄。到了5nm階段，臺(tái)積電的投資額進(jìn)一步攀升，16nm制程下，1萬(wàn)片產(chǎn)能投資約15億美元，7nm制程下，1萬(wàn)片產(chǎn)能投資估計(jì)30
2020-03-09 10:13:54
各類常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
納米制程功耗低性能強(qiáng)國(guó)民做安全芯片起家，自帶多種加密算法安全性高與臺(tái)積電簽訂多份采購(gòu)訂單，供貨較為穩(wěn)定MCU產(chǎn)品已得到多家行業(yè)龍頭客戶認(rèn)可并導(dǎo)入（華為、大疆、寧德時(shí)代）寬產(chǎn)品線、覆蓋32位MCU從低端到高端的絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景國(guó)民技術(shù)MCU表示Pin數(shù)與flash容量的字母后綴與ST、GD對(duì)應(yīng)含義
2021-11-01 07:51:48
本帖最后由 華強(qiáng)芯城 于 2023-3-17 09:16 編輯
晶圓代工巨頭——臺(tái)積電近日傳出漲價(jià)20%的消息，業(yè)內(nèi)轟動(dòng)。這是臺(tái)積電繼2020年底上漲超10%之后，一年之內(nèi)，又一次的大幅上漲
2021-09-02 09:44:44
求介紹納米定位臺(tái)是怎么運(yùn)行的？、
2013-06-21 15:21:53
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問(wèn)題來(lái)了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問(wèn)題來(lái)了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
，所以只能以舊工藝（16nm制程）制造A10處理器。除此之外，臺(tái)積電還將獨(dú)家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據(jù)稱A11芯片將采用10納米FinFET工藝，最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
其中之一。在去年底發(fā)布的iPhone 6s和iPhone6s Plus中，該公司采用了三星供應(yīng)的14納米A9芯片，但同時(shí)也有部分機(jī)型采用了臺(tái)積電的16納米A9芯片?，F(xiàn)階段的臺(tái)積電仍然是全球最大的合同制
2016-01-25 09:38:11
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的工廠中部署14納米制程生產(chǎn)線。
2012-05-17 09:09:201142 
該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:541769 美國(guó)加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 三星電子的芯片部門風(fēng)光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14納米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成，似乎意圖向臺(tái)積電搶單，扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。
2016-05-04 09:53:32699 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 蘋果iPhone 8傳言不斷。據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電7納米制程有機(jī)會(huì)提前到2017年第四季，不排除明年蘋果iPhone 8處理器采用7納米制程。
2016-11-23 09:20:581037 據(jù)外媒報(bào)道，蘋果明年推出的新款iPad將采用A10X芯片，后者預(yù)計(jì)將使用臺(tái)積電的10納米制程工藝。然而，業(yè)界消息稱，由于臺(tái)積電目前的10納米芯片良率較低，明年iPad機(jī)型的生產(chǎn)可能會(huì)延期。
2016-12-26 11:02:11567 臺(tái)積電于美國(guó)舉辦年度技術(shù)論壇時(shí)表示，預(yù)估今年10納米制程產(chǎn)量將達(dá)40萬(wàn)片12寸晶圓，2019年之后，10納米及7納米的晶圓產(chǎn)量合計(jì)將達(dá)到120萬(wàn)片，其中，10納米晶圓今年產(chǎn)能即可望超過(guò)16納米。
2017-03-22 01:00:38947 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
晶圓代工廠臺(tái)積電技術(shù)論壇今天登場(chǎng)，總裁暨副董事長(zhǎng)魏哲家表示，7納米制程已大量生產(chǎn)，5納米制程預(yù)計(jì)明年初風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年底或后年初大量生產(chǎn)。
2018-06-21 14:27:001462 FinFET制程產(chǎn)品的規(guī)劃上。需求涵蓋移動(dòng)運(yùn)算、網(wǎng)通、比特幣（Bitcoin）、FPGA等應(yīng)用領(lǐng)域，有接近10家大陸IC設(shè)計(jì)公司的16納米產(chǎn)品已經(jīng)開案，呈現(xiàn)百花齊放的態(tài)勢(shì)。
2018-05-15 11:52:00869 韓國(guó)三星為了多元化營(yíng)收來(lái)源，這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”，FinFET制程惹上了麻煩。根據(jù)
2018-06-20 14:19:002262 中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003390 臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電已下達(dá)「全力沖刺令」，預(yù)定明年第1季進(jìn)行5納米制程風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，是全球第一家導(dǎo)入5納米制程試產(chǎn)的晶圓代工廠，按進(jìn)度，臺(tái)積電也可望在明年底或2020年初即有產(chǎn)品量產(chǎn)，再度領(lǐng)先全球。
2018-07-23 16:03:002395 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 全球第二大半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯宣布，將在7納米FinFET先進(jìn)制程發(fā)展無(wú)限期休兵。聯(lián)電之后半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程競(jìng)逐又少一家，外界擔(dān)憂將對(duì)全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造成什么影響，集邦咨詢（TrendForce）針對(duì)幾個(gè)面向進(jìn)行分析。
2018-08-31 15:12:003490 先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜，不過(guò)格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì)，格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場(chǎng)唯一方向，當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場(chǎng)。
2018-09-27 16:14:004321 晶圓代工龍頭臺(tái)積電持續(xù)沖刺先進(jìn)制程，采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)的首款7＋納米芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），支援最多4層EUV光罩。臺(tái)積電亦加速5納米制程推進(jìn)，預(yù)計(jì)明年4月可開始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，支援的EUV光罩層將上看14層，5納米可望如期在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。
2018-10-08 16:13:002978 臺(tái)積電于2018年4月率先進(jìn)入7納米制程世代，將是首家真正量產(chǎn)7納米EUV制程的晶圓代工業(yè)者，未來(lái)在5納米制程世代，恐將只有1~2家業(yè)者有能力持續(xù)前進(jìn)，全球第二大晶圓代工廠GlobalFoundries便已宣布暫緩高達(dá)百億美元的7納米FinFET計(jì)劃。
2018-10-12 17:17:585421 臺(tái)積電7納米制程明年營(yíng)收占比估逾2成，有望持續(xù)領(lǐng)先對(duì)手，7納米制程加強(qiáng)版以及5納米進(jìn)度也按計(jì)劃進(jìn)行，3納米制程技術(shù)更已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)階段，業(yè)內(nèi)人士更透露，3納米制程在"Gate All Around(GAA) "、環(huán)繞式閘極技術(shù)上已有新突破。
2018-11-05 16:39:464435 三個(gè)月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目，業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí)，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來(lái)的路又將走向何方？這是業(yè)界關(guān)心的問(wèn)題。
2018-12-03 14:30:562838 5納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的二萬(wàn)分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺(tái)積電計(jì)劃明年進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。最近，中微半導(dǎo)體公司收到一個(gè)好消息：其自主研制的5納米等離子體刻蝕
2018-12-22 14:30:572365 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 晶圓代工廠臺(tái)積電對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展深具信心，業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，5納米制程明年第1季量產(chǎn)，仍會(huì)是全世界最先進(jìn)的制程技術(shù)。
2019-05-23 16:57:332608 臺(tái)積電宣布，其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺(tái)積電成功的7納米制程之上，也為明年首季試產(chǎn)6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。
2019-10-08 16:11:372955 三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭(zhēng)，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來(lái)帶來(lái)什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
2019-10-14 10:38:5113761 此前臺(tái)積電7納米產(chǎn)能題材炒熱股市，市場(chǎng)預(yù)期明年上半年將淡季不淡，不過(guò)如今又有新消息接上，下一代5納米制程良率進(jìn)展也超乎預(yù)期。
2019-12-04 15:32:422476 的14納米FinFET制程導(dǎo)入到未來(lái)的1.44億像素影像傳感器的生產(chǎn)上，藉此以生產(chǎn)高效能，且低耗能的影像傳感器。
2019-12-18 11:38:551906 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 臺(tái)積電（TSMC）日前在新竹舉行年度股東大會(huì)中，首度透露在其5納米（N4）與3納米制程之間，將會(huì)有4納米制程（N4）的開發(fā)。
2020-07-09 15:19:561322 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來(lái)自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來(lái)幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來(lái)成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過(guò) 2 成。
2024-02-21 16:33:23320
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