蘋(píng)果新手機(jī)iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型閃存（NOR Flash），已讓NOR芯片缺貨更為嚴(yán)重。內(nèi)存業(yè)者透露，今年NOR芯片供給缺口將擴(kuò)大至20%，主要供應(yīng)大廠賽普拉斯（Cypress）也正式發(fā)出漲價(jià)通知，業(yè)者估計(jì)今年漲幅可能擴(kuò)大至逾60%。
2017-03-27 10:02:07
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的情況下，晶體管關(guān)閉。當(dāng)向基極端子施加正確幅度和極性的電壓時(shí)，晶體管接通，允許更大的電流在發(fā)射極和集電極端子之間流動(dòng)?！ 】刂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)狀態(tài)所需的電壓通常非常小。因此，晶體管可以用作放大器?；鶚O-發(fā)射極電路
2023-02-16 18:22:30
第三季度銷(xiāo)售額為62.05萬(wàn)億韓元，同比增加29.8%。凈利潤(rùn)為11.19萬(wàn)億韓元。三星第三季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)不錯(cuò)，主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片價(jià)格持續(xù)高漲以及OLED面板市場(chǎng)供不應(yīng)求。伴隨著三星管理層的重組，加之三星半導(dǎo)體芯片以及OLED面板的擴(kuò)產(chǎn)，可以預(yù)料其第四季度營(yíng)收也將極為可觀。
2017-11-01 15:56:56
行業(yè)真正的“領(lǐng)頭羊”？一、三極管定義：三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管
2019-04-08 13:46:25
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)到EDVAC，這些計(jì)算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制的計(jì)算。然而電子管元件有許多明顯的缺點(diǎn)。例如，在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
別與三個(gè)插孔相接），萬(wàn)用表即會(huì)指示出該管的放大倍數(shù)。若萬(wàn)用表無(wú)hFE檔，則也可使用萬(wàn)用表的R×1k檔來(lái)估測(cè)晶體管放大能力。測(cè)量PNP管時(shí)，應(yīng)將萬(wàn)用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過(guò)電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過(guò)電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)?；竟ぷ魈匦员容^這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?b class="flag-6" style="color: red">1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?b class="flag-6" style="color: red">1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5．開(kāi)關(guān)三極管的選用小電流開(kāi)關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開(kāi)關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶體管，而單極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類(lèi)型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39
停止上漲趨勢(shì)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第三季面板產(chǎn)量或?qū)⑦^(guò)剩價(jià)格調(diào)漲有壓力 群智咨詢(xún)分析稱(chēng)，二季度國(guó)內(nèi)品牌提前積極備貨勢(shì)必會(huì)拉升其相應(yīng)的庫(kù)存量，并將導(dǎo)致第三季度的中秋國(guó)慶節(jié)備貨需求提前，加上國(guó)際一線電視品牌業(yè)績(jī)不盡理想
2011-07-05 14:52:38
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
層板（AnyLayer）HDI需求將會(huì)不斷成長(zhǎng)，中高階的智能型手機(jī)市占率將持續(xù)擴(kuò)大?！ ∮^察第三季電子產(chǎn)業(yè)，智能型手機(jī)新產(chǎn)品將密集于第三季上市，就連iPhone第五代產(chǎn)品也可望季底正式亮相，將可以推升
2011-07-05 14:46:22
與發(fā)射極和集電極成正比。在PNP晶體管中，電子從基極端子中抽取。在到達(dá)集電極末端之前，進(jìn)入底座的電力被放大。三、PNP晶體管符號(hào)字母PNP代表PNP晶體管。PNP晶體管的符號(hào)如下圖所示。電流從發(fā)射極流向
2023-02-03 09:44:48
獵芯網(wǎng)近期表示，芯片供應(yīng)商生產(chǎn)成本明顯上升，不少成本敏感的芯片報(bào)價(jià)已經(jīng)開(kāi)始往上漲，其中，2020年第3季就一再喊漲的LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格應(yīng)該確定在第4季會(huì)調(diào)漲，且未來(lái)還會(huì)持續(xù)上升
2020-10-15 16:30:57
QT2晶體管圖示儀有測(cè)試貼片三極管的工裝嗎？
2015-01-08 20:22:02
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
客戶轉(zhuǎn)單的效應(yīng)，威剛上半年財(cái)報(bào)交出每股稅后4元的好成績(jī)，第3季營(yíng)收和獲利可望持續(xù)攀升。?威剛(3260)因預(yù)期DRAM、NAND Flash價(jià)格可望緩步增溫，讓第三季業(yè)績(jī)加溫，威剛股價(jià)再創(chuàng)今年新高
2022-02-14 11:55:25
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
自SouVR 2009 3D/VR產(chǎn)品展示季【第三季】即將開(kāi)幕的新聞發(fā)布以來(lái)，很多虛擬現(xiàn)實(shí)原廠和客戶通過(guò)郵件或電話咨詢(xún)展示季相關(guān)產(chǎn)品和參展事宜。搜維爾在積極準(zhǔn)備展示季【第三季】的同時(shí)，根據(jù)原廠和客戶
2009-06-22 20:48:06
和實(shí)用性。最后在雙方的共同努力下，出臺(tái)3D/VR產(chǎn)品展示【第三季】小型解決方案相關(guān)細(xì)則說(shuō)明。SouVR 2009 3D/VR產(chǎn)品展示季【第三季】與前兩季不同的是，在展示虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品的同時(shí)，還推出多種小型
2009-06-29 21:18:42
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
相信今天電子圈的朋友都被國(guó)巨給刷屏了!由于近期MLCC需求持續(xù)旺盛，客戶拉貨過(guò)猛，產(chǎn)品供不應(yīng)求，Yageo將自第三季開(kāi)始針對(duì)一些特定的品項(xiàng)延長(zhǎng)交期并調(diào)整價(jià)格，交期視目前供應(yīng)缺口大小由原目標(biāo)交期1.5
2017-06-21 11:13:49
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
【2017第三季】精簡(jiǎn)優(yōu)化 GHOST Win10 商店暢享版_X86_X64
2018-06-14 14:29:12
旺季來(lái)臨之前，被動(dòng)組件漲勢(shì)確立，國(guó)巨將從4月1日起調(diào)漲全系列MLCC（積層陶瓷電容）價(jià)格，據(jù)悉平均調(diào)漲幅度落在40～50％，高于2月份的10～20％，等于調(diào)漲幅度較2月提升2～2.5倍。 由于國(guó)巨
2018-03-23 14:58:05
【CANN訓(xùn)練營(yíng)第三季】基于Caffe ResNet-50網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)圖片分類(lèi)
2022-12-19 22:34:39
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
盛夏7月，火熱學(xué)習(xí)季，讓大家期待已久的工程師第三季1期原創(chuàng)征文活動(dòng)，它來(lái)啦！ 為了更好地促進(jìn)電子工程師之間的技術(shù)交流與互動(dòng)學(xué)習(xí)，提高自身職業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和工作實(shí)戰(zhàn)能力，發(fā)燒友專(zhuān)欄將舉辦7月工程師技術(shù)經(jīng)驗(yàn)
2022-07-21 10:33:36
【藍(lán)牙4.1】+PSoC?CY8CKIT-042-BLE kitUSB驅(qū)動(dòng)安裝_第三季前言：我們做軟件開(kāi)發(fā)，都會(huì)依賴(lài)于特定開(kāi)發(fā)環(huán)境，一般不會(huì)把軟件直接安裝于C盤(pán)，而是會(huì)把軟件安裝在其它盤(pán)符目錄
2015-04-29 14:07:16
控制器件。 一、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管說(shuō)明: （1）晶體三極管含義: 用于電壓放大或者電路放大的控制器件?？梢园鸦鶚O和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式
2019-04-09 11:37:36
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
的基極和發(fā)射極之間連接放電電阻，可以減少這種延遲。然而，由于這種滯后時(shí)間，達(dá)林頓不太適合高頻應(yīng)用?！ ∵_(dá)林頓晶體管的飽和電壓也更高，硅的飽和電壓通常為0.7v DC，而不是約0.2v DC。這有時(shí)會(huì)導(dǎo)致
2023-02-16 18:19:11
電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱(chēng)為3D，因?yàn)榫哂?b class="flag-6" style="color: red">第三維度?！ 楸苊饣煜?，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測(cè)量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
。PNP 晶體管有三個(gè)端子：集電極 （C）、發(fā)射極 （E） 和基極 （B）（B）。PNP 晶體管的功能類(lèi)似于背靠背連接的兩個(gè) PN 結(jié)二極管。
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
MOSFET訂單大舉涌入情況下，新唐6寸晶圓代工產(chǎn)能自去年滿載到現(xiàn)在，目前在手訂單也已經(jīng)排單到年底，第三季價(jià)格傳出調(diào)漲1成消息。至于漢磊，董事長(zhǎng)徐建華不愿多談硅晶圓及晶圓代工是否漲價(jià)，僅強(qiáng)調(diào)漲價(jià)要考慮市場(chǎng)
2018-06-13 16:08:24
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，現(xiàn)縮減五家廠商占九成供應(yīng)量，也未見(jiàn)新增產(chǎn)能，讓今年需求缺口會(huì)逐季擴(kuò)大。還特強(qiáng)調(diào)未來(lái)二季仍會(huì)調(diào)漲半導(dǎo)體硅晶圓售價(jià)，但礙于商業(yè)機(jī)密，不便透露漲幅。環(huán)球晶圓表示，市場(chǎng)對(duì)于IC的需求越來(lái)越多，包括車(chē)用電
2017-06-14 11:34:20
。 國(guó)巨一個(gè)月內(nèi)接連對(duì)兩大產(chǎn)品大幅調(diào)漲報(bào)價(jià)，引起熱議。針對(duì)電阻大漲價(jià)，國(guó)巨昨（24）日表示，價(jià)格交由市場(chǎng)供需決定，目前全力滿足客戶的急單需求。 據(jù)了解，此次電阻漲幅高達(dá)七至八成，主因先前供給就已經(jīng)出現(xiàn)
2020-02-25 18:18:44
應(yīng)用，大家都眾說(shuō)紛紜，誰(shuí)也無(wú)法準(zhǔn)確全面的講出，想了解的看完下文，相信你會(huì)有所體會(huì)。 1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管低壓應(yīng)用：當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致
2019-04-16 11:22:48
同國(guó)產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類(lèi)晶體管有多種分類(lèi)方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
開(kāi)關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供一個(gè)低阻抗的通路。 加速電路三 在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開(kāi)關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲(chǔ)存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
進(jìn)行重新分類(lèi)記賬，為體現(xiàn)該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)財(cái)務(wù)報(bào)表的影響，本公司對(duì)前幾個(gè)季度的某些金額做了相應(yīng)調(diào)整。2018年第三季度總結(jié)回顧自2018年1月1日起，子系統(tǒng)事業(yè)部從“其它”項(xiàng)目轉(zhuǎn)至模擬器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品
2018-10-29 11:42:21
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-08-19 04:00:00
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增，第三季因價(jià)格持續(xù)看漲，營(yíng)收及獲利可望再寫(xiě)新高。無(wú)新產(chǎn)能，導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出，但多數(shù)資金都用來(lái)進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01
的類(lèi)比IC或MOSFET等優(yōu)先，加上今年以來(lái)矽晶圓及晶圓代工價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，所以，第三季二極管市場(chǎng)不僅出現(xiàn)缺貨及交期拉長(zhǎng)情況，供應(yīng)商也以反應(yīng)成本為由，全面調(diào)漲價(jià)格約10％幅度。根據(jù)業(yè)界消息，第三季的各類(lèi)
2018-06-21 15:44:32
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類(lèi)型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個(gè)晶體管問(wèn)題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，以此類(lèi)推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
儀器僅對(duì)NPN 型晶體管進(jìn)行測(cè)試，若要測(cè)試PNP 型管，需將電路內(nèi)的晶體管改型，3DG 改為3CG ， 3CG 改為3DG ， VD1 應(yīng)反接，電源正、負(fù)極互換(振蕩電路極性不變)。電路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
，今年中國(guó)農(nóng)歷年期間因終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫(kù)存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源管理等模擬IC、NOR芯片、LCD
2010-03-26 17:00:03
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
將同步漲價(jià)1成以上。再者，新唐及世界先進(jìn)亦傳出調(diào)漲第三季晶圓代工價(jià)格消息。在MOSFET訂單大舉涌入情況下，新唐6吋晶圓代工產(chǎn)能自去年滿載到現(xiàn)在，目前在手訂單也已經(jīng)排單到年底，第三季價(jià)格傳出調(diào)漲1成消息。
2018-06-12 15:24:22
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
根據(jù)集邦咨詢(xún)旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調(diào)查，第三季受到中美貿(mào)易戰(zhàn)影響持續(xù)，加上華為仍未脫離實(shí)體列表，導(dǎo)致部分美系 IC 設(shè)計(jì)業(yè)者的營(yíng)收衰退幅度擴(kuò)大，其中以高通(Qualcomm)最為顯著，衰退逾 22%。
2019-12-04 16:05:232888
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