SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
2019-05-04 23:15:48
13824 Wolfspeed，英飛凌，三菱，安森美半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體，ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體浪潮，從而為在市場(chǎng)上與傳統(tǒng)的硅基器件進(jìn)行對(duì)決奠定了基礎(chǔ)。
2019-11-11 18:01:0010986 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533169 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 ，SiC基GaN，主要應(yīng)用在基站的射頻器件上，比如華為、中興，GaN基產(chǎn)品則主要用在一些高能量的激光器件上。 ? 目前GaN在充電、快充等消費(fèi)類的應(yīng)用比較火爆，并逐漸引入到數(shù)據(jù)中心等工業(yè)領(lǐng)域，以及電動(dòng)汽車的應(yīng)用中，未來市場(chǎng)空間無限，根據(jù)Yolo的數(shù)據(jù)，
2021-06-16 07:21:005046 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
GaN市場(chǎng)規(guī)模還高出數(shù)倍。 ? 這一筆大規(guī)模交易的背后，是對(duì)功率GaN市場(chǎng)發(fā)展潛力的看好。相比于SiC的功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化較早，GaN材料最初在LED、射頻等領(lǐng)域經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的發(fā)展，功率GaN的市場(chǎng)嚴(yán)格來說是從19年才真正上規(guī)模。 ? 因此功率GaN市場(chǎng)發(fā)展潛力被廣泛看好，集邦咨詢的預(yù)測(cè)
2023-11-10 00:24:001758 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 導(dǎo)讀：VR 在2016年取得不錯(cuò)的成績(jī)，在2017年市場(chǎng)逐漸成熟，可以預(yù)測(cè)未來五年市場(chǎng)發(fā)展前景良好，VR設(shè)備也將更多考慮市場(chǎng)需求，設(shè)計(jì)出滿足顧客期望的設(shè)備。
美國(guó)知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56
，也是影響LED照明產(chǎn)品穩(wěn)定性的主要因素之一。由于未來LED照明市場(chǎng)發(fā)展空間巨大，相應(yīng)的LED照明驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)也有著較大的想象空間，近年來越來越多的企業(yè)進(jìn)入LED照明驅(qū)動(dòng)電源領(lǐng)域。QYResearch
2017-11-07 11:17:22
有硅、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵），采用硅材料可以使得芯片體積小、重量輕、成本低，而SiC僅可以提高效率節(jié)省能源，兩者不能兼得，事實(shí)證明只有通過GaN功率IC才可以做到無與倫比的速率和效率。另外
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
) !important]推動(dòng)SiC/GaN功率開關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電器和儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開關(guān)的附加價(jià)值，為市場(chǎng)帶來了超高開關(guān)頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
未來PLC的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？基于PLC的運(yùn)動(dòng)控制器有哪些應(yīng)用？
2021-07-05 07:44:22
據(jù)最新消息獲悉，TrendForce在最新調(diào)查中預(yù)測(cè)，未來全球LED智能路燈市場(chǎng)會(huì)進(jìn)入快速發(fā)展階段。截止到2024年，將以8.2%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。
2020-10-23 11:13:11
未來半導(dǎo)體照明市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，將如何發(fā)展呢？哪部分照明將占主要部分呢？依業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，通用照明將是未來半導(dǎo)體照明市場(chǎng)最大部分?！⊥ㄓ谜彰靼ㄊ覂?nèi)照明和室外照明兩大類。這兩類應(yīng)用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59
基于汽車音響的發(fā)展和現(xiàn)狀，本文總結(jié)了未來汽車多媒體的5大發(fā)展特征、系統(tǒng)理念和系統(tǒng)架構(gòu)，并對(duì)未來汽車多媒體的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹。
2021-05-13 06:48:50
`未來觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)之一：高度集成性帶來低成本顯示驅(qū)動(dòng)器IC與觸控功能加以集成、整合的解決方案將是未來的發(fā)展方向。由于智能手機(jī)向中低端市場(chǎng)延伸，從市場(chǎng)形態(tài)看，觸控產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)出低成本化的特征
2019-01-07 16:49:17
隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷騰飛，MCU無疑占領(lǐng)著電子產(chǎn)業(yè)神經(jīng)中樞的地位，針對(duì)微控制器未來的發(fā)展方向，電子工程世界采訪了愛特梅爾微控制器市場(chǎng)傳訊總監(jiān) Philippe Faure。
2019-07-24 08:33:09
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
了谷底的市場(chǎng)行情，一度讓大家對(duì)行業(yè)的未來發(fā)展深表?yè)?dān)憂。如今，顯示屏做到1億以上全國(guó)有40家左右，而 純利潤(rùn)能達(dá)到10%的企業(yè)并不多。LED顯示屏行業(yè)經(jīng)過此次洗禮之后，行業(yè)將會(huì)走向規(guī)范化，未來，LED顯示屏
2012-11-14 11:41:30
迪生發(fā)明白熾燈以來又一次產(chǎn)業(yè)革命。現(xiàn)在LED燈條市場(chǎng)還仍然在一個(gè)發(fā)展期，在節(jié)能燈具全面替代白熾燈的時(shí)代到來以前，LED燈條還仍然面臨著很強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，怎樣從這個(gè)龐大的消費(fèi)市場(chǎng)脫穎而出，得到消費(fèi)者的喜愛
2011-03-29 16:42:30
GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來發(fā)展回顧基站市場(chǎng)的發(fā)展，從GSM時(shí)代的窄帶寬，以LDMOS產(chǎn)品為主流，到3G/4G時(shí)代信號(hào)的帶寬越來越寬，由于LTE的多載波聚合，對(duì)效率的要求更高，成本越來越敏感，散熱的要求也在
2017-05-23 18:40:45
的GaN FET組成，這一切都采用了易于使用的四方扁平無引線 (QFN) 封裝，并且能幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速發(fā)揮這一材料的真正優(yōu)勢(shì)。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡(jiǎn)化這款產(chǎn)品的使用性
2018-09-10 15:02:53
大家可以討論一下BLDC和BMS的發(fā)展和未來的潛力
2022-02-25 00:28:06
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
標(biāo)準(zhǔn)制定和技術(shù)開發(fā)方面處于領(lǐng)先水平。隨著RFID技術(shù)的成熟和普及，各國(guó)***都意識(shí)到RFID技術(shù)對(duì)未來的影響和蘊(yùn)涵的巨大商機(jī)，制定相關(guān)政策或投入物力，積極推動(dòng)本國(guó)RFID產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2019-10-12 06:02:27
串行和并行接口SRAM有什么不同？串行接口的發(fā)展趨勢(shì)是怎樣的？SRAM未來將會(huì)怎樣發(fā)展？
2021-04-19 08:39:19
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
近年來，物聯(lián)網(wǎng)在中國(guó)市場(chǎng)快速發(fā)展，進(jìn)一步拉動(dòng)傳感器產(chǎn)品需求上漲。據(jù)中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院預(yù)測(cè)，未來五年國(guó)內(nèi)傳感器市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)31%。汽車、物流、煤礦安監(jiān)、安防、RFID標(biāo)簽卡領(lǐng)域的傳感器市場(chǎng)增長(zhǎng)較快。
2020-04-21 06:14:35
應(yīng)用的企圖心。到2020年時(shí)，氮化鎵組件將進(jìn)軍600～900伏特市場(chǎng)，與碳化硅組件的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
的加快，將給國(guó)內(nèi)光模塊及芯片企業(yè)帶來更多的發(fā)展空間。而伴隨國(guó)內(nèi)高端光芯片突破，海外光器件廠商優(yōu)勢(shì)將繼續(xù)減小，或繼續(xù)收縮業(yè)務(wù)線，最終國(guó)內(nèi)光器件廠商在全球產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)占領(lǐng)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。從細(xì)分市場(chǎng)看，光芯片
2022-04-25 16:49:45
單片機(jī)的原理是什么單片機(jī)的特點(diǎn)/應(yīng)用領(lǐng)域單片機(jī)未來的發(fā)展方向
2021-04-20 06:22:45
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
數(shù)字視頻的未來發(fā)展如何？
2021-06-08 06:54:46
的應(yīng)用也因此而迅速增長(zhǎng)?，F(xiàn)階段，雖然各種交流電動(dòng)機(jī)和直流電動(dòng)機(jī)在傳動(dòng)應(yīng)用中占主導(dǎo)地位，但直流無刷電動(dòng)機(jī)正受到普遍的關(guān)注。未來幾年，我國(guó)直流無刷電機(jī)的市場(chǎng)前景較為樂觀。無刷電機(jī)行業(yè)未來趨勢(shì)首先，市場(chǎng)
2018-03-14 10:32:39
汽車電子技術(shù)的未來如何發(fā)展？網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在汽車中有哪些應(yīng)用？
2021-05-14 06:47:25
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
電池供電的未來發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 06:32:42
電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?b class="flag-6" style="color: red">SiC及GaN功率組件的技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展，與電動(dòng)車的發(fā)展密不可分。然而，SiC材料仍在驗(yàn)證與導(dǎo)入階段，在現(xiàn)階段車用領(lǐng)域僅應(yīng)用于賽車上，因此，全球現(xiàn)階段的車用功率組件
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了有線電視、移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場(chǎng)。
2016-12-14 02:16:114541 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)了RF GaN市場(chǎng)，已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構(gòu)中。
2019-05-09 10:25:184319 
LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為L(zhǎng)ED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 如在S波段及以上，SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇，而介于兩者之間的話，主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能，這方面做起來很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺點(diǎn)，以及在雷達(dá)應(yīng)用中選擇時(shí)的考量因素。
2019-08-29 09:12:2425118 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129 3 月 6 日訊，因應(yīng) 5G、電動(dòng)車時(shí)代來臨，對(duì)于高頻、高壓功率元件需求大增，帶動(dòng)氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬能隙半導(dǎo)體材料興起，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布與意法半導(dǎo)體合作開發(fā) GaN，瞄準(zhǔn)未來電動(dòng)車之應(yīng)用。
2020-03-08 15:19:001998 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。 事實(shí)上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器
2020-11-09 10:56:042638 11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)
2020-11-16 10:19:322223 今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長(zhǎng)陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)”的演講。
2020-12-04 11:12:042263 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，GaN器件在快充等消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，碳化硅（SiC）器件則被汽車電子廠商委以重任。未來不論是800V高壓平臺(tái)，還是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的效率提升，都需要SiC器件的深度參與。
2022-03-15 08:55:052611 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點(diǎn)，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計(jì)的前沿。
2022-07-27 15:44:03490 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會(huì)?用一整天的時(shí)間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點(diǎn)是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
(SiC) 的采用，電力電子技術(shù)走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計(jì)了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，但 GaN 和 SiC 器件的出現(xiàn)一直在引領(lǐng)技術(shù)走向新的高效成果。 在技術(shù)基礎(chǔ)上，碳化硅技術(shù)側(cè)重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37658 
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 GaN與SiC 冰火兩重天。GaN受消費(fèi)類市場(chǎng)疲軟的影響，市場(chǎng)增長(zhǎng)微乎其微。SiC在光伏新能源、電動(dòng)汽車以及儲(chǔ)能、充電樁等行業(yè)取得了快速發(fā)展。
2023-02-24 14:25:42941 全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長(zhǎng)兩倍，排名前五的公司是：ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測(cè)，未來五年SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60億美元，并可能在2030年代初達(dá)到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:22
6 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042 從行業(yè)趨勢(shì)看，SiC上車是大勢(shì)所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會(huì)上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測(cè)，但后續(xù)汽車市場(chǎng)和供應(yīng)商都用實(shí)際行動(dòng)表達(dá)了對(duì)SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182 
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