：貼片（TO-252），低開(kāi)啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過(guò)電流大，抗沖擊能力強(qiáng)HC018N10L是一款專(zhuān)門(mén)為應(yīng)用于電弧打火機(jī)市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的一款結(jié)MOS管，低開(kāi)啟電壓 低內(nèi)阻，特別適合應(yīng)用于電弧打火機(jī)，其特點(diǎn)是打火猛、溫度低、打火時(shí)間長(zhǎng)、火花四射
2020-10-16 17:25:13
【100V17A低結(jié)電容低開(kāi)啟低內(nèi)阻MOS管加濕器霧化器方案】【惠海MOS管】高頻率、大電流、低開(kāi)啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過(guò)電流達(dá)、抗沖擊能力強(qiáng)、SGT工藝，開(kāi)關(guān)損耗
2020-10-13 11:14:00
其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。惠海半導(dǎo)體MOS管采用SGT工藝，性能優(yōu)越，品質(zhì)好，具有高頻率、大電流、低開(kāi)啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過(guò)電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)損耗小等
2021-02-23 16:22:55
■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開(kāi)啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過(guò)電流大，抗沖擊能力強(qiáng)?！鯤C030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源，電弧
2021-01-08 11:16:46
：貼片（TO-252），低開(kāi)啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過(guò)電流大，抗沖擊能力強(qiáng)HC018N10L是一款專(zhuān)門(mén)為應(yīng)用于電弧打火機(jī)市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的一款結(jié)MOS管，低開(kāi)啟電壓
2020-10-15 11:51:46
我用的是NTMFS4935N的MOS管，采用背靠背設(shè)計(jì)，電流不超過(guò)2A，在充電的時(shí)候，開(kāi)關(guān)切換時(shí)有“吱吱”的響聲，請(qǐng)問(wèn)這是MOS管在響么？
2012-07-19 09:44:26
的順著MOS管驅(qū)動(dòng)器的回路到地。而且，這個(gè)電阻也會(huì)讓正常的MOS管關(guān)閉的更加迅速?！ 〉牵荒苷f(shuō)關(guān)斷速度越快越好，我們的實(shí)際應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)器到MOS管柵極的走線以及MOS管的輸出所接的負(fù)載或多或少都會(huì)
2023-03-15 16:55:58
的是MOS管作為開(kāi)關(guān)管的使用。對(duì)于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過(guò)MOS管的電路）、開(kāi)啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開(kāi)關(guān)頻率
2021-10-28 07:46:04
? 1、功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來(lái)說(shuō)，MOS管開(kāi)關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
通,讓PMOS G極接地,MOS管打開(kāi)如果按下按鍵,B極接地,三極管截止,PMOS G極被上拉到電源,PMOS截止轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)
2012-07-11 11:47:21
在開(kāi)啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS》VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。這些特性使得耗盡
2021-01-15 15:39:46
較高，否則容易失敗，此外布線長(zhǎng)度提高，需要相應(yīng)的考慮MOS管的耐壓，嚴(yán)重的，需要加MOS管吸收電路。E、常用的MOS管吸收電路，利于保護(hù)MOS管因關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生過(guò)高的電壓導(dǎo)致DS擊穿，對(duì)米勒振蕩也有幫助，電路形式多樣，以下列舉四種，應(yīng)用場(chǎng)合不同，采用不同的方式。轉(zhuǎn)自雨滴科技論壇-鳳舞天
2018-11-26 11:40:06
。2、二次開(kāi)關(guān)，引入軟開(kāi)關(guān)。3、上下管子導(dǎo)通，
讓人頭大的問(wèn)題及斗爭(zhēng)的重點(diǎn)，下一節(jié)講。下圖為仿真的
MOS管驅(qū)動(dòng)波形，大家可以看到里面有一個(gè)米勒振蕩，信號(hào)源為10V，100KHz 米勒振蕩的本質(zhì)是因?yàn)樵诟邏?/div>
2018-11-20 16:00:00
如要求ID電流為10mA，VDS為電源一半，MOS管開(kāi)啟電壓為2~4V，如何求VG電壓、RS電阻？大神們指教一下！
2019-04-20 15:03:41
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
1.開(kāi)啟電壓VT 開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開(kāi)啟電壓VT 開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過(guò)工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
`這是我為IRF540做的三極管驅(qū)動(dòng)，三極管的開(kāi)啟時(shí)間為115ns，關(guān)閉時(shí)間為1150ns，但是做出來(lái)用示波器打出來(lái)的波形如圖，為什么開(kāi)啟時(shí)不能立即開(kāi)啟，還有一個(gè)上升的時(shí)間，關(guān)閉是又很理想呢？求助，，，，，`
2013-04-27 10:02:21
提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)
2018-11-14 09:24:34
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開(kāi)，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07
導(dǎo)通，所以 S 的電位大概就是 0.6V，而 G 極的電位，是 VBAT，VBAT-0.6V 大于 UGS 的閥值開(kāi)啟電壓，MOS 管的 DS 就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降
2020-11-16 09:22:50
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開(kāi)關(guān)速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
本資料涵蓋有2千個(gè)型號(hào)的MOS管，可以根據(jù)電壓，電流，封裝，內(nèi)阻等快速選出合適的型號(hào)MOS:電壓范圍:-200V~+900V電流范圍:-95A~250AIGBT電壓范圍:270V~1200V電流范圍:40A~150A
2012-03-25 11:24:06
到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說(shuō)只要柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-03 07:00:00
到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說(shuō)只要柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-05 08:00:00
到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說(shuō)只要柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-05 07:30:00
MOS管詳解，讓你頭痛的MOS管不在難~！??！
2018-06-25 09:57:31
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全
2020-10-10 11:21:32
我用的是CJ2310 mos管，電源電壓DC24V問(wèn)題點(diǎn)：如下圖，按照我的理解，線性電阻的電壓不應(yīng)該是24V嗎，實(shí)測(cè)才11V，GS電壓實(shí)測(cè)電壓12V已經(jīng)達(dá)到開(kāi)啟電壓了，不知道為什么mos會(huì)有11V壓降？
2020-11-20 10:28:03
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管為什么會(huì)出問(wèn)題？如何去控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器？
2021-07-05 07:39:44
目的：IO口控制第一個(gè)MOS管通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)第二個(gè)MOS管柵極是否有15v加上繼而控制第二個(gè)MOS的快速通斷。措施一：如圖一所示，第一個(gè)MOS管G加IO口，此MOS管vgs（th）為0.45到1v
2018-10-17 15:16:30
功能：STM32io輸出高電平，三極管導(dǎo)通，A點(diǎn)為0V，MOS管導(dǎo)通，在MOS的D極測(cè)得12V。STM32io輸出低電平，三極管截止，A點(diǎn)為5V，MOS管關(guān)閉，在MOS的D極測(cè)得0V。這個(gè)電路對(duì)嗎？
2018-11-02 14:07:03
mos管并聯(lián)可以增大電流能力，并聯(lián)MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開(kāi)通關(guān)斷延遲時(shí)間，開(kāi)啟電壓？下面的連接正確嗎？
2022-07-29 14:11:58
，VBAT-0.6V大于UGS的閥值開(kāi)啟電壓，MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降幾乎為0?！ ‰娫唇臃磿r(shí)：UGS=0，MOS管不會(huì)導(dǎo)通，和負(fù)載的回路就是斷的，從而保證電路安全
2018-12-20 14:21:28
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。 當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。第二步：確定額定電流選擇MOS管的額定電流
2018-10-19 10:10:44
惠海半導(dǎo)體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品型號(hào)：HC020N03L參數(shù)：30V30A ，類(lèi)型
2020-10-09 11:25:50
本帖最后由 酷雪豹 于 2014-9-5 18:58 編輯
1、我我要用一個(gè)功率NMOS，置于直流電源（0~7V）和負(fù)載之間作為開(kāi)關(guān)，短路置于MOS管漏源之間的電阻（20歐姆），具體請(qǐng)見(jiàn)附件
2014-09-04 11:23:26
設(shè)計(jì)一個(gè)mos管作為負(fù)載的電池放電器，如何控制mos管的開(kāi)關(guān)特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
UGS的閥值開(kāi)啟電壓，MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降幾乎為0。電源接反時(shí)：UGS=0，MOS管不會(huì)導(dǎo)通，和負(fù)載的回路就是斷的，從而保證電路安全。PMOS管防止電源
2018-12-03 14:47:15
輸入端峰峰值最大10V正弦波信號(hào)。想通過(guò)分立的MOS管，實(shí)現(xiàn)讓Ids相對(duì)Vgs線性增加的。Ids可在2mA~20mA變化.通過(guò)觀察NMOS的 Id-Vgs關(guān)系圖,不可能實(shí)現(xiàn)線性變化的.請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有什么管子可以實(shí)現(xiàn)線性變化?謝謝!
2018-04-26 21:37:14
利用MOS管配合E類(lèi)放大電路，輸入2.5M的波，測(cè)試發(fā)現(xiàn)即使VGS為0MOS管也無(wú)法關(guān)閉
2024-03-22 07:42:28
、香薰機(jī)專(zhuān)業(yè)MOS管產(chǎn)品型號(hào)：HC160N10LS參數(shù)：100V5A ，類(lèi)型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻155mR，超低結(jié)電容400pF，封裝：SOT23-3，低開(kāi)啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開(kāi)啟電壓
2020-10-10 14:10:51
如圖是一款反擊開(kāi)關(guān)電源MOS管在Vin=264V時(shí)波形，黃色是Vgs電壓；藍(lán)色是Vds電壓，粉紅色是Ig電流?，F(xiàn)不知為何在MOS管開(kāi)啟的時(shí)候，Vds電壓有44V。 如果在90V測(cè)試的時(shí)候，Vds
2014-08-04 18:01:32
怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問(wèn)題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過(guò)這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適
2018-11-08 14:13:40
用于無(wú)線模塊的接收端，而且我們想用一個(gè)MOS管作為開(kāi)關(guān)控制超級(jí)電容的充放電，因?yàn)榻邮斩说碾妷狠^低，所以找不到好使的mos管（應(yīng)該是低壓n型增強(qiáng)MOS管）不清楚到底用哪些mos管功耗更低，開(kāi)啟電壓比較小，所以希望大佬們能給個(gè)建議！急！?。。?！
2019-08-01 04:36:02
被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)?！ ×私饬?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過(guò)這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
直接對(duì)寄存器進(jìn)行操作，用庫(kù)函數(shù)實(shí)現(xiàn)此功能代碼會(huì)很臃腫eg：①EXTI->IMR &= ~(EXTI_Line1) 關(guān)閉了指定的外部中斷②EXTI->IMR |= EXTI_Line1 開(kāi)啟指定的外部中斷建議對(duì)這兩條指令進(jìn)行宏定義來(lái)優(yōu)化代碼...
2021-08-05 06:25:41
如何測(cè)量n溝道mos管的開(kāi)啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
電子愛(ài)好者在搞電子制作或維修時(shí)，有時(shí)候會(huì)從一些廢舊的開(kāi)關(guān)電源或逆變器的電路板上拆一些舊的MOS管使用。那么如何判斷這些管子的好壞呢？下面我們來(lái)介紹一下如何用數(shù)字萬(wàn)用表快速判斷MOS管的好壞
2021-11-16 07:54:06
一般我們?cè)O(shè)計(jì)這個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，這個(gè)MOS管的gs端有一個(gè)寄生結(jié)電容，通常在設(shè)計(jì)電路時(shí)讓這個(gè)gs端開(kāi)通后，當(dāng)關(guān)閉時(shí)還需要把這個(gè)Gs端的電容的電放電，那么使用一個(gè)電阻，我們現(xiàn)在有個(gè)問(wèn)題：假如
2019-08-22 00:32:40
想找一款開(kāi)啟電壓大于5V的N溝道MOS管
2017-05-27 09:36:04
MOS管開(kāi)通損耗只要不是軟開(kāi)關(guān)，一般都是比較大的。假如開(kāi)關(guān)頻率80KHZ開(kāi)關(guān)電源中,由于有彌勒電容，如果關(guān)斷速度夠快是不是MOS管的關(guān)斷損耗都算軟關(guān)閉，損耗接近0？另外開(kāi)通和關(guān)閉損耗的比例是多少。請(qǐng)大神賜教，越詳細(xì)越好。
2021-09-11 23:56:46
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以輸出14V，那么當(dāng)外接MOS管輸入電壓是24V是，這個(gè)MOS管的VGS能達(dá)到開(kāi)啟的狀態(tài)碼？如果不開(kāi)啟，那怎么實(shí)現(xiàn)大電流的控制呢？
2019-04-03 08:48:56
型號(hào):HC030N10L參數(shù)：100V 30A類(lèi)型：N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻22毫歐低結(jié)電容2000pF封裝：貼片（TO-252）■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開(kāi)啟電壓
2020-12-12 14:41:06
在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。 2，寬電壓應(yīng)用 輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓
2018-10-19 15:28:31
的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?！ MOS的特性
2018-12-03 14:43:36
，VBAT-0.6V大于UGS的閥值開(kāi)啟電壓，MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降幾乎為0?！ ‰娫唇臃磿r(shí)：UGS=0，MOS管不會(huì)導(dǎo)通，和負(fù)載的回路就是斷的，從而保證電路安全
2018-12-20 14:35:58
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-1-31 09:44 編輯
有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？
2021-01-25 09:21:46
電路圖如圖所示，示波器黃色通道1測(cè)試電容兩端電壓，藍(lán)色通道2測(cè)試Vds.使用的mos管型號(hào)為IRFZ34n,mos管總是在1伏時(shí)導(dǎo)通，使用了其他mos管也是同樣的情況，這1伏的電壓還沒(méi)有達(dá)到mos管的開(kāi)啟電壓，為啥mos管就開(kāi)啟了呢？
2023-05-18 22:59:00
?！ MOS管防止電源反接電路： 正確連接時(shí)：剛上電，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，所以S的電位大概就是0.6V，而G極的電位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的閥值開(kāi)啟電壓，MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通，由于
2019-02-19 11:31:54
` MOS管的快速關(guān)斷原理 R4是Q1的導(dǎo)通電阻沒(méi)有Q1就沒(méi)有安裝的必要了，當(dāng)?shù)碗娢粊?lái)時(shí)Q1為瀉放擴(kuò)流管。 功率MOS管怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn),怎樣實(shí)現(xiàn)？ 功率mosfet的三個(gè)端口，G
2019-01-08 13:51:07
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過(guò)程。開(kāi)啟時(shí)通過(guò)柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
! 如圖1為電路符號(hào)。那么問(wèn)題就來(lái)了，一般初學(xué)者，對(duì)這樣的符號(hào)總是混淆，總是記不住這兩種類(lèi)型的符號(hào)，現(xiàn)在本官告訴一個(gè)記憶訣竅，讓你一輩子終身難忘!先看電路符號(hào)， 把MOS管電路符號(hào)近似看做一個(gè)人,定義D
2018-11-08 14:11:41
液晶顯示器開(kāi)啟后過(guò)幾分鐘后自動(dòng)關(guān)閉光管，電源指示正常，用手電照在屏幕上能看到圖像！究竟是高壓板有問(wèn)題還是光管的問(wèn)題？有壇友遇到過(guò)這種情況？
2012-05-07 23:55:41
轉(zhuǎn)自：電路啊 電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)啟功能。既然帶“軟”開(kāi)啟功能，不妨把這個(gè)電路理解為一個(gè)“軟”妹紙，讓咱們深入去了解她吧！帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路一、電路說(shuō)明： 電源開(kāi)關(guān)電...
2021-10-28 07:05:53
導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大
2017-08-15 21:05:01
，這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá))，這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS
2017-12-05 09:32:00
的任意值而不是0，應(yīng)該如何做？我有嘗試直接切換IGBT的控制電壓到設(shè)定對(duì)應(yīng)位置，但是并不能快速下降電流?；蛘吣壳爸荒懿扇?b class="flag-6" style="color: red">快速關(guān)閉IGBT，然后等候電流下降至設(shè)定值再快速開(kāi)啟來(lái)完成，然而這個(gè)工作不是非常穩(wěn)定。多謝大家
2019-04-09 00:32:50
如圖：與門(mén)芯片輸入脈沖方波，經(jīng)R90和C82濾波后開(kāi)啟Q19然后開(kāi)啟上面的Q16。問(wèn)題：1.輸入多少頻率的方波才能夠開(kāi)啟Q16,這個(gè)是否取決于R90和C82的參數(shù)？2.是否還應(yīng)把兩個(gè)mos管的開(kāi)啟電壓以及導(dǎo)通所需的時(shí)間考慮在內(nèi)？不是很懂這個(gè)電路，請(qǐng)教各位。
2019-12-31 20:24:12
MOS管在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管就自動(dòng)復(fù)合而成，不需要人為特意去另裝這個(gè)PN結(jié)。但是IGBT在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)二極管不是自動(dòng)復(fù)合而成，是沒(méi)有的，需要單獨(dú)再并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二極管。請(qǐng)問(wèn)我的理解對(duì)嗎？請(qǐng)大家指導(dǎo)，謝謝！
2019-09-09 04:36:22
描述TIDA-00675可使用負(fù)載開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)開(kāi)啟/關(guān)閉負(fù)載，從而降低功耗。設(shè)計(jì)指南說(shuō)明了開(kāi)關(guān)頻率、占空比和放電電阻的使用如何影響功耗。特性通過(guò)動(dòng)態(tài)開(kāi)啟/關(guān)閉負(fù)載來(lái)降低功耗頻率、占空比和負(fù)載電流對(duì)功耗
2022-09-20 07:17:32
二極管上面流過(guò)，然后與R1串聯(lián)放電，這樣等減小了驅(qū)動(dòng)電阻，讓MOS管快速的關(guān)斷，減小了關(guān)斷損耗，這一個(gè)電路中，一般R1與R4的電阻參數(shù)的匹配，一般R1要小于R4，比如R1 是22Ω，R4是47Ω的參數(shù)
2021-06-28 16:44:51
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。
2022-09-15 15:28:47
4551 功率MOS管作為常用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其驅(qū)動(dòng)方式有什么特點(diǎn)呢？首先，我們認(rèn)為MOS管是電壓控制型器件，其正常工作時(shí)是不需要電流的(開(kāi)或關(guān)的穩(wěn)態(tài)條件下)，只要有維持電壓，MOS管即可保持開(kāi)啟或關(guān)閉狀態(tài)。
2023-01-17 10:04:075626 MOS開(kāi)啟電壓一般為多少？ MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中，MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字信號(hào)處理、高速數(shù)據(jù)傳輸和電子設(shè)備控制等方面
2023-09-02 11:14:045942 如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉？ MOS管是一種晶體管，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性，因此在電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。MOS管能夠快速開(kāi)啟和關(guān)閉，可以通過(guò)以下多種方法實(shí)現(xiàn)： 1. 優(yōu)化MOS管的驅(qū)動(dòng)電路 MOS
2023-10-31 14:52:331326 MOS 管的開(kāi)啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來(lái)，我們還是先看一下 MOS 的開(kāi)啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)情況了。 上圖中展示的 Bcuk 電路
2023-11-20 16:27:16631 
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變
2022-11-08 10:31:43
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