2025年3月11日，香港——中國半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團）有限責(zé)任公司（簡稱“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW。作為先進半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)與解決方案的提供商，青禾晶元此次發(fā)布標(biāo)志著公司在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一重要突破。?
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青禾晶元新推出的混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW具備多尺寸晶圓兼容、超強芯片處理能力、兼容不同的對準(zhǔn)方式等優(yōu)勢，可以幫助客戶減少設(shè)備投資支出、占地面積以及大幅縮短研發(fā)轉(zhuǎn)量產(chǎn)周期等優(yōu)勢，能夠為Micro-LED、NAND/DRAM/HBM等存儲器、堆疊集成電路 (SIC）和系統(tǒng)級芯片 (SoC)提供廣泛的支持。

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后摩爾時代，混合鍵合成為主流

自摩爾定律提出以來，芯片行業(yè)長期遵循其發(fā)展。但近年來，受限制于硅材料和半導(dǎo)體設(shè)備，芯片制造商難以繼續(xù)縮小晶體管尺寸。先進封裝因此成為提高芯片性能的有效手段，如臺積電CoWoS和HBM的興起就是例證?；旌湘I合作為先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)，以高精度實現(xiàn)金屬-金屬和氧化物-氧化物面對面堆疊，提高了芯片性能。W2W混合鍵合已在多領(lǐng)域應(yīng)用，C2W混合鍵合也在快速興起，成為異質(zhì)異構(gòu)集成的主流技術(shù)。然而，混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)過程中面臨挑戰(zhàn)，如鍵合精度、C2W鍵合效率等問題，對相關(guān)設(shè)備提出了更高要求，促使行業(yè)不斷創(chuàng)新。

SAB8210CWW設(shè)備：技術(shù)創(chuàng)新的集大成者

青禾晶元是一家致力于為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供高精度、工藝穩(wěn)定、高性價比的鍵合裝備與方案的企業(yè)，憑借在高端鍵合裝備研發(fā)制造與精密鍵合工藝方面的深厚積累，公司在全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW上，將技術(shù)實力展現(xiàn)得淋漓盡致。

具體而言，SAB8210CWW擁有以下幾點優(yōu)勢：

l雙模工藝集成：設(shè)備采用高度靈活的模塊化設(shè)計，支持C2W和W2W雙模式混合鍵合，實現(xiàn)無縫適配研發(fā)與生產(chǎn)需求，提升設(shè)備使用率。
l多尺寸兼容：設(shè)備可兼容8寸和12寸晶圓，通過更換部件快速切換，提供更大的靈活性，滿足不同尺寸晶圓的鍵合需求。
l超強芯片處理能力：設(shè)備能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同時具備全尺寸兼容性，從0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可處理，保證生產(chǎn)良率和可靠性。
l兼容不同的對準(zhǔn)方式：提供片間同軸和紅外穿透兩種對準(zhǔn)方式，對準(zhǔn)精度優(yōu)于±300nm（同軸）和±100nm（紅外），應(yīng)對不同尺寸和材質(zhì)的芯片。
l創(chuàng)新的鍵合方式：通過鍵合方式創(chuàng)新，最大程度的減少顆粒污染的風(fēng)險，實現(xiàn)高良率鍵合。
l高精度、高效率：C2W和W2W鍵合技術(shù)實現(xiàn)±30nm的對準(zhǔn)精度和±100nm的鍵合精度，C2W單鍵合頭UPH最高可達1000片/小時。智能化偏移補償：配備高精度高通量檢測模塊和內(nèi)置算法，實現(xiàn)負(fù)反饋偏移補償，確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。
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以SAB 82CWW系列為起點，青禾晶元將持續(xù)深耕先進鍵合技術(shù)，加大研發(fā)投入，推出更多滿足客戶需求的產(chǎn)品，攜手全球合作伙伴，推動半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)邁向新高度。
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