在第二次測(cè)量過程中，測(cè)試工程師將PDA面朝下放在接地板上，以方便接觸微型USB連接器的金屬屏蔽殼。進(jìn)入PDA的電流遠(yuǎn)小于直接注入接地板的電流(圖3)。為進(jìn)一步減小電流，在PDA和接地板之間插入0.9cm的絕緣層。

　　圖4

　　但是，我們見到的電流減小前后并不一致。當(dāng)PDA直接放在接地板上時(shí)，初始電流尖峰降低了10%。當(dāng)PDA放在0.9cm絕緣層上時(shí)，初始電流尖峰減低33%(圖 4)。在20ns點(diǎn)，直接放在接地板上的PDA受到的沖擊要小69%，而位于絕緣層上的PDA受到的沖擊要小93%。電流減少是在沖擊狀態(tài)下給PDA充電的結(jié)果。在每次沖擊測(cè)試過程結(jié)束后，我們必須將PDA接地使它回到未充電狀態(tài)才能進(jìn)行下次測(cè)量。

　　圖5

　　圖5所示原理圖可以用來很好地定量理解上述測(cè)量。150pF電容和330Ω電阻對(duì)IEC 61000-4-2兼容ESD qiang來說是標(biāo)準(zhǔn)電路元件。qiang與接地板之間的寄生電容提供了IEC 61000-4-2電流波形中包含的初始電流尖峰。這種寄生電容值只有幾個(gè)pF，在定量討論中我們可以忽略不計(jì)。

　　工程師將電流探頭放在放電qiang的尖端周圍，然后開始直接向接地板放電，如圖中的短線所示。對(duì)圖3中直接放電到接地板的電流在300ns時(shí)間內(nèi)進(jìn)行積分，可以得到1.21 μC的電量。這個(gè)電容幾乎完全等于給150pF電容充電到8kV所預(yù)測(cè)的電容量。

　　向PDA的放電通過一個(gè)并行平板電容表示，其中一個(gè)極板是PDA的一部分，另一個(gè)極板是接地板。在脈沖初期，PDA電容提供較低的阻抗，注入進(jìn)PDA的電流近似于到地的放電電流。繼續(xù)施加脈沖，電荷在PDA到接地板電容中累積，因此PDA上的電位上升，直到PDA和接地板之間的電位和150pF電容上的電壓相等。這時(shí)，不再有電流流動(dòng)，即使ESD qiang的電容還沒有完全放電。

　　對(duì)充電到PDA的電流進(jìn)行積分，可以得到從ESD qiang轉(zhuǎn)移到PDA的電荷數(shù)量。從ESD qiang轉(zhuǎn)移到PDA的電荷量可以用來計(jì)算ESD qiang的150pF電容上剩下的電壓，然后再算出PDA上的電壓。理解這個(gè)電壓以及PDA上測(cè)到的電荷之后，就可以計(jì)算出PDA和接地板之間的電容(見表1)。