。片內(nèi)FLASH主要是用來(lái)保存用戶程序的，為避免在程序運(yùn)行時(shí)往FLASH中寫(xiě)入數(shù)據(jù)所導(dǎo)致的單片機(jī)復(fù)位，因此采用了調(diào)用芯片內(nèi)部監(jiān)控ROM中自帶的FLASH操作子程序的方法。該方法適用于所有68HC08系列片內(nèi)含F(xiàn)LASH芯片的單片機(jī)，具有很高的實(shí)用性和應(yīng)用前景。
2011-03-02 14:07:56
等優(yōu)點(diǎn)。降低了電子秤的整機(jī)成本，提高了整機(jī)的性能和可靠性。輸入低噪聲放大器的增益為 128，當(dāng)參考電壓 VREF 為 5V 時(shí)，對(duì)應(yīng)的滿額度差分輸入信號(hào)幅值為±20mV。芯片內(nèi)的時(shí)鐘振蕩器不需要何外接
2020-06-06 10:39:31
片內(nèi)外設(shè)就是片上外設(shè)，同一種意思不同說(shuō)法而已。片內(nèi)外設(shè)和片外外設(shè)的區(qū)別：片內(nèi)、外設(shè)是兩個(gè)概念，片內(nèi)指做成芯片的集成電路內(nèi)部，簡(jiǎn)稱片內(nèi)，片外同理顯而易見(jiàn)；外設(shè)是外部設(shè)備的簡(jiǎn)稱，是指集成電路芯片外部
2021-07-23 06:34:56
計(jì)算機(jī)組成原理試卷題，1單選下列不屬于系統(tǒng)總線的為（D）A. 數(shù)據(jù)總線B. 地址總線C. 控制總線D. 片內(nèi)總線2單選下列不屬于片內(nèi)總線連接的是（B）A. 寄存器與寄存器間B. CPU與內(nèi)存間C.
2021-07-22 06:03:09
devices to remain constant thoughout operation.” 從文意可知：雖然多片間做不到射頻LO的相位相同，但是每次上電后，可以通過(guò)寄存器設(shè)置，保證片間的相位關(guān)系在工作過(guò)程中
2018-08-03 21:25:50
devices to remain constant thoughout operation.”從文意可知：雖然多片間做不到射頻LO的相位相同，但是每次上電后，可以通過(guò)寄存器設(shè)置，保證片 間的相位關(guān)系
2018-08-15 06:58:10
AMBA片上總線在SoC芯片設(shè)計(jì)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-28 06:54:19
OAD即Over the Air Download，是通過(guò)無(wú)線的方式遠(yuǎn)程更新固件的一種方法。On chip，就是片上， 升級(jí)的對(duì)象不需要外掛Flash， 通過(guò)芯片片內(nèi)Flash完成新固件存儲(chǔ)及老固件
2022-11-11 07:56:31
請(qǐng)問(wèn)，CC1310片內(nèi)DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出的電壓電流參數(shù)在哪可以查到，片內(nèi)DC/DC轉(zhuǎn)換器可以關(guān)閉嗎？芯片進(jìn)入休眠或SHUTDOWN后，DCDC_SW的輸出是什么狀況？
2016-12-08 12:17:12
本人新手，在工作碰見(jiàn)需要讀出FPGA中的程序，重寫(xiě)在另一片內(nèi)。ALTERA公司的。使用什么工具，如何讀寫(xiě)？{:soso_e181:}謝謝
2012-05-29 23:28:45
1 功能概述該工程實(shí)例內(nèi)部系統(tǒng)功能框圖如圖所示。我們通過(guò)IP核例化一個(gè)FIFO，定時(shí)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，然后再讀出所有數(shù)據(jù)。通過(guò)ISE集成的在線邏輯分析儀chipscope，我們可以觀察FPGA片內(nèi)FIFO
2019-04-08 09:34:42
Xilinx FPGA入門連載44：FPGA片內(nèi)ROM實(shí)例之ROM配置特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1jGjAhEm 1 ROM初始化
2019-04-08 09:34:43
一個(gè)做主片用于數(shù)據(jù)處理和控制，一個(gè)做從片用于IO擴(kuò)展。硬件和軟件上應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信？從片的配置和時(shí)鐘輸入與主片有何不同？可以共用配置芯片么？還是需要獨(dú)立的配置？提供相關(guān)的論文名稱也可以
2023-04-23 11:31:45
IAR C編譯器中如何選擇才能不初始化片內(nèi)RAM？配置IAR時(shí)器件與代碼選型不一致怎么辦呢？
2022-01-27 06:22:47
1. IAR 調(diào)試NUC505時(shí)，感覺(jué)代碼是在 SRAM中運(yùn)行，那么IAR如何將代碼下載到片內(nèi)的 SPI Flash中？
2. ICP 可以將 代碼下載到片內(nèi)的 SPI Flash中?
3. 將
2023-06-16 08:18:54
本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。
2020-03-05 07:01:34
OUT文件不能load到片內(nèi)flash中單步可以運(yùn)行
2018-10-15 13:43:30
STC片內(nèi)的EEPROM的讀寫(xiě)，有測(cè)試程序，和從網(wǎng)上找的的一點(diǎn)的資料。希望對(duì)初學(xué)者有點(diǎn)幫助。{:1:}
2013-08-24 16:46:57
點(diǎn)運(yùn)行不同的程序。//我用的芯片是stm32f4時(shí)間片即CPU分配給各個(gè)程序的時(shí)間，每個(gè)線程被分配一個(gè)時(shí)間段，稱作它的時(shí)間片，即該進(jìn)程允許運(yùn)行的時(shí)間，使各個(gè)程序從表面上看是同時(shí)進(jìn)行的。如果在時(shí)間片
2021-08-24 08:19:10
STM32片內(nèi)FLASH操作說(shuō)明
2014-07-08 09:51:01
怎樣去操作STM32的片內(nèi)FLASH呢？STM32片內(nèi)FLASH的主存儲(chǔ)塊有哪些功能？
2021-11-02 08:14:48
STM32的片內(nèi)FLASH可分為哪幾類？如何去使用STM32的片內(nèi)FLASH呢？
2021-11-01 06:36:28
STM32的片內(nèi)FLASH有何功能？怎樣進(jìn)行FLASH的擦除編程工作呢？
2021-11-02 08:04:17
怎么去操作STM32的FLSAH呢？STM32的片內(nèi)FLASH有何功能？
2021-11-01 06:35:06
STM32的片內(nèi)FLASH可分成哪幾部分？STM32的FLASH共有幾個(gè)鍵值呢？
2021-11-02 07:08:52
邏輯分析儀chipscope，我們可以觀察FPGA片內(nèi)ROM、FIFO和RAM的讀寫(xiě)時(shí)序，也可以只比較ROM預(yù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)和RAM最后讀出的數(shù)據(jù)，確認(rèn)整個(gè)讀寫(xiě)緩存過(guò)程中，數(shù)據(jù)的一致性是否實(shí)現(xiàn)。 2 模塊
2019-01-10 09:46:06
Xilinx FPGA入門連載44：FPGA片內(nèi)ROM實(shí)例之ROM配置特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1jGjAhEm 1 ROM初始化
2019-01-09 16:02:21
如圖所示?！馪ll_controller.v模塊產(chǎn)生FPGA內(nèi)部所需時(shí)鐘信號(hào)?！馬om_test.v模塊例化FPGA片內(nèi)ROM，并產(chǎn)生FPGA片內(nèi)ROM讀地址，定時(shí)遍歷讀取ROM中的數(shù)據(jù)?！馛hipscope_debug.cdc模塊引出ROM的讀取信號(hào)總線，通過(guò)chipscope在ISE中在線查看ROM讀取時(shí)序。
2016-01-06 12:22:53
Xilinx FPGA入門連載47：FPGA片內(nèi)RAM實(shí)例之功能概述特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1jGjAhEm 1 功能概述該工程
2016-01-20 12:28:28
Xilinx FPGA入門連載51：FPGA片內(nèi)FIFO實(shí)例之功能概述特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1jGjAhEm 1 功能概述該工程
2016-02-26 10:26:05
的在線邏輯分析儀chipscope，我們可以觀察FPGA片內(nèi)ROM、FIFO和RAM的讀寫(xiě)時(shí)序，也可以只比較ROM預(yù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)和RAM最后讀出的數(shù)據(jù)，確認(rèn)整個(gè)讀寫(xiě)緩存過(guò)程中，數(shù)據(jù)的一致性是否實(shí)現(xiàn)。 2
2016-03-16 12:43:36
dsp6455的bootloader是在片內(nèi)還是在片外？它與燒寫(xiě)程序中的搬運(yùn)程序有什么區(qū)別？
2020-05-22 13:16:50
請(qǐng)問(wèn)proteus 是否支持模擬片內(nèi)AD轉(zhuǎn)換？找了一些帶有內(nèi)置8路10位ADC轉(zhuǎn)換的芯片，正要試試AD功能，突然想到，PROTEUS貌似只能仿真芯片的內(nèi)核比如8051、8052等等，對(duì)于芯片內(nèi)置
2013-04-20 15:22:09
不均勻性的定義可以這樣說(shuō)：組成系統(tǒng)是由傳輸線+功能電路，這中間會(huì)遇到大量的不均勻性或者說(shuō)不連續(xù)性。對(duì)于不均性的研究有兩個(gè)方面，不均勻性分析方法和不均勻性的應(yīng)用。嚴(yán)格分析不均勻性是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜
2009-11-02 17:13:34
為什么要片內(nèi)RAM大的DSP效率高？
2019-09-03 05:55:24
STM32的片內(nèi)FLASH可分為哪幾類？STM32的片內(nèi)FLASH有何功能？
2021-11-03 07:57:23
STM32片內(nèi)的FLASH可分成哪幾部分？有關(guān)STM32片內(nèi)的FLASH主存儲(chǔ)塊擦除編程操作的疑問(wèn)有哪些？
2021-11-02 07:44:25
FPGA片內(nèi)ROM，并產(chǎn)生FPGA片內(nèi)ROM讀地址，定時(shí)遍歷讀取ROM中的數(shù)據(jù)；此外，圖中未示意，該工程實(shí)例還包括了SignalTapII的IP核模塊，該模塊引出ROM的讀取信號(hào)總線，可以在線查看ROM讀取時(shí)序。 圖9.20 ROM實(shí)例模塊互聯(lián)接口 `
2018-06-16 19:39:24
一、單片機(jī)介紹定義概念在一片集成電路芯片上集成微處理器、存儲(chǔ)器、I/O接口電路，從而構(gòu)成了單芯片微型計(jì)算機(jī)，即單片機(jī)（SingleChip Microcomputer）特點(diǎn)體積小、價(jià)格低速
2021-12-01 06:27:47
各位專家好：
??????? 關(guān)于多片C6678的同步調(diào)試問(wèn)題想咨詢下：
?????? 我打算做兩個(gè)板子，每個(gè)板子上集成兩片C6678的芯片，板間通信打算用光傳輸，現(xiàn)在想咨詢的問(wèn)題是在用CCS進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候，這個(gè)能不能實(shí)現(xiàn)同步調(diào)試，比如在某個(gè)時(shí)間一起停下來(lái)，去看看各自寄存器或者變量的值。謝謝。
2018-06-21 02:37:42
負(fù)性濾光片與多帶通濾光片負(fù)性濾光片常用來(lái)截止或者反射指定的波長(zhǎng)，透過(guò)這一波長(zhǎng)兩側(cè)譜光波，使用方法方法和光譜曲線與帶通濾光片相反。該產(chǎn)品采用介質(zhì)硬膜借助于真空離子輔助鍍膜生產(chǎn)而成，從而使得膜層的致密性
2018-04-09 09:38:33
如何在MCU片內(nèi)進(jìn)行Flash讀寫(xiě)呢？其過(guò)程是怎樣的？
2021-12-13 06:51:33
各位專家：
我用AD9957做信號(hào)生成，目前單頻模式工作正常。但是QDUC模式下，用片內(nèi)RAM回放波形始終無(wú)法調(diào)通。
按照本論壇以前的帖子，先把9957按照默認(rèn)模式初始化，寫(xiě)好兩個(gè)RAM段地址
2023-12-13 06:51:40
大家好，我最近在使用STM32F103在調(diào)uCGUI，如何用片內(nèi)FLASH存儲(chǔ)全字庫(kù)？自己生成的全字庫(kù).fon格式不知道怎么加到程序里，打開(kāi)全是亂碼
2019-09-10 04:36:33
ADI公司AD7380系列SAR ADC的片內(nèi)過(guò)采樣
2021-01-06 06:12:24
、均勻，且能制成任意形狀，特別是為制造應(yīng)變花和小標(biāo)距應(yīng)變片提供了條件，從而擴(kuò)大了應(yīng)變片的使用范圍。④便于成批生產(chǎn)。⑤缺點(diǎn)：電阻值分散性大，有的相差幾十歐姆，故需要作阻值調(diào)整；生產(chǎn)工序較為復(fù)雜，因引出線的焊點(diǎn)采用錫焊，因此不適于高溫環(huán)境下測(cè)量；此外價(jià)格較貴。
2018-02-22 16:48:12
我采用的是新華龍的c8051f413，現(xiàn)在想要讀取片內(nèi)溫度傳感器的溫度，現(xiàn)在已經(jīng)把a(bǔ)d都配置好了，然后我配置了片內(nèi)溫度傳感器的通道和使能片內(nèi)溫度傳感器，這樣就可以了嗎？
2019-08-09 04:35:10
STM32的片內(nèi)FLASH分成哪幾部分呢？怎樣去操作STM32的片內(nèi)FLASH呢？
2021-11-01 07:39:22
怎樣去操作STM32的片內(nèi)FLASH呢？有哪些注意事項(xiàng)？
2021-11-02 08:53:55
用幾個(gè)引腳做為物理地址，遙控器放一片被遙控開(kāi)關(guān)的一片芯片。兩片芯片地址一……當(dāng)按下遙控的開(kāi)按鈕，遙控開(kāi)關(guān)進(jìn)行開(kāi)功能。大神有用過(guò)過(guò)的介紹一個(gè)芯片。還有能發(fā)送多遠(yuǎn)的距離
2017-05-05 17:40:11
本文介紹一種通用的基于CPLD的片內(nèi)振蕩器設(shè)計(jì)方法，它基于環(huán)形振蕩器原理，只占用片上普通邏輯資源（LE），無(wú)需使用專用邏輯資源（如MaxII中的UFM），從而提高了芯片的資源利用率；振蕩頻率可在一定范圍內(nèi)調(diào)整，振蕩輸出可以驅(qū)動(dòng)內(nèi)部邏輯和外部器件引腳。
2021-04-30 06:18:03
,隱形玻璃,人臉識(shí)別濾光片,虹膜識(shí)別濾光片,安防監(jiān)控濾光片,反射鏡,分光鏡,隔熱片,負(fù)性濾光片,RGB色片等專業(yè)的光學(xué)鏡片、光學(xué)濾光片廠家。650nm帶通濾光片產(chǎn)品簡(jiǎn)介：生產(chǎn)適合的LED650
2022-12-12 17:29:27
本系列文章匯總：STM32CubeMX系列教程本篇文章主要介紹如何使用STM32中的片內(nèi)FLash。1. 準(zhǔn)備工作硬件準(zhǔn)備開(kāi)發(fā)板首先需要準(zhǔn)備一個(gè)開(kāi)發(fā)板，這里我準(zhǔn)備的是STM32L4的開(kāi)發(fā)板
2021-08-10 08:00:50
缺陷成團(tuán)對(duì)FPGA片內(nèi)冗余容錯(cuò)電路可靠性的影響是什么？缺陷成團(tuán)對(duì)冗余容錯(cuò)電路可靠性的影響是什么？
2021-04-08 06:50:18
防丟器（tracker）之升壓芯片解決方案， 可以采用升壓芯片，比如通過(guò)電容升壓，tile mate（tracker的鼻祖）就是采用倍壓芯片來(lái)驅(qū)動(dòng)蜂鳴片， 倍壓芯片可以采用比如SD116/SD117
2023-09-13 11:38:47
請(qǐng)教一下大神在8051單片機(jī)片內(nèi)RAM該如何分區(qū)呢？
2023-05-09 16:05:39
做了一款基于arm處理器的SOC芯片，流片回來(lái)后測(cè)試發(fā)現(xiàn)，ARM能正常和片內(nèi)SRAM和ROM通信，卻不能和片外SRAM進(jìn)行通信，請(qǐng)教高手，ARM不能和片外SRAM通信的可能的原因？
2022-06-10 15:50:38
AVR對(duì)片內(nèi)SRAM的訪問(wèn)需要多久？
2023-10-24 07:49:15
請(qǐng)問(wèn)，CC1310片內(nèi)DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出的電壓電流參數(shù)在哪可以查到，片內(nèi)DC/DC轉(zhuǎn)換器可以關(guān)閉嗎？芯片進(jìn)入休眠或SHUTDOWN后，DCDC_SW的輸出是什么狀況？
2018-08-08 07:09:10
debugWIRE片上調(diào)試系統(tǒng)如何控制程序流程
2020-11-16 06:57:03
想把程序從片內(nèi)FLASH啟動(dòng)，將片外NOR FLASH中的應(yīng)用加載到片外SDRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到片外SDRAM程序地址執(zhí)行，可總是跳轉(zhuǎn)不成功？有哪位做過(guò)類似的項(xiàng)目，敬請(qǐng)指教。
2019-03-22 07:19:07
swd方式可以把文件燒寫(xiě)到stm32的片內(nèi)flash的特定地址中嗎？怎么燒寫(xiě)？
2020-04-23 00:08:42
項(xiàng)目現(xiàn)在已經(jīng)能通過(guò)SPI讀出寄存器中的值，但我還沒(méi)接入待測(cè)電壓、電流，因?yàn)槲也恢缽募拇嫫?b class="flag-6" style="color: red">中讀出的數(shù)怎么轉(zhuǎn)化為實(shí)際的電壓、電流的值。如果不加入待測(cè)電壓電流能測(cè)得ADE7753的片內(nèi)溫度嗎？我想先把片
2018-11-13 15:05:07
@使用AD9858評(píng)估板中的DDS和PLL來(lái)實(shí)現(xiàn)YTO（或者叫YIG）的鎖頻，但是目前鎖不住，我想有可能是環(huán)路濾波器的問(wèn)題，照著網(wǎng)上的資料下載了ADI計(jì)算PLL參數(shù)的軟件，發(fā)現(xiàn)里面可以選擇的芯片
2018-09-28 15:05:29
請(qǐng)問(wèn)如何將程序燒寫(xiě)入片外的Flash中或者片內(nèi)的ROM中，我使用的是5509A，外擴(kuò)Flash是AM29LV800~~
2020-04-03 10:22:24
**STM32H750_QSPI_W25QXX_XIP_仿真**最近在調(diào)試STM32H750片子，擔(dān)心片內(nèi)flash不夠用，在QSPIbank2外掛了 W25Q40CL做XIP，當(dāng)然也可以copy到
2021-08-18 07:06:11
阻抗增加是影響倍率特性的主要原因，考慮到孔隙率和孔隙的曲折連同，離子在孔隙內(nèi)的遷移距離比極片厚度多出很多倍。(3)負(fù)極-正極容量比N/P負(fù)極容量與正極容量的比值定義為：N/P要大于1.0，一般1.04
2018-10-16 12:29:31
淺談制程檢驗(yàn)
所謂制程檢驗(yàn)即制造過(guò)程中的品質(zhì)檢驗(yàn)。它能通過(guò)對(duì)工序產(chǎn)品的層層把關(guān)起到糾正和預(yù)防的作用和對(duì)影響工序質(zhì)量的“5
2009-11-10 14:19:56
1765 導(dǎo)語(yǔ)：均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
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