一文詳解IGBT的失效機制

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IGBT(242707) IGBT(242707)

IGBT功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及失效機理

IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大

2022-09-07 10:06:18

4436

引起IGBT失效的原因

IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。

2022-10-21 09:00:50

4096

詳解IGBT的米勒鉗位電路

當出現(xiàn)短路時IGBT的Vce快速上升，過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電，若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT，門極鉗位電路主要是在門極電壓過高時起動保護電路動作，提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。

2023-02-23 14:45:09

3776

一文詳解IGBT的過流和短路保護

　IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。

2023-04-06 17:31:17

5483

淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。

2023-04-06 17:32:55

1090

什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機理

眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個無法預(yù)知的因素，可能就是導(dǎo)致IGBT發(fā)生意外故障的關(guān)鍵。

2023-12-27 09:39:34

676

IGBT失效的原因與IGBT保護方法分析

，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護，從而導(dǎo)致IGBT失效。實際應(yīng)用時，一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為

2020-09-29 17:08:58

IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么？

IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路

2021-03-29 07:17:06

IGBT單管簡述

目錄：一、簡述二、驅(qū)動電路三、電流采集電流四、保護機制

2021-11-15 08:51:39

IGBT模塊高溫反偏老化測試詳解

3.1 設(shè)備簡述 IGBT高壓反偏試驗是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時間和電壓，對IGBT施加反偏電壓，從而對器件進行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。EN-320測試系統(tǒng)是專為

2018-08-29 21:20:11

IGBT的失效機理

IGBT的失效機理　　半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA

2017-03-16 21:43:31

IGBT的開啟與關(guān)斷

開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？

2021-10-14 09:09:20

IGBT驅(qū)動板，IGBT驅(qū)動核，IGBT驅(qū)動芯，IGBT適配板，IPM之間的區(qū)別

`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路

2017-10-10 17:16:20

igbt是什么

誰能仔細闡述一下igbt是什么嗎？

2019-08-22 15:20:53

一文詳解ARM指令與ARM匯編

1、2、3、ARM嵌入式開發(fā)之ARM指令與ARM匯編入門4、ARM嵌入式開發(fā)之ARM匯編高級教程與APCS規(guī)范詳解視頻下載地址：內(nèi)容：01_ARM嵌入式開發(fā)之ARM基礎(chǔ)概念介紹...

2021-12-23 06:45:18

一文詳解DC/DC開關(guān)電源中的接地反彈

DC/DC開關(guān)電源中接地反彈的詳解

2021-01-28 06:17:31

一文解讀mosfet與igbt的區(qū)別

1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到

2019-03-06 06:30:00

失效分析常用的設(shè)備及功能

明確其失效模式，失效模式是指失效的外在直觀失效表現(xiàn)形式和過程規(guī)律，通常指測試觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。要明確失效模式，首先要細心收集失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)。一般情況下失效

2020-08-07 15:34:07

詳解Linux內(nèi)核搶占實現(xiàn)機制

本文詳解了Linux內(nèi)核搶占實現(xiàn)機制。首先介紹了內(nèi)核搶占和用戶搶占的概念和區(qū)別，接著分析了不可搶占內(nèi)核的特點及實時系統(tǒng)中實現(xiàn)內(nèi)核搶占的必要性。然后分析了禁止內(nèi)核搶占的情況和內(nèi)核搶占的時機，最后介紹了實現(xiàn)搶占內(nèi)核所做的改動以及何時需要重新調(diào)度。

2019-08-06 06:16:22

AD09保存后格式失效

問題描述：AD09工程和原理圖保存退出后格式失效，文件格式顯示 “0文件”

2016-01-20 10:34:02

NameNode的工作機制詳解

一、存儲機制1、基礎(chǔ)描述NameNode運行時元數(shù)據(jù)需要存放在內(nèi)存中，同時在磁盤中備份元數(shù)據(jù)的fsImage，當元數(shù)據(jù)有更新或者添加元數(shù)據(jù)時，修改內(nèi)存中的元數(shù)據(jù)會把操作記錄追加到edits日志文件中

2021-01-05 17:13:29

【轉(zhuǎn)帖】LED芯片失效和封裝失效的原因分析

，加速材料老化，使LED光源快速失效。失效模式的物理機理LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠

2018-02-05 11:51:41

什么是失效分析？失效分析原理是什么？

失效經(jīng)濟損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產(chǎn)品或系統(tǒng)的構(gòu)成都是有層次的，失效原因也具有層次性，如系統(tǒng)－單機－部件（組件）－零件（元件）－材料。上一

2011-11-29 16:39:42

可避免柵極電流回路機制的并聯(lián)IGBT驅(qū)動器

描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因為在這類應(yīng)用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設(shè)計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來

2018-12-07 14:05:13

求IGBT失效機理分析

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯 IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度

2012-12-19 20:00:59

淺談一下失效分析

`以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應(yīng)用，但廣泛的應(yīng)用場景也意味著可能會出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況，進而導(dǎo)致機械設(shè)備發(fā)生故障！因此，正確分析電力電子器件的失效情況，對于

2019-10-11 09:50:49

物聯(lián)網(wǎng)安全機制密碼學基礎(chǔ)

Chp9 物聯(lián)網(wǎng)安全機制密碼學基礎(chǔ)（1）加密模型密碼是通信雙方按照約定的法則進行信息變換的一種手段。依照這些信息變換法則，變明文為密文，稱為加密變換；變密文為明文，稱為解密變換。信息稱為明文，明文

2021-07-22 06:31:40

看完這一篇，你就明白IGBT是什么了？

IGBT是什么？IGBT是由哪些部分組成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？

2021-06-18 08:01:12

高保真膽機制作詳解

http://115.com/file/be3wripk#高保真膽機制作詳解.rar

2012-02-14 09:54:39

高壓IGBT應(yīng)用及其封裝

程中注意的特點。第一個在安裝過程中，我們需要對柵極操作時，采取防靜電措施。第二是導(dǎo)熱硅脂涂抹。我們軌道交通運用過程中，導(dǎo)熱硅脂涂抹是有很重要的作用。軌道交通失效的IGBT，相當一部分是由于導(dǎo)熱硅脂的涂抹

2012-09-17 19:22:20

高壓IGBT模塊數(shù)據(jù)手冊有什么特性看不到

在一些要求高可靠性的應(yīng)用場合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運行30年以上。為了達到這個目標，三菱電機開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計，并在實際的環(huán)境條件下進行了驗證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊上看不到的一些特性。

2019-07-30 06:01:40

（轉(zhuǎn)帖）IGBT終于不炸了！詳解逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護

見諒，這個帖子會慢慢更新，也希望高手們多多提出意見。我們將這個問題看出幾個部分來解決：1，驅(qū)動電路;2，電流采集電流;3，保護機制;一、驅(qū)動電路這次采用的IGBT為IXYS

2017-03-24 11:53:14

FMEA失效模式公析表

FMEA失效模式公析表:被分析的項目或操作潛能失效模態(tài) 潛在的失效效應(yīng) 嚴重度失敗的潛能因素/機制發(fā)生度現(xiàn)在的設(shè)計或制程控制難檢度風險數(shù)

2009-08-17 08:09:17

MOSFET,IGBT功率器件失效根因分析

服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊檢測標準l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序l

2024-01-29 22:40:29

MOSFET,IGBT功率器件失效根因分析功

的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)。服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述

2024-03-13 16:26:07

電路失效機制

電路失效機制集成電路雖然是一個精巧的不相容device 集合體，但是很少有絕對完美的。很多都包含了一些很小的缺陷，它們的存在有

2009-11-20 08:39:24

1312

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理　1、? 引言　　半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之

2010-02-22 09:32:42

2665

IGBT及其子器件的幾種失效模式

IGBT及其子器件的幾種失效模式

2010-02-22 10:50:02

844

舊手機制作遠程遙控器和防盜報警器詳解

舊手機制作遠程遙控器和防盜報警器詳解時下在城市家庭手機已很普遍，幾乎每人一部，而且新機型日新月異，手機更新?lián)Q代比較快，家庭淘

2010-03-29 11:04:12

6804

詳解高保真膽機制作方法

高保真膽機制作詳解各類電子管與功放電路電子管功放制作與維修電源、輸出變壓器繞制

2011-02-18 16:40:52

4017

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT

2016-05-16 18:04:33

IGBT在電路設(shè)計中需要遵守的準則，為什么IGBT會在電路中失效？

IGBT柵極負偏電壓—UGE直接影響其可靠運行，負偏電壓升高時集電極的浪涌電流明顯下降，對關(guān)斷能耗無顯著的影響。—UGE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗Eoff的關(guān)系分別如圖2（a）和（b）所示。柵極電阻

2017-05-16 09:05:37

5142

IGBT驅(qū)動電路作用與設(shè)計詳解，如何選擇IGBT驅(qū)動器

IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要

2017-06-05 14:21:12

27214

IGBT驅(qū)動電路原理與設(shè)計技巧詳解

本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用

2017-06-05 15:12:54

51685

linux內(nèi)核rcu機制詳解

Linux內(nèi)核源碼當中，關(guān)于RCU的文檔比較齊全，你可以在 /Documentation/RCU/ 目錄下找到這些文件。Paul E. McKenney 是內(nèi)核中RCU源碼的主要實現(xiàn)者，他也寫了很多RCU方面的文章。今天我們而主要來說說linux內(nèi)核rcu的機制詳解。

2017-11-13 16:47:44

8498

IGBT及其子器件的四種失效模式比較分析

IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件

2018-06-20 14:51:00

15773

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理

電流Tsc 1、引言半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA）使用引起的。因此全面了解SOA，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極發(fā)射極電壓

2017-12-03 19:17:49

2531

各種IGBT驅(qū)動電路和IGBT保護方法解析

、 2SD315A 集成驅(qū)動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護方法。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT.保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用

2017-12-11 10:05:09

137

鍵合線等效電阻的IGBT模塊老化失效研究

已有研究表明，鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）可靠性的主要因素之一。以此為研究背景，首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性，分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系

2018-01-02 11:18:14

隨著電子信息產(chǎn)品的小型化以及無鉛無鹵化的環(huán)保要求，PCB也向高密度高Tg以及環(huán)保的方向發(fā)展。但是由于成本以及技術(shù)的原因，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題，并因此引發(fā)了許多的質(zhì)量糾紛。為了弄清楚失效的原因以便找到解決問題的辦法和分清責任，必須對所發(fā)生的失效案例進行失效分析。

2018-02-03 09:24:51

3557

STM32單片機制作音樂譜程序原理圖詳解下載

單片機制作音樂譜程序原理圖詳解下載

2018-03-20 11:38:04

關(guān)于LED失效的兩種失效模式分析

LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結(jié)構(gòu)上分為芯片和外部封裝兩部分。那么， LED失效的模式和物理機制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進行討論。

2018-07-12 14:34:00

7820

家用風力發(fā)電機制作過程詳解

2018-08-21 16:11:13

34430

一文讀懂IGBT封裝失效的機理

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元

2018-10-18 18:28:03

599

引起IGBT失效的原因與保護方法

瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負擔，也可能會導(dǎo)致IGBT失效。

2019-09-02 09:46:34

7842

IGBT的3種短路特性類型

在IGBT的應(yīng)用中，當外部負載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動信號出現(xiàn)異常，或者某個IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時承受

2019-10-07 15:04:00

24314

一文詳解電子元器件失效的分類、檢測和案例

元器件設(shè)計、材料、結(jié)構(gòu)、工藝缺陷引起的失效是元器件常見失效之一，其失效由元器件自身缺陷決定，應(yīng)用環(huán)境和工作中施加的條件是失效的外因，不管應(yīng)用環(huán)境和工作中施加的條件是否出現(xiàn)異常均可出現(xiàn)失效。

2020-10-12 14:38:44

3855

關(guān)于IGBT的封裝失效機理的詳細講解

IGBT的封裝失效機理輸出功率器件的可信性就是指在要求標準下，器件進行要求作用的工作能力，一般用使用期表明。因為半導(dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)換，會造成很大的輸出功率耗損，因而，電力

2020-12-09 16:34:12

1379

基于失效機制的集成電路應(yīng)力測試鑒定

本文件包含一套基于失效機制的應(yīng)力測試，定義了最低應(yīng)力測試驅(qū)動的鑒定要求，并參考了集成電路（IC）鑒定的測試條件。這些測試能夠刺激和沉淀半導(dǎo)體器件和封裝故障。其目的是與使用條件相比，以更快的方式發(fā)生

2020-12-10 08:00:00

故障度量和安全機制ASIL等級的詳解

上一篇內(nèi)容,我們討論了系統(tǒng)層面的不同的自檢技術(shù)來檢測我們的潛伏失效。本篇將討論故障度量和安全機制ASIL等級。01概念介紹1- 單點故障(SPF):一個要素中的硬件故障,直接導(dǎo)致安全目標的違反,并且該元件中的任何故障都不被任何安全機制所覆蓋

2020-12-24 14:30:13

2433

IGBT失效防護機理及電路資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供IGBT失效防護機理及電路資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2021-04-01 08:50:22

詳解IGBT系統(tǒng)資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供詳解IGBT系統(tǒng)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2021-04-16 08:40:55

詳解貼片電感的失效原因（三）

回流焊時急冷急熱，使貼片電感內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致有極少部分的內(nèi)部存在開路隱患的貼片電感的缺陷變大，造成貼片電感開路。從線路板上取下貼片電感測試，貼片電感失效。如果出現(xiàn)焊接開路，失效的產(chǎn)品數(shù)量一般較少，同批次中失效產(chǎn)品一般小于千分級。

2021-04-21 14:31:10

2186

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護

目錄：一、簡述二、驅(qū)動電路三、電流采集電流四、保護機制

2021-11-08 14:21:05

MEMS(微機電系統(tǒng)檢測及失效分析

MEMS（微機電系統(tǒng)）元件的失效機制從本質(zhì)上講和與之相對應(yīng)的宏觀（肉眼可見）元件，具有很大差別并且是獨特的。本文討論從各種MEMS元件中觀測到的失效機制。需要強調(diào)的是，MEMS裝置的組裝使用散裝表面

2021-12-13 09:37:37

1065

IGBT短路測試方法詳解及波形解析

IGBT短路測試方法詳解及波形解析

2021-12-27 10:57:40

礦石收音機制作詳解

2021-12-27 17:52:43

如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效

接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效？

2022-07-10 11:55:27

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詳解C/C++堆棧的工作機制

參數(shù)，事實上是把參數(shù)壓入堆棧，聽起來，堆棧象一個大雜燴。那么，堆棧(Stack)到底是如何工作的呢？本文將詳解C/C++堆棧的工作機制。閱讀時請注意以下幾點：

2022-07-29 09:09:48

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FMEDA（失效模式影響和診斷分析）安全機制的插入和驗證

FMEDA（失效模式影響和診斷分析）利用一系列安全機制來評估安全架構(gòu)，并計算系統(tǒng)的安全性能。ISO 26262 規(guī)范第 5 部分規(guī)定，硬件架構(gòu)需要根據(jù)故障處理要求進行評估。它要求通過一套客觀的指標

2022-11-18 16:02:32

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引起IGBT失效的原因有幾種

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

2023-01-13 10:14:58

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一文詳解失效模式與FMEDA

故障（Fault）: 可引起要素或相關(guān)項失效的異常情況。

2023-02-10 14:12:17

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IGBT失效模式和失效現(xiàn)象

今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級的失效形式。失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障

2023-02-22 15:05:43

IGBT應(yīng)用技術(shù)之有源鉗位詳解

??關(guān)于IGBT的有源鉗位技術(shù)，也有稱Vce鉗位，VceClamp，區(qū)別于有源米勒鉗位。??這里推薦一篇文章，值得一看： IGBT應(yīng)用技術(shù)之有源鉗位詳解??典型的有源鉗位電路通過TVS直接引入負反饋

2023-02-22 14:04:20

詳解：MOS管和IGBT的區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來

2023-02-24 10:36:26

IGBT失效及壽命預(yù)測

實際應(yīng)用中，IGBT常見的兩種失效機理：突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效漸變失效：可預(yù)測的失效，隨著時間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用 1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過

2023-02-24 15:08:58

IGBT全球缺貨成香餑餑，對從業(yè)者來說是紅利期到了嗎？

IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機遇詳解

2023-03-28 14:32:16

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壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準，所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。

2023-04-20 10:27:04

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ABAQUS中的損壞與失效模型

ABAQUS為材料失效提供了一個通用建?？蚣?，其中允許同一種材料應(yīng)用多種失效機制。

2023-05-02 18:12:00

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IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。

2023-05-16 11:30:25

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IGBT模塊是如何失效的？

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。

2023-05-30 08:59:52

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圖文詳解Linux分頁機制

分頁機制是 80x86 內(nèi)存管理機制的第二種機制，分段機制用于把虛擬地址轉(zhuǎn)換為線性地址，而分頁機制用于把線性地址轉(zhuǎn)換為物理地址。

2023-05-30 09:10:44

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IGBT模塊是如何失效的？

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。

2023-06-02 09:09:29

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一文講透IGBT 模塊失效的機理

驅(qū)動電路的工作頻率（最小脈寬）相對 IGBT 開關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個問題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動狀態(tài)發(fā)生波動，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。

2023-06-16 10:34:23

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詳解：MOS管和IGBT的區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下

2022-07-21 17:53:51

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瞬態(tài)熱阻抗準確計算IGBT模塊結(jié)殼熱阻的方法

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過熱失效這一主要失效原因亦成為

2023-04-04 10:14:09

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IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合

2023-05-18 10:11:52

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IGBT逆變電路詳解

IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項等內(nèi)容。一、IGBT逆變電

2023-08-29 10:25:54

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半導(dǎo)體器件擊穿原理和失效機制詳解

在日常的電源設(shè)計中，半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機制，以及在設(shè)計應(yīng)用中注意事項。

2023-09-19 11:44:38

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IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝

2023-11-23 08:10:07

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